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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
KSA708YBU	0.0500	RFQ	80	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			800兆	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	5,495																						60 V	700 MA	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
FCP25N60N	4.0200	RFQ	1	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道	600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
FDP16AN08A0	0.9100	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	357		n通道	75 v	（9A）（ta），58a tc（TC）	6V，10V	16mohm @ 58a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1857 PF @ 25 V	-	135W（TC）
SS9014BBU	-	RFQ	2021	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			450兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																						45 v	100 ma	50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	270MHz
but11tu	0.4000	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			100 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																						400 v	5 a	1ma			NPN	1.5V @ 600mA，3a	-	-
1N5241B	0.0300	RFQ	154	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 8.4 V							11 V	22欧姆
BZX84C3V9	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					BZX84C3				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BZX84C3V9-600039	Ear99	8541.10.0050	1
FJL4215OTU	2.4200	RFQ	34	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA			150 w	HPM F2	下载					Ear99	8542.39.0001	124																						250 v	17 a	5µA（ICBO）			PNP	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
FDD6796A	0.5200	RFQ	749	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	750		n通道	25 v	20A（20A），40a tc（TC）		5.7MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），42W（tc）
SB2003M-TL-E	0.1900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	6-SMD，平坦的铅		肖特基		6-MCPH	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-SB2003M-TL-E-600039			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		500 mv @ 2 a	20 ns	30 µA @ 15 V	-55°C〜125°C	2a	75pf @ 10V，1MHz
ZTX614	-	RFQ	3011	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	TO-226	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	378																						100 v	800 MA	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.25V @ 8mA，800mA	10000 @ 500mA，5V	-
MBRS130L	-	RFQ	5833	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	MBRS130	肖特基		SMB（do-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		445 mv @ 2 a		1 ma @ 30 V	-65°C〜125°C	2a	-
1N5253BTR	0.0200	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																1.2 V @ 200 ma		100 na @ 19 V							25 v	35欧姆
FJY4008R	0.0200	RFQ	8624	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY400		200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
FQB27P06TM	-	RFQ	5292	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB27	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道	60 V	27a（TC）	10V	70MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
1N4148WT	0.0300	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装		1N4148	标准			下载					Ear99	8541.10.0070	11,539																	4 ns			125mA	2pf @ 0v，1MHz
FQI16N25CTU	0.7200	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），139w（tc）
BD681STU	-	RFQ	9620	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD681		40 W	TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																						100 v	4 a	500µA			npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
HUF76121S3S	0.7000	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	47A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
2N4401NLBU	0.2900	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																						40 V	600 MA	-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FQAF12P20	0.7700	RFQ	2377	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	124		P通道	200 v	8.6A（TC）	10V	470MOHM @ 4.3A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	70W（TC）
FQPF7N10L	0.2700	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	5.5A（TC）	5V，10V	350MOHM @ 2.75A，10V	2V @ 250µA	6 NC @ 5 V	±20V	290 pf @ 25 V	-	23W（TC）
FQD17N08LTM	-	RFQ	5387	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	80 V	12.9a（TC）	5V，10V	100mohm @ 6.45a，10v	2V @ 250µA	11.5 NC @ 5 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
FDS6673AZ	1.2600	RFQ	7443	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	173		P通道	30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 14.5A，10V	3V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±25V	4480 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDME820NZT	0.3900	RFQ	9	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn		MOSFET （金属 o化物）		Microfet 1.6x1.6薄	下载					Ear99	8542.39.0001	760		n通道	20 v	9a（9a）	1.8V，4.5V	18mohm @ 9a，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	865 pf @ 10 V	-	2.1W（TA）
FDLL485B	-	RFQ	5506	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		标准		SOD-80	下载					Ear99	8542.39.0001	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度													180 v		1 V @ 100 ma		25 na @ 180 V	-65°C 〜200°C	200mA	6pf @ 0v，1MHz
FQU2N80TU	0.5900	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道	800 v	1.8A（TC）	10V	6.3OHM @ 900mA，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
fep16dt	0.5200	RFQ	236	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
BZX85C47	0.0300	RFQ	32	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C47		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		500 na @ 36 V							47 V	90欧姆
FDG312P	0.1800	RFQ	125	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道	20 v	1.2A（TA）	2.5V，4.5V	180MOHM @ 1.2A，4.5V	1.5V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±8V	330 pf @ 10 V	-	750MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²