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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
KSA733GBU	0.0200	RFQ	105	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSA733			250兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																		50 V	150 ma						100NA（ICBO）					PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	180MHz
KSA1013OTA	0.1100	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSA1013			900兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,664																		160 v	1 a						1µA（ICBO）					PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 200ma，5v	50MHz
FDS6994S	0.9200	RFQ	50	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69		MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500	2 n 通道（双）			30V	6.9a，8.2a		21mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA	12nc @ 5V		800pf @ 15V	逻辑级别门
FDPF13N50NZ	1.0000	RFQ	4735	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF1		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道		500 v	12a		540MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	39 NC @ 10 V		1930 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IRF640ACP001	0.8000	RFQ	47	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					IRF640		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	375												-
FCPF11N60T	-	RFQ	9096	Fairchild半导体	SuperFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF11		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1490 pf @ 25 V	-	36W（TC）
BZX85C18	0.0300	RFQ	61	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 12.5 V											18 V	20欧姆
FDMC8010A	1.1100	RFQ	6	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDMC8010		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000												-
SGH10N60RUFDTU	2.1000	RFQ	173	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SGH10N60	标准		75 w		to-3pn	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			300V，10a，20 ohm，15V												60 ns		-	600 v	16 a	30 a	2.8V @ 15V，10a	141µJ（在）（215µJ）上	30 NC	15NS/36N
MMSZ5226B-FS	0.0200	RFQ	307	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123				500兆		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		25 µA @ 1 V											3.3 v	28欧姆
FDMC7692S-F126	-	RFQ	9784	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	-				2156-FDMC7692S-F126			1		n通道		30 V	12.5A（ta），18a tc）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	1385 pf @ 15 V	-	2.3W（27W），27W（TC）
HGTP14N36G3VL	-	RFQ	8017	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		逻辑		100 W		TO-220AB	-				2156-HGTP14N36G3VL			1			-														沟	390 v	18 a		2.2V @ 5V，14a	-	24 NC	-
HUF759453	1.0000	RFQ	3993	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	38A（TC）	10V	71MOHM @ 38A，10V	4V @ 250µA	280 NC @ 20 V	±20V	4023 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FDMA8051L	-	RFQ	8873	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			6-microfet（2x2）	-						0000.00.0000	1		n通道		40 V	10A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1260 pf @ 20 V	-	2.4W（TA）
FDS9431A-F085	-	RFQ	6085	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		20 v	3.5A（ta）		130MOHM @ 3.5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	405 pf @ 10 V	-	1W（ta）
KSC3265OMTF	0.0400	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																		25 v	800 MA						100NA（ICBO）					NPN	400mv @ 20mA，500mA	100 @ 100mA，1V	120MHz
FMS6G10US60	15.4500	RFQ	23	Fairchild半导体	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa				66 W	三相桥梁整流器	25 pm-aa	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30	三相逆变器																-	600 v	10 a		2.7V @ 15V，10a				250 µA	是的			710 PF @ 30 V
HUF75631SK8T_NB82083	0.7100	RFQ	651	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FQI4N80TU	1.0500	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		800 v	3.9a（TC）	10V	3.6OHM @ 1.95a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	880 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），130W（tc）
FQI7N80TU	-	RFQ	1520	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		800 v	6.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.3a，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），167W（tc）
FDS2070N7	2.0100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		150 v	4.1a（ta）	6V，10V	78MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1884 PF @ 75 V	-	（3W）（TA）
FDC642P	0.2000	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1,516		P通道		20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 4A，4.5V	1.5V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±8V	925 PF @ 10 V	-	1.6W（TA）
FDC6392S	1.0000	RFQ	9722	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6392		MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		P通道		20 v	2.2A（ta）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 2.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.2 NC @ 4.5 V	±12V	369 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	960MW（TA）
FQP19N20C	0.6300	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		200 v	19a（tc）	10V	170MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	139W（TC）
FDMC3300NZA	0.5400	RFQ	9	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMC3300		MOSFET （金属 o化物）	2.1W		8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	8a		26mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	12nc @ 4.5V		815pf @ 10V	逻辑级别门
FDD9409	-	RFQ	6158	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDD940		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1												-
FQB8N90CTM	1.0000	RFQ	2139	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		900 v	6.3a（TC）	10V	1.9OHM @ 3.15a，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	171W（TC）
FQPF22N30	1.9800	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		300 v	12A（TC）	10V	160MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 25 V	-	56W（TC）
FDC658AP-G	-	RFQ	8803	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDC658AP-G-600039	Ear99	8541.29.0095	1
FCH041N65F-F085	9.5400	RFQ	163	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	35		n通道		650 v	76A（TC）	10V	41mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	304 NC @ 10 V	±20V	13566 pf @ 25 V	-	595W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²