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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HUF75333S3	0.6200	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	55 v	66A（TC）	10V	16mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FDH600	0.7000	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	2,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
KSE13007FSMTU	1.0000	RFQ	2827	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSE13007			TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																									-				NPN	3V @ 2a，8a	8 @ 2a，5v	4MHz
US2DA	0.1100	RFQ	9688	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,984	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	1 V @ 1.5 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1.5a	50pf @ 4V，1MHz
1N4755A	0.0300	RFQ	43	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞				1 w		下载					Ear99	8541.10.0050	9,616																5 µA @ 32.7 V										43 V	70欧姆
FDI047AN08A0	2.4900	RFQ	787	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	75 v	80A（TC）	6V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FDMA7628	0.3100	RFQ	90	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMA7628-600039			1		n通道	20 v	9.4A（TA）	1.5V，4.5V	14.5MOHM @ 9.4a，4.5V	1V @ 250µA	17.5 NC @ 4.5 V	±8V	1680 pf @ 10 V	-	1.9W（TA）
RFD16N05SM	0.6600	RFQ	7	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75		n通道	50 V	16A（TC）	10V	47mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	72W（TC）
FQPF32N12V2	1.4400	RFQ	83	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	120 v	32A（TC）	10V	50mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1860 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FDAF69N25	2.4400	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30		n通道	250 v	34A（TC）	10V	41mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	4640 pf @ 25 V	-	115W（TC）
FDMA530PZ	-	RFQ	5634	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	418		P通道	30 V	6.8a（ta）	4.5V，10V	35mohm @ 6.8a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±25V	1070 pf @ 15 V	-	2.4W（TA）
NDP5060	0.5200	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156P5060-600039			1
FQU2N90TU	0.4800	RFQ	332	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	7.2OHM @ 850mA，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
FDFM2P110	0.3900	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		Microfet 3x3mm	下载					Ear99	8542.39.0001	825		P通道	20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	140MOHM @ 3.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	4 NC @ 4.5 V	±12V	280 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
KSA992FTA	0.0500	RFQ	6133	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	2,000																				120 v	50 mA				1µA				PNP	300mv @ 1mA，10mA	300 @ 1mA，6v	100MHz
KSC5402DTTU	0.4700	RFQ	136	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			50 W	TO-220-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-KC5402DTTU-600039			1																				450 v	2 a				100µA				NPN	750mv @ 200mA，1a	6 @ 1a，1V	11MHz
ISL9R18120G2	1.0000	RFQ	2861	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2		标准		TO-247-2	下载					Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1200 v	3.3 V @ 18 A	70 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	18a	-
MM5Z8V2	0.0200	RFQ	249	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z8		200兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																700 na @ 5 V										8.2 v	15欧姆
KST4401MTF	-	RFQ	6828	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	7,639																				40 V	600 MA				100NA				NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FQU2N60CTU	-	RFQ	5779	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	600 v	1.9A（TC）	10V	4.7ohm @ 950mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
1N5241B	0.0300	RFQ	154	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539														1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 8.4 V										11 V	22欧姆
FDB0300N1007L	-	RFQ	2786	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	100 v	200a（TC）	6V，10V	3mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	8295 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
SB2003M-TL-E	0.1900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	6-SMD，平坦的铅		肖特基		6-MCPH	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-SB2003M-TL-E-600039			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	500 mv @ 2 a	20 ns	30 µA @ 15 V	-55°C〜125°C	2a	75pf @ 10V，1MHz
FDS6064N3	1.6200	RFQ	30	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	23a（23A）	1.8V，4.5V	4MOHM @ 23A，4.5V	1.5V @ 250µA	98 NC @ 4.5 V	±8V	7191 PF @ 10 V	-	（3W）（TA）
PN4250	0.0500	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																				40 V	500 MA				10NA（ICBO）				PNP	250mv @ 500µA，10mA	250 @ 100µA，5V	-
FQD5N50TF	0.5100	RFQ	28	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	3.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.75a，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	610 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
1N4749ATR	0.0300	RFQ	23	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,053																5 µA @ 18.2 V										24 V	25欧姆
HUFA76629D3S	0.3900	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道	100 v	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	110W（TC）
FDD24AN06LA0	1.1300	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	7.1a（ta），40a（tc）	5V，10V	19mohm @ 40a，10v	2V @ 250µA	21 NC @ 5 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
TIS74	-	RFQ	6012	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			350兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道								18pf @ 10V（vgs）												30 V	20 ma @ 15 V	2 V @ 4 na				40欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²