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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MBR3045STG	0.8600	RFQ	1	Fairchild半导体	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR3045	肖特基		TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	15a	620 MV @ 15 A		200 µA @ 45 V	-65°C〜175°C
HUF75329S3	0.3300	RFQ	1516年	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道	55 v	49A（TC）	10V	24mohm @ 49a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
1N4738ATR	0.0300	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																			10 µA @ 6 V							8.2 v	4.5欧姆
BC32716TA	0.0300	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																							45 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FDS6984AS	0.4200	RFQ	15	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）			30V	5.5a，8.5a		31MOHM @ 5.5A，10V	3V @ 250µA	11NC @ 10V		420pf @ 15V	逻辑级别门
PN200RM	-	RFQ	1823年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																							45 v	500 MA	50NA			PNP	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FDS6921A	1.0000	RFQ	9156	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				2,500
1N5242BTR	0.0200	RFQ	103	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V							12 v	30欧姆
1N5235BTR	0.0200	RFQ	254	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 5 V							6.8 v	5欧姆
KSC5042TU	-	RFQ	3172	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC5042			TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,000																									10µA（ICBO）			NPN	5V @ 4mA，20mA	30 @ 10mA，5V	-
HUF75939S3ST	2.3100	RFQ	800	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道	200 v	22a（TC）	10V	125mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	152 NC @ 20 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	180W（TC）
SSU1N50BTU	0.3500	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SSU1N50	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道	520 v	1.3A（TC）	10V	5.3OHM @ 650mA，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），26W（tc）
BAV21-T50R	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-BAV21-T50R-600039			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度													250 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
BSR14	1.0000	RFQ	1929年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																							40 V	800 MA	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
FJV4113RMTF	-	RFQ	4762	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV411		200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
KSB1116Syta	0.0500	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																							50 V	1 a	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 50mA，1a	135 @ 100mA，2V	120MHz
BZX84C6V2	-	RFQ	1299	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX84C6V2-600039			1																	900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V							6.2 v	6欧姆
FDS6064N3	1.6200	RFQ	30	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	20 v	23a（23A）	1.8V，4.5V	4MOHM @ 23A，4.5V	1.5V @ 250µA	98 NC @ 4.5 V	±8V	7191 PF @ 10 V	-	（3W）（TA）
MM5Z8V2	0.0200	RFQ	249	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z8		200兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																			700 na @ 5 V							8.2 v	15欧姆
KST4401MTF	-	RFQ	6828	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	7,639																							40 V	600 MA	100NA			NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FQU2N60CTU	-	RFQ	5779	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	600 v	1.9A（TC）	10V	4.7ohm @ 950mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
FDZ595PZ	-	RFQ	2593	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				250
MBR2050CT	0.5900	RFQ	7	Fairchild半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	MBR2050	肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	50 V	-	800 mv @ 10 a		1 ma @ 50 V	-65°C〜150°C
FQD5N15TF	0.2000	RFQ	7085	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,301			n通道	150 v	4.3A（TC）	10V	800MOHM @ 2.15A，10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±25V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FDB0300N1007L	-	RFQ	2786	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	100 v	200a（TC）	6V，10V	3mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	8295 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
KSA708YBU	0.0500	RFQ	80	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			800兆	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	5,495																							60 V	700 MA	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
FCP25N60N	4.0200	RFQ	1	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			n通道	600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
FDP16AN08A0	0.9100	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	357			n通道	75 v	（9A）（ta），58a tc（TC）	6V，10V	16mohm @ 58a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1857 PF @ 25 V	-	135W（TC）
SS9014BBU	-	RFQ	2021	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			450兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																							45 v	100 ma	50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	270MHz
but11tu	0.4000	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			100 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																							400 v	5 a	1ma			NPN	1.5V @ 600mA，3a	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²