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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
FDS3612	0.6600	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					100 v	3.4a（ta）	6V，10V	120MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	632 PF @ 50 V	-	2.5W（TA）
FGAF40N60UFTU	1.8800	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8542.39.0001	160
FJPF13009H1TU	0.8900	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索				50 W	TO-220F-3（Y Y形成）	下载					Ear99	8542.39.0001	337																											400 v	12 a	-			NPN	3V @ 3a，12a	6 @ 8a，5v	4MHz
BC560BTA	1.0000	RFQ	7158	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																											45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
EGP20J	0.2200	RFQ	23	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向			标准		do-15	下载					Ear99	8541.10.0080	1,385		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v		1.7 V @ 2 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	2a	45pf @ 4V，1MHz
IRFS640A	0.5000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					200 v	9.8A（TC）	10V	180MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	43W（TC）
KSB564ACGBU	0.0700	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	4,798																											25 v	1 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	110MHz
FQPF11N50CF	1.5600	RFQ	985	Fairchild半导体	FRFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	193			n通道					500 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SI3445DV	0.1200	RFQ	30	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1			P通道					20 v	5.5A（ta）	1.8V，4.5V	33mohm @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V	1926 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
FDMS2572	-	RFQ	8742	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-MLP（5x6），Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					150 v	4.5a（ta），27a tc）（TC）	6V，10V	47MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	2610 PF @ 75 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
FOD817X_5700W	-	RFQ	1319	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
FQU8P10TU	0.4000	RFQ	16	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	745			P通道					100 v	6.6A（TC）	10V	530mohm @ 3.3a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	470 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
FDD2570	1.4600	RFQ	84	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					150 v	4.7a（ta）	6V，10V	80MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1907 PF @ 75 V	-	3.2W（ta），70W（70W）TC）
KSC5305DFTTU-FS	0.5100	RFQ	9836	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		KSC5305			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1																													10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 400mA，2a	8 @ 2a，1V	-
MMBZ5256B	-	RFQ	9886	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		100 na @ 23 V							30 V	49欧姆
HUF76013D3S	0.2300	RFQ	2254	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,212			n通道					20 v	20A（TC）	5V，10V	22mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	624 pf @ 20 V	-	50W（TC）
ES2C	-	RFQ	4914	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			标准		SMB（do-214AA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	150 v		900 mv @ 2 a	20 ns	5 µA @ 150 V	-50°C〜150°C	2a	-
FDS6898AZ-F085	1.0000	RFQ	9659	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDS6898AZ-F085-600039			1
MMBT4403	-	RFQ	9368	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT4403		250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																											40 V	600 MA	100NA			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
MBR2535CT	1.0000	RFQ	7967	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3		MBR2535	肖特基		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	35 v	25a	820 MV @ 25 A		200 µA @ 35 V	-65°C〜150°C
1N4150TR	0.0200	RFQ	6219	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	5		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	50 V		1 V @ 200 MA	6 ns	100 na @ 50 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
MMBTH10-FS	-	RFQ	3518	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000				-																							25V	-				NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz	-
FDD6776A	0.3700	RFQ	27	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					25 v	17.7a（TA），30a tc）	4.5V，10V	7.5mohm @ 17.7a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），39W（tc）
FDZ1905PZ	0.3400	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，WLCSP		FDZ1905	MOSFET （金属 o化物）	900MW	6-WLCSP （1x1.5）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）							-	-		126mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	-		-	逻辑级别门
FQPF7N10	1.0000	RFQ	7595	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1			n通道					100 v	5.5A（TC）	10V	350MOHM @ 2.75A，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±25V	250 pf @ 25 V	-	23W（TC）
MPS6521D26Z	0.0500	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		MPS6521		625兆	TO-92-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,000																											25 v	100 ma	50NA（iCBO）			NPN	500mv @ 5mA，50mA	300 @ 2mA，10v	-
PN100TF	0.0500	RFQ	177	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	6,662
HUF75939S3ST	2.3100	RFQ	800	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					200 v	22a（TC）	10V	125mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	152 NC @ 20 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	180W（TC）
FSB70450F	5.4300	RFQ	796	Fairchild半导体	MOTIONSPM®7	大部分	积极的			表面安装	27-Powerlqfn模块	MOSFET	FSB704				-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相逆变器				4.8 a	500 v	1500vrms
HUF756313	1.1100	RFQ	16	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道					100 v	33A（TC）	10V	40mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²