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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FSB50550TB2	10.8400	RFQ	390	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	23浸模块	Fet	FSB505				-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	3期			1.8 a	500 v	1500vrms
MMBZ5226B	0.0200	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	15,000																		900 mv @ 10 ma		25 µA @ 1 V							3.3 v	28欧姆
FDP16AN08A0	0.9100	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	357			n通道				75 v	（9A）（ta），58a tc（TC）	6V，10V	16mohm @ 58a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1857 PF @ 25 V	-	135W（TC）
EGP30K	0.2800	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向			标准		Do-201 AD	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															800 v	1.7 V @ 3 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	3a	75pf @ 4V，1MHz
BC548C	0.0400	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,000																								30 V	100 ma	15NA			NPN	250mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
FDMS7558	-	RFQ	6319	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				25 v	32A（ta），49a（tc）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 32A，10V	3V @ 1mA	119 NC @ 10 V	±20V	7770 pf @ 13 V	-	2.5W（ta），89W（89W）TC）
SFW9520TM	0.3000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道				100 v	6A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），49W（tc）
1N5257B	-	RFQ	7381	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	do-35	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-1N5257B-600039			1																		1.2 V @ 200 ma		100 na @ 25 V							33 V	58欧姆
FDBL0150N60	4.4900	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDBL0150N60	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				60 V	240a（TC）	10V	1.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	169 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 30 V	-	357W（TJ）
FSB50450	5.8000	RFQ	179	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET	FSB504				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3期			1.5 a	500 v	1500vrms
MMSZ5228B	-	RFQ	6434	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123		MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V							3.9 v	24欧姆
BC850C	-	RFQ	9989	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																								45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
FCI11N60	1.2100	RFQ	64	Fairchild半导体	SuperFet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道				600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1490 pf @ 25 V	-	125W（TC）
KSH122TF	-	RFQ	8567	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				1.75 w	TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000																								100 v	8 a	10µA			npn-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	-
HUFA76419D3ST	0.5300	RFQ	713	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		HUFA76419	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	713			n通道				60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FDMS9408-F085	-	RFQ	9562	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS94	MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				40 V	80A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	214W（TJ）
FDP2614	-	RFQ	2460	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDP2614	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				200 v	62A（TC）	10V	27mohm @ 31a，10v	5V @ 250µA	99 NC @ 10 V	±30V	7230 PF @ 25 V	-	260W（TC）
FDSS2407S_B82086	0.7000	RFQ	783	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDSS24	MOSFET （金属 o化物）	2.27W（TA）	8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）						62V	3.3a（ta）		110MOHM @ 3.3a，10V	3V @ 250µA	4.3nc @ 5V		300pf @ 15V	逻辑级别门
PN222222ATA	1.0000	RFQ	6789	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	-						0000.00.0000	1																								40 V	1 a	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
KSD526YTU	1.0000	RFQ	7595	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				30 W	TO-220-3	下载						0000.00.0000	1																								80 V	4 a	30µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 300mA，3a	120 @ 500mA，5V	8MHz
FJY3004R	0.0300	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY300		200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
MM5Z8V2	0.0200	RFQ	249	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523		MM5Z8		200兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																				700 na @ 5 V							8.2 v	15欧姆
NDS9952A	-	RFQ	3220	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NDS995	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道						30V	3.7a，2.9a		80MOHM @ 1A，10V	2.8V @ 250µA	25nc @ 10V		320pf @ 10V	逻辑级别门
RFD4N06LSM9A	0.5600	RFQ	67	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				60 V	4A（TC）	5V	600MOHM @ 1A，5V	2.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±10V		-	30W（TC）
FDP2670	1.5900	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道				200 v	（19a ta）	10V	130mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1320 PF @ 100 V	-	93W（TC）
BAW76	1.0000	RFQ	7262	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BAW76	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															75 v	1 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	175°c （最大）	300mA	2pf @ 0v，1MHz
FMBA14	0.1900	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FMBA1		700MW	SuperSot™-6	下载					Ear99	8541.21.0095	1,750																								30V	1.2a	100NA（ICBO）			2 NPN （双）	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	1.25MHz
ZTX614	-	RFQ	3011	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w	TO-226	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	378																								100 v	800 MA	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.25V @ 8mA，800mA	10000 @ 500mA，5V	-
1MD2	0.0200	RFQ	50	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	10,000
BZX79C30-T50A	0.0200	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX79C30-T50A	Ear99	8541.10.0050	1																		1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 21 V							30 V	80欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²