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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
KSC900LTA	0.0200	RFQ	8238	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,925																																					25 v	50 mA						50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 2mA，20mA	350 @ 500µA，3V	100MHz
FDS2170N7	2.0100	RFQ	23	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						200 v	3A（3A）	10V	128mohm @ 3a，10v	4.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1292 PF @ 100 V	-	（3W）（TA）
SS13	0.1200	RFQ	416	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA				肖特基		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,435		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										30 V		500 mv @ 1 A		200 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
BZX84B27LT1G	0.0300	RFQ	60	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																														900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V													27 V	80欧姆
FGA15N120ANTDTU	-	RFQ	5007	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FGA15N120	标准		186 w	to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30					600V，15a，10ohm，15V																										330 ns					腐败和战战trench	1200 v	30 a	45 a	2.4V @ 15V，15a	3MJ（在）上，600µJ（600µJ）	120 NC	15NS/160NS
FDP023N08B	2.1300	RFQ	21	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDP023		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1																	-
FDS6961A	-	RFQ	7843	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS69		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）								30V	3.5a		90MOHM @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	4NC @ 5V		220pf @ 15V	逻辑级别门
FFH50US60S	1.0000	RFQ	8423	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2				标准		TO-247-2	下载					Ear99	8542.39.0001	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										600 v		1.54 V @ 50 A	124 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	50a	-
NDB4060	0.5500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道						60 V	15A（TC）	10V	100mohm @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	50W（TC）
MBR1545CT	1.0000	RFQ	2464	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3				肖特基		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									1对普通阴极	45 v	15a	840 mv @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
1N6010B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																														1.2 V @ 200 ma		100 na @ 21 V													27 V	70欧姆
BZX84C12	-	RFQ	6397	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5.42％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX84C12-600039			1																														900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V													12 v	10欧姆
FQPF90N10V2	2.3700	RFQ	809	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						100 v	90A（TC）	10V	10mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	191 NC @ 10 V	±30V	6150 pf @ 25 V	-	83W（TC）
FDS6990S	0.9400	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS6990		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）								30V	7.5A（ta）		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 1mA	16nc @ 5V		1233pf @ 15V	-
NDS8435A	0.8300	RFQ	129	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道						30 V	7.9a（ta）	4.5V，10V	23mohm @ 7.9a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BZX84C16	-	RFQ	5966	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84			250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																														900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.2 V													16 V	40欧姆
FSBB20CH60SL	17.8000	RFQ	600	Fairchild半导体	Motion-SPM®	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSBB20					-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	3期					20 a	600 v	2500vrms
MCR100-8RLG	-	RFQ	7605	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）						TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	2,000				5 ma															600 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
FQD20N06TF	0.4000	RFQ	5421	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	525			n通道						60 V	16.8A（TC）	10V	63mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
SFR9014TF	0.1900	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道						60 V	5.3A（TC）	10V	500mohm @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（24W），24W tc）
BC548CTAR	0.0200	RFQ	5539	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,521																																					30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
NDP7061	2.3200	RFQ	5	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	64A（TC）	10V	16mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	1930 pf @ 25 V	-	130W（TC）
KSC5402DTTU	0.4700	RFQ	136	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					50 W	TO-220-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-KC5402DTTU-600039			1																																					450 v	2 a						100µA			NPN	750mv @ 200mA，1a	6 @ 1a，1V	11MHz
MTD3055V	1.0000	RFQ	2138	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						60 V	12a（12a）	10V	150mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	3.9W（TA），48W（tc）
1N957B	2.9800	RFQ	61	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	101																																150 µA @ 5.2 V													6.8 v	4.5欧姆
FDFMA3P029Z	0.2500	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫				MOSFET （金属 o化物）		6-MLP（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道						30 V	3.3a（ta）		87MOHM @ 3.3A，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V		435 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
FLZ12VB	0.0200	RFQ	1854年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	10,000																														1.2 V @ 200 ma		133 na @ 9 V													11.7 v	9.5欧姆
FSAM10SH60A	-	RFQ	5405	Fairchild半导体	MOTIONSPM®2	大部分	过时的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT						-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FSAM10SH60A-600039			1	3相逆变器					10 a	600 v	2500vrms
NZT6726	-	RFQ	7167	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					1 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500																																					30 V	1.5 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	-
FDD3706	0.6000	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	500			n通道						20 v	14.7a（ta），50a （TC）	2.5V，10V	9mohm @ 16.2a，10v	1.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±12V	1882 PF @ 10 V	-	3.8W（TA），44W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²