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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
FQPF12N60	2.8800	RFQ	55	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						600 v	5.8A（TC）	10V	700mohm @ 2.9a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	1900 pf @ 25 V	-	55W（TC）
FGA180N30DTU	4.0400	RFQ	15	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FGA180	标准		480 w	to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30				-																			21 ns					-	300 v	180 a	450 a	1.4V @ 15V，40a	-	185 NC	-
FPDB30PH60	29.3200	RFQ	2	Fairchild半导体	PFCSPM®3	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FPDB30					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	2期					20 a	600 v	2500vrms
FJA4313RTU	1.0000	RFQ	2549	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3					130 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																													250 v	17 a						5µA（ICBO）			NPN	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
1N6010B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																						1.2 V @ 200 ma		100 na @ 21 V													27 V	70欧姆
RURD620CCS9A-SB82215	0.8700	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RURD620CCS9A-SB82215-600039			1
SS9015-DBU	0.0200	RFQ	6618	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					450兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	9,900																													45 v	100 ma						50NA（iCBO）			PNP	700mv @ 5mA，100mA	400 @ 1mA，5V	190MHz
MBR2535CT	1.0000	RFQ	7967	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3		MBR2535		肖特基		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	35 v	25a	820 MV @ 25 A		200 µA @ 35 V	-65°C〜150°C
MMBT4403	-	RFQ	9368	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT4403			250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																													40 V	600 MA						100NA			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
FQPF11N50CF	1.5600	RFQ	985	Fairchild半导体	FRFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	193			n通道						500 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	48W（TC）
KSB564ACGBU	0.0700	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	4,798																													25 v	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	110MHz
IRFS640A	0.5000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						200 v	9.8A（TC）	10V	180MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	43W（TC）
FDZ1905PZ	0.3400	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，WLCSP		FDZ1905		MOSFET （金属 o化物）	900MW	6-WLCSP （1x1.5）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）								-	-		126mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	-		-	逻辑级别门
FDD6776A	0.3700	RFQ	27	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						25 v	17.7a（TA），30a tc）	4.5V，10V	7.5mohm @ 17.7a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），39W（tc）
FQPF7N10	1.0000	RFQ	7595	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1			n通道						100 v	5.5A（TC）	10V	350MOHM @ 2.75A，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±25V	250 pf @ 25 V	-	23W（TC）
MMBTH10-FS	-	RFQ	3518	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					225MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000					-																								25V	-									NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz	-
1N4150TR	0.0200	RFQ	6219	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	5		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		50 V		1 V @ 200 MA	6 ns	100 na @ 50 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
TIP102TU	-	RFQ	3767	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示102			2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													100 v	8 a						50µA			npn-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
FSAM20SH60A	-	RFQ	7731	Fairchild半导体	MOTIONSPM®2	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT	FSAM20					-	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3期					20 a	600 v	2500vrms
HUF75321S3ST	0.3400	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						55 v	35A（TC）	10V	34mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）
FDD6296	0.4300	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	697			n通道						30 V	（15a）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
MBR1560CT	1.0000	RFQ	5560	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3				肖特基		TO-220-3	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	60 V	15a	900 mv @ 15 A		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
FDD6512A	0.4100	RFQ	516	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						20 v	10.7a（ta），36a （TC）	2.5V，4.5V	21mohm @ 10.7a，4.5V	1.5V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±12V	1082 PF @ 10 V	-	3.8W（TA），43w（tc）
KSC838CYTA	0.0200	RFQ	1968年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,252																													30 V	30 ma						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	120 @ 2mA，12v	250MHz
1N486B-T50A	0.0200	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				标准		DO-35（do-204AH）	下载	不适用				Ear99	8541.10.0070	5,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		250 v		1 V @ 100 ma		50 NA @ 225 V	175°c （最大）	200mA	-
1N457TR	0.0400	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	8,172		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		70 v		1 V @ 20 ma		25 na @ 60 V	175°c （最大）	200mA	8pf @ 0v，1MHz
NZT751	0.5100	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					1.2 w	SOT-223-4	下载					Ear99	8542.39.0001	583																													60 V	4 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 200mA，2a	40 @ 2a，2v	75MHz
mje171stu	-	RFQ	3594	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					1.5 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	60																													60 V	3 a						100NA（ICBO）			PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
MJD350TF	-	RFQ	9699	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					1.56 w	DPAK-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MJD350TF-600039			1																													300 v	500 MA						100µA			PNP	1V @ 10mA，100mA	30 @ 50mA，10v	10MHz
FPAM50LH60G	-	RFQ	5732	Fairchild半导体	PFCSPM®2	大部分	过时的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT						-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FPAM50LH60G-600039			1	2期					50 a	600 v	2500vrms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²