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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2N5550TFR	0.0400	RFQ	76	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	7,416																				140 v	600 MA						100NA（ICBO）				NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
SSR1N60BTM	0.1800	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	600 v	900mA（TC）	10V	12ohm @ 450mA，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	215 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
MPSW01	0.1200	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3			1 w	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,500																				30 V	1 a						-				NPN	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	50MHz
FDME0106NZT	0.1600	RFQ	21	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn		MOSFET （金属 o化物）		Microfet 1.6x1.6薄	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000			n通道	20 v	9a（9a）	1.8V，4.5V	18mohm @ 9a，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	865 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
PN4091	0.0600	RFQ	26	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道								16pf @ 20V													40 V	30 ma @ 20 V	5 V @ 1 na				30欧姆
FSBS15CH60AA	13.2800	RFQ	82	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
SS35	1.0000	RFQ	7093	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		肖特基		SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												50 V	750 mv @ 3 a	500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	-
FJX3013RTF	1.0000	RFQ	6190	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	FJX301		200兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma						100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
FDP6030BL	0.6300	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±20V	1160 pf @ 15 V	-	60W（TC）
1N5236B	0.0300	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的							500兆	-	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																3 µA @ 6 V												7.5 v	6欧姆
FQI17N08LTU	0.3700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道	80 V	16.5A（TC）	5V，10V	100mohm @ 8.25a，10V	2V @ 250µA	11.5 NC @ 5 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），65W（tc）
FDS9431A	-	RFQ	5307	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道	20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	130MOHM @ 3.5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	405 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
FQB16N25CTM	0.8100	RFQ	845	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道	250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），139w（tc）
KSA812YMTF	-	RFQ	7403	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			150兆	SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KSA812YMTF-600039			1																				50 V	100 ma						100NA（ICBO）				PNP	300mv @ 10mA，100mA	135 @ 1mA，6v	180MHz
1N748A	1.9300	RFQ	112	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	156															1.5 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V												3.9 v	23欧姆
FDP8870-F085	1.1200	RFQ	291	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	291			n通道	30 V	（19a）（TA），156a （TC）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	160W（TC）
BZX55C7V5	0.0200	RFQ	7856	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	4,335															1.3 V @ 100 mA	100 na @ 5 V												7.5 v	7欧姆
FDW2502PZ	-	RFQ	8406	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25	MOSFET （金属 o化物）	600MW（TA）	8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1	2（p 通道（双）			20V	4.4a（ta）		35MOHM @ 4.4A，4.5V	1.5V @ 250µA	21nc @ 5V		1465pf @ 10V	-
1N6015B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163															1.2 V @ 200 ma	100 na @ 33 V												43 V	150欧姆
3N259	1.0000	RFQ	2127	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准		kbpm	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30															1.1 V @ 3.14 A	5 µA @ 1 V		2 a				单相	1 kV
KSC1187YBU	1.0000	RFQ	8905	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																				20 v	30 ma						100NA（ICBO）				NPN	-	120 @ 2mA，10v	700MHz
HUF75229P3	0.7900	RFQ	161	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道	50 V	44A（TC）	10V	22mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	90W（TC）
FQA8N90C	1.8100	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			n通道	900 v	8A（TC）	10V	1.9OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	240W（TC）
1N4731A-T50A	0.0200	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4731		1 w	do-41	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																10 µA @ 1 V												4.3 v	9欧姆
FDS8672S	0.9800	RFQ	363	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	307			n通道	30 V	18A（18A）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	3V @ 1mA	41 NC @ 10 V	±20V	2670 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BC848A	0.0800	RFQ	6	Fairchild半导体	SOT-23	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																				30 V	100 ma						100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BZX55C6V8	0.0600	RFQ	209	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000															1.3 V @ 100 mA	100 na @ 3 V												6.8 v	8欧姆
FDMW2512NZ	0.2400	RFQ	65	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WFDFN暴露垫	FDMW2512	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	6-MLP（2x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水			20V	7.2A（ta）		26mohm @ 7.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	13nc @ 10V		740pf @ 15V	-
FQB5P10TM	0.6100	RFQ	5646	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	27			P通道	100 v	4.5A（TC）	10V	1.05OHM @ 2.25A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），40W（TC）
BC546BTA	-	RFQ	4256	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1																				65 v	100 ma						15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²