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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N5242BTR	0.0200	RFQ	103	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V							12 v	30欧姆
FDZ193P	0.2200	RFQ	779	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，WLCSP		MOSFET （金属 o化物）		6-WLCSP （1x1.5）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道	20 v	3A（3A）	1.7V，4.5V	90MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±12V	660 pf @ 10 V	-	1.9W（TA）
2N3906	-	RFQ	3505	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2n39		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1																				40 V	200 ma	50NA			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FDS6921A	1.0000	RFQ	9156	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				2,500
FCPF380N65FL1	-	RFQ	6833	Fairchild半导体	FRFET®，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	650 v	10.2A（TC）	10V	380MOHM @ 5.1A，10V	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 100 V	-	33W（TC）
IRFR110ATM	0.2500	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	4.7a（ta）	10V	400MOHM @ 2.35a，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），20W（20W）（TC）
KSD1417TU	-	RFQ	3788	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3完整包			2 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																				60 V	7 a	100µA（ICBO）			npn-达灵顿	2V @ 14mA，7a	2000 @ 3a，3v	-
FDZ206P	0.5100	RFQ	369	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	30-WFBGA		MOSFET （金属 o化物）		30-BGA （4x3.5）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道	20 v	13A（TA）	2.5V，4.5V	9.5MOHM @ 13A，4.5V	1.5V @ 250µA	53 NC @ 4.5 V	±12V	4280 pf @ 10 V	-	2.2W（ta）
BC546A	0.0500	RFQ	3700	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,831																				65 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
HUF76432S3ST	0.9300	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	59A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 59a，10v	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±16V	1765 PF @ 25 V	-	130W（TC）
FQP6N50C	0.7500	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	98W（TC）
BAR43	-	RFQ	7375	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAR4	肖特基		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	810	小信号= <200ma（io（io），任何速度												30 V	800 mv @ 100 ma	5 ns	500 na @ 25 V	150°C （最大）	200mA	-
1N5227B	0.0300	RFQ	247	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539														1.5 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V							3.6 v	24欧姆
FQI15P12TU	0.6600	RFQ	901	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI1	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1		P通道	120 v	15A（TC）	10V	200mohm @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），100W（TC）
FDP100N10	1.8900	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	159		n通道	100 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 75a，10v	4.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	7300 PF @ 25 V	-	208W（TC）
NSR15405NXT5G	0.1200	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	2-XDFN		肖特基		2-DSN（1.4x0.6）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-NSR15405NXT5G-600039	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	590 mv @ 1.5 A	33 ns	75 µA @ 40 V	150°C （最大）	1.5a	85pf @ 2V，1MHz
FQP2NA90	0.5700	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	2.8A（TC）	10V	5.8OHM @ 1.4A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	680 pf @ 25 V	-	107W（TC）
HUF75823D3S	0.8700	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	150 v	14A（TC）	10V	150mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 20 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	85W（TC）
SI6467DQ	-	RFQ	4638	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1		P通道	20 v	9.2a（ta）	1.8V，4.5V	12mohm @ 9.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	96 NC @ 4.5 V	±8V	5878 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
1N4739A	0.0300	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向			1 w	轴向	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779																10 µA @ 7 V							9.1 v	5欧姆
1N5235BTR	0.0200	RFQ	254	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 5 V							6.8 v	5欧姆
KSC5042TU	-	RFQ	3172	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC5042			TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,000																						10µA（ICBO）			NPN	5V @ 4mA，20mA	30 @ 10mA，5V	-
FQI2N90TU	0.5100	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	2.2A（TC）	10V	7.2OHM @ 1.1A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），85W（tc）
PN200RM	-	RFQ	1823年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																				45 v	500 MA	50NA			PNP	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
SB360	0.1700	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		肖特基		DO-201-201	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												60 V	680 mv @ 3 a		500 µA @ 60 V	-50°C〜150°C	3a	-
1N958B	2.0800	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	145																75 µA @ 5.7 V							7.5 v	5.5欧姆
FDMS8050ET30	-	RFQ	3133	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		Power56	-				2156-FDMS8050ET30			1		n通道	30 V	55A（ta），423A（tc）	4.5V，10V	0.65MOHM @ 55A，10V	3V @ 750µA	285 NC @ 10 V	±20V	22610 PF @ 15 V	-	3.3W（3），180w（tc）
FQA12N60	1.4700	RFQ	9	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	12A（TC）	10V	700mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	1900 pf @ 25 V	-	240W（TC）
HUF756313	1.1100	RFQ	16	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	100 v	33A（TC）	10V	40mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
ISL9N302AP3	1.1800	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 15 V	-	345W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²