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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HUF753213	0.6400	RFQ	13	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	468			n通道					55 v	35A（TC）	10V	34mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）
BC857AMTF	0.0300	RFQ	195	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC857			310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																											45 v	100 ma											15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
flz5v1b	-	RFQ	3154	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	2,500																					1.2 V @ 200 ma		190 na @ 1.5 V																	5.1 v	17欧姆
FDS4672A	-	RFQ	6057	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS4672		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					40 V	11a（11a）	4.5V	13mohm @ 11a，4.5V	2V @ 250µA	49 NC @ 4.5 V	±12V	4766 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
FFAF05U120DNTU	1.0600	RFQ	699	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3				标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	1200 v	5a	3.5 V @ 5 A	100 ns	5 µA @ 1200 V	-65°C〜150°C
NDS8858H	0.5300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NDS885		MOSFET （金属 o化物）	1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道							30V	6.3a，4.8a		35MOHM @ 4.8A，10V	2.8V @ 250µA	30nc @ 10V		720pf @ 15V	逻辑级别门
MM5Z20V	1.0000	RFQ	1416	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523					200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	8,000																							50 na @ 14 V																	20 v	55欧姆
FQD12N20TF	0.5300	RFQ	6346	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	5			n通道					200 v	9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
FSAM75SM60SL	46.6600	RFQ	240	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT	FSAM75					-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1	3期				75 a	600 v	2500vrms
FCH060N80-F155	1.0000	RFQ	3001	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载					0000.00.0000	1			n通道					800 v	56A（TC）	10V	60mohm @ 29a，10v	4.5V @ 5.8mA	350 NC @ 10 V	±20V	14685 PF @ 100 V	-	500W（TC）
KSC2330YBU	0.0700	RFQ	270	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3					1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0075	500																											300 v	100 ma											100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 20mA，10v	50MHz
U1898	0.0600	RFQ	9606	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,841			n通道												16pf @ 20V																					40 V	15 ma @ 20 V	2 V @ 1 na				50欧姆
FDS6930A	0.3400	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS6930		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	946	2 n 通道（双）							30V	5.5a		40mohm @ 5.5a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 5V		460pf @ 15V	逻辑级别门
1N5234CTR	0.0200	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	1																					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V																	6.2 v	7欧姆
KSA928AYBU	-	RFQ	7501	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3					1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0075	500																											30 V	2 a											100NA（ICBO）				PNP	2V @ 30mA，1.5a	160 @ 500mA，2V	120MHz
BZX79C18-T50A	0.0300	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	11,539																					1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 12.6 V																	18 V	45欧姆
BC560CTA	1.0000	RFQ	1751年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC560			500兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																											45 v	100 ma											15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
DF10	0.2000	RFQ	8376	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼				标准		DF-S	下载				Ear99	8541.10.0080	1																					1.1 V @ 1 A		10 µA @ 1 V		1 a									单相	1 kV
KST3906MTF	1.0000	RFQ	5074	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		KST39			350兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																											40 V	200 ma											-				PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FDN352AP	1.0000	RFQ	6950	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FDN352		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载				Ear99	8541.21.0095	1			P通道					30 V	1.3a（ta）	4.5V，10V	180MOHM @ 1.3A，10V	2.5V @ 250µA	1.9 NC @ 4.5 V	±25V	150 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
MMBD1705	0.3400	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																1对公共阳极	30 V	50mA	1.1 V @ 50 mA	700 ps	50 na @ 20 V	150°C （最大）
sgh30n60ruftu	-	RFQ	2893	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		SGH30N60	标准		235 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	450				300V，30a，7ohm，15V																						-	600 v	48 a	90 a	2.8V @ 15V，30a	（919µJ）（在），814µj（（（（）	85 NC	30ns/54ns
BZX79C2V7-T50A	0.0200	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX79C2			500兆	do-35	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																					1.5 V @ 100 ma		75 µA @ 1 V																	2.7 v	100欧姆
flz10vb	0.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	15,000																					1.2 V @ 200 ma		110 na @ 7 V																	9.7 v	6.6欧姆
KSC1815Grta	0.0500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	2,000																											50 V	150 ma											100NA（ICBO）				NPN	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
FQP11N50CF	1.7700	RFQ	2	Fairchild半导体	FRFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	50			n通道					500 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
FDB110N15A	1.0000	RFQ	4610	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					150 v	92A（TC）	10V	11mohm @ 92a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 75 V	-	234W（TC）
SGS6N60UFDTU	1.0000	RFQ	9771	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		SGS6N	标准		22 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50				300V，3A，80OHM，15V																		52 ns				-	600 v	6 a	25 a	2.6V @ 15V，3A	（57µJ）（在），25µJ（25µJ）中	15 NC	15NS/60NS
HUF761213	0.4000	RFQ	26	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	47A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FDFM2N111	1.0000	RFQ	2243	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫				MOSFET （金属 o化物）		Microfet 3x3mm	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	100mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	±12V	273 PF @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²