RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RF1S9640SM9A	1.6400	RFQ	1199	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	165		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
MBR2045CT	0.5900	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MBR2045CT-600039	Ear99	0000.00.0000	1
MM3Z3V0B	0.0200	RFQ	5780	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 10 mA		9 µA @ 1 V							3 V	89欧姆
2SC3651-TD-E	0.1800	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SC3651			pcp	下载					Ear99	8541.21.0075	1																								100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，100mA	500 @ 10mA，5v	150MHz
FDD20AN06A0-F085	-	RFQ	2385	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDDDD20AN06A0-F085-600039			1		n通道	60 V	8a（8a ta），45a tc（TC）	10V	20mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	90W（TC）
BC856ALT1G	-	RFQ	3244	Fairchild半导体	BC856AL	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆	SOT-23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC856ALT1G-600039			1																						65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
FFH50US60S	1.0000	RFQ	8423	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2		标准		TO-247-2	下载					Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.54 V @ 50 A	124 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	50a	-
MPSA65	0.0400	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	7,942																						30 V	500 MA	100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	100MHz
KSA1013YTA	-	RFQ	6121	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）			900兆	TO-92-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KSA1013YTA-600039			1																						160 v	1 a	1µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	60 @ 200ma，5V	50MHz
MMBZ5256B	-	RFQ	9886	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 23 V							30 V	49欧姆
BC859BMTF	0.0200	RFQ	70	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC859		310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																						30 V	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
MMSZ5227B	-	RFQ	6042	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		15 µA @ 1 V							3.6 v	28欧姆
KSE13007FH2SMTU	-	RFQ	2775	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSE13007			TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																								-			NPN	3V @ 2a，8a	8 @ 2a，5v	4MHz
MMBT4403	-	RFQ	9368	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT4403		250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																						40 V	600 MA	100NA			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
ISL9N306AD3ST	0.3400	RFQ	8	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 15 V	-	125W（TA）
BZX84C4V7	-	RFQ	5180	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C4		250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V							4.7 v	80欧姆
MM5Z18V-FS	1.0000	RFQ	2653	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.39％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																		50 NA @ 12.6 V							18 V	45欧姆
1N6014B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																1.2 V @ 200 ma		100 na @ 30 V							39 v	130欧姆
FDMT800152DC	3.3400	RFQ	7916	Fairchild半导体	Dual Cool™，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8 Dual Cool™88	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	150 v	13a（13a），72a（tc）	6V，10V	9MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	5875 PF @ 75 V	-	3.2W（ta），113W（tc）
HUF75339S3ST	0.8800	RFQ	650	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	55 v	75A（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
KSP44TF	1.0000	RFQ	6560	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1																						400 v	300 MA	500NA			NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	-
BC32825TA	0.0200	RFQ	1412	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	596																						25 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
MM3Z51VC	0.0300	RFQ	142	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779																1 V @ 10 mA		45 NA @ 35.7 V							51 v	169欧姆
KSD5041RTA	0.1300	RFQ	38	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			750兆w	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	2,274																						20 v	5 a	100NA（ICBO）			NPN	1V @ 100mA，3a	340 @ 500mA，2V	150MHz
FJX4008RTF	0.0500	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	FJX400		200兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
mpsw56rlrpg	1.0000	RFQ	8987	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）			1 w	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	2,000																						80 V	500 MA	500NA			PNP	500mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	50MHz
FFPF06U20DPTU	0.2000	RFQ	21	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	200 v	6a	1.2 V @ 6 A	35 ns	6 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
SI6467DQ	-	RFQ	4638	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1		P通道	20 v	9.2a（ta）	1.8V，4.5V	12mohm @ 9.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	96 NC @ 4.5 V	±8V	5878 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
ISL9N302AP3	1.1800	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 15 V	-	345W（TC）
HUF75333S3	0.6200	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	55 v	66A（TC）	10V	16mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²