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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
KSP2907ATF	0.0500	RFQ	99	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	6,138																													60 V	600 MA						10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
1N5992B	1.8400	RFQ	29	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																						1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V													4.7 v	70欧姆
BD13610S	0.2300	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					1.25 w	TO-126-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1,421																													45 v	1.5 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-
BZX85C9V1	0.0300	RFQ	67	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C9			1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 6.8 V													9.1 v	5欧姆
FDD8750	0.3700	RFQ	8	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						25 v	6.5a（ta），2.7a tc）	4.5V，10V	40mohm @ 2.7a，10v	2.5V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	425 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），18W（tc）
HUFA76504DK8T	0.4300	RFQ	5	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		HUFA76504		MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）								80V	-		200mohm @ 2.5a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 10V		270pf @ 25V	逻辑级别门
1N4748A	0.0300	RFQ	23	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779																						1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V													22 v	23欧姆
FSBM20SH60A	1.0000	RFQ	8419	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	48	3期					20 a	600 v	2500vrms
FSBM15SL60	20.0000	RFQ	100	Fairchild半导体	SPM®	管子	过时的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT						下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	48	3期					15 a	600 v	2500vrms
FQPF9N25C	-	RFQ	5673	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道						250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	38W（TC）
FGPF7N60RUFDTU	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			标准		41 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				300V，7A，30OHM，15V																			65 ns					-	600 v	14 a	21 a	2.8V @ 15V，7a	230µJ（在）上，100µJ（OFF）	24 NC	60NS/60NS
FSB50250	8.1300	RFQ	3	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器					1 a	500 v	1500vrms
FDD6030BL	1.1300	RFQ	71	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						30 V	10a（10A），42A（tc（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1143 PF @ 15 V	-	1.6W（ta），50W（TC）
KSC1507YTSTU	-	RFQ	3507	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					15 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50																													300 v	200 µA						100µA（ICBO）			NPN	2V @ 5mA，50mA	120 @ 10mA，10v	80MHz
KSA940	1.0000	RFQ	4371	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					1.5 w	TO-220-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	200																													150 v	1.5 a						10µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
1N5259B	-	RFQ	5042	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-1N5259B-600039			1																						1.2 V @ 200 ma		100 na @ 30 V													39 v	80欧姆
FDMS8670AS	0.8000	RFQ	22	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	23A（23A），42a （TC）	4.5V，10V	3MOHM @ 23A，10V	3V @ 1mA	55 NC @ 10 V	±20V	3615 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
KSC900LBU	0.0200	RFQ	29	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																													25 v	50 mA						50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 2mA，20mA	350 @ 500µA，3V	100MHz
FQU1N60TU	0.5500	RFQ	607	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	607			n通道						600 v	1A（TC）	10V	11.5ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
MMSD3070	1.0000	RFQ	6659	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-123				标准		SOD-123	下载					Ear99	8542.39.0001	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		200 v		1 V @ 100 ma	50 ns	100 NA @ 175 V	150°C （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
KST10MTF	-	RFQ	3534	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350MW	SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1					-																								25V	-									NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz			-
FQPF10N50CF	1.3500	RFQ	67	Fairchild半导体	FRFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	223			n通道						500 v	10A（TC）	10V	610MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2096 pf @ 25 V	-	48W（TC）
HUF76437S3S	0.5300	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	71A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 71a，10v	3V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±16V	2230 PF @ 25 V	-	155W（TC）
BAT54A	-	RFQ	3675	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAT54		肖特基		SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	1对公共阳极	30 V	200mA	1 V @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜150°C
MM5Z16V	0.0900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F					200兆	SOD-523F	-		供应商不确定	到达不受影响	2156-MM5Z16V-600039			1																								50 NA @ 11.2 V													16 V	40欧姆
HUF755423	1.7400	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	173			n通道						80 V	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 20 V	±20V	2750 pf @ 25 V	-	230W（TC）
FDMC8296	-	RFQ	8533	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						30 V	12a（12A），18A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1385 pf @ 15 V	-	2.3W（27W），27W（TC）
ISL9V3036D3S	1.2300	RFQ	3	Fairchild半导体	Ecospark®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			逻辑		150 w	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800				300V，1KOHM，5V																								-	360 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
EGF1B	0.2500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA				标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,205		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		100 v		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
FJX3004RTF	0.0500	RFQ	2035	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323		FJX300			200兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,778																													50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²