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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDY4001CZ	0.1000	RFQ	111	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	FDY40	MOSFET （金属 o化物）	446MW	SOT-563F	下载	不适用				Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	200mA，150mA		5ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1NC @ 4.5V		60pf @ 10V	逻辑级别门
FCH085N80-F155	-	RFQ	7391	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	800 v	46A（TC）	10V	85MOHM @ 23A，10V	4.5V @ 4.6mA	255 NC @ 10 V	±20V	10825 PF @ 100 V	-	446W（TC）
mpsa13ra	-	RFQ	4771	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																							30 V	1.2 a	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
FDS3682_NL	0.8300	RFQ	704	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	100 v	6a（6a）	6V，10V	35mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FJY3004R	0.0300	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY300		200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
1N4742ATR	1.0000	RFQ	9155	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																			5 µA @ 9.1 V							12 v	9欧姆
RFD16N05LSM	1.0000	RFQ	9892	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	75			n通道	50 V	16A（TC）	4V，5V	47mohm @ 16a，5v	2V @ 250mA	80 NC @ 10 V	±10V		-	60W（TC）
KSP2907ABU	0.0400	RFQ	638	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	7,493																							60 V	600 MA	10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
BC550ABU	0.0200	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																							45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
FQB20N06TM	0.3700	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道	60 V	20A（TC）	10V	60mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），53W（tc）
EGP10D	0.1300	RFQ	84	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,342		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	-
FMBA14	0.1900	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FMBA1		700MW	SuperSot™-6	下载					Ear99	8541.21.0095	1,750																							30V	1.2a	100NA（ICBO）			2 NPN （双）	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	1.25MHz
FDB024N04AL7	2.8700	RFQ	30	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	40 V	100A（TC）	10V	2.4mohm @ 80a，10v	3V @ 250µA	109 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 25 V	-	214W（TC）
HUFA76423D3ST	0.3300	RFQ	8	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±16V	1060 pf @ 25 V	-	85W（TC）
ES1B	1.0000	RFQ	8391	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		do-214ac，SMA	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		920 MV @ 1 A	15 ns	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	1a	-
NZT6727	1.0000	RFQ	2702	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3			1 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500																							40 V	1.5 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	-
SFP9614	0.3000	RFQ	2635	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	726			P通道	250 v	1.6A（TC）	10V	4ohm @ 800mA，10v	4V @ 250µA		±30V	295 pf @ 25 V	-	20W（TC）
MMBT3702	0.0200	RFQ	8641	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	14,690																							25 v	800 MA	100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 50mA，5V	100MHz
BC548CTA	0.0400	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	8,266																							30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
SS9012HTA	-	RFQ	2713	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																							20 v	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 50mA，500mA	144 @ 50mA，1V	-
SSP1N60B	0.1500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	600 v	1A（TC）	10V	12ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	215 pf @ 25 V	-	34W（TC）
FQP3N50C	0.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	740			n通道	500 v	3A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	365 pf @ 25 V	-	62W（TC）
BZX85C33-FS	-	RFQ	8662	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX85C33-FS	Ear99	8541.10.0050	1
HUF75939S3ST	2.3100	RFQ	800	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道	200 v	22a（TC）	10V	125mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	152 NC @ 20 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	180W（TC）
SSU1N50BTU	0.3500	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SSU1N50	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道	520 v	1.3A（TC）	10V	5.3OHM @ 650mA，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），26W（tc）
BAV21-T50R	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-BAV21-T50R-600039			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度													250 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
BSR14	1.0000	RFQ	1929年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																							40 V	800 MA	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
FJV4113RMTF	-	RFQ	4762	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV411		200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
FDZ595PZ	-	RFQ	2593	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				250
MBR2050CT	0.5900	RFQ	7	Fairchild半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	MBR2050	肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	50 V	-	800 mv @ 10 a		1 ma @ 50 V	-65°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²