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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDMS7608	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDMS7608	MOSFET （金属 o化物）	1W		Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	589	2 n 通道（双）						30V	12a，15a		10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	24NC @ 10V		1510pf @ 15V	逻辑级别门
FQP20N06L	-	RFQ	2169	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-						0000.00.0000	1			n通道				60 V	21a（TC）	5V，10V	55mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	53W（TC）
FDS6612A	0.3300	RFQ	144	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	917			n通道				30 V	8.4a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 8.4a，10v	3V @ 250µA	7.6 NC @ 5 V	±20V	560 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
NSR01F30NXT5G	0.0700	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	0201（0603公制）			肖特基			2-DSN（0.60x0.30）	下载					Ear99	8542.39.0001	4,157		小信号= <200ma（io（io），任何速度															30 V	500 mv @ 100 ma		50 µA @ 30 V	125°c （最大）	100mA	7pf @ 5V，1MHz
MM3Z39VB	1.0000	RFQ	6928	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆		SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																		1 V @ 10 mA		45 NA @ 27.3 V													39 v	122欧姆
FDPF7N60NZT	0.6400	RFQ	5	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道				600 v	6.5A（TC）	10V	1.25OHM @ 3.25A，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	730 PF @ 25 V	-	33W（TC）
FDS9435A	-	RFQ	8938	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道				30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	528 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FQP11P06	1.0000	RFQ	8214	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道				60 V	11.4A（TC）	10V	175MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	53W（TC）
J106	-	RFQ	1489	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1			n通道											-														25 v	200 ma @ 15 V	2 V @ 1 µA						6欧姆
J176_D74Z	0.0700	RFQ	2241	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				350兆		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	333			P通道											-														30 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 10 na						250欧姆
J107	-	RFQ	7283	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	108			n通道											-														25 v	100 ma @ 15 V	500 mV @ 1 µA						8欧姆
FDS4470	0.9100	RFQ	194	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载					Ear99	8541.29.0095	329			n通道				40 V	12.5A（TA）	10V	9MOHM @ 12.5a，10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	+30V，-20V	2659 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
FNA40860B2	12.9000	RFQ	211	Fairchild半导体	MOTIONSPM®45	大部分	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.024英寸，26.00mm）	IGBT						下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期			8 a	600 v	2000vrms
HUF75639S3STNL	-	RFQ	9938	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8541.29.0095	88			n通道				100 v	56A（TC）	10V	25mohm @ 56a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
KSC1008YBU	0.0600	RFQ	390	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				800兆		TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	5,323																									60 V	700 MA					100NA（ICBO）						NPN	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
FDD5680	-	RFQ	1442	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道				60 V	8.5a（ta）	6V，10V	21mohm @ 8.5a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1835 PF @ 30 V	-	2.8W（TA），60W（TC）
FDPF5N50NZF	0.7900	RFQ	552	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道				500 v	4.2A（TC）	10V	1.75OHM @ 2.1a，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±25V	485 pf @ 25 V	-	30W（TC）
MM3Z56VC	-	RFQ	5457	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆		SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																		1 V @ 10 mA		45 NA @ 39.2 V													56 v	188欧姆
NDS8425	0.8200	RFQ	60	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NDS842	MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				20 v	7.4a（ta）	2.7V，4.5V	22mohm @ 7.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1098 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
S2D	-	RFQ	2723	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			标准			SMB（do-214AA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															200 v	1.15 V @ 2 A	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	2a	-
KSC5321TU	0.2400	RFQ	3	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-KC5321TU-600039			1
BCP68	0.0500	RFQ	125	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w		SOT-223-4	-		供应商不确定	到达不受影响	2156-BCP68-600039			1																									20 v	1 a					10µA（ICBO）						NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	-
IRF654B	0.9600	RFQ	447	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF654B-600039			1
NDP708AE	2.2600	RFQ	3	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	供应商不确定	2156P708AE-600039			1
RFP4N05L	0.5300	RFQ	9	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-RFP4N05L-600039			1
FDP039N08B	2.4200	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-		供应商不确定	供应商不确定	2156-FDP039N08B-600039			1
BD678AS	0.2800	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				14 W		TO-126-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BD678AS-600039			1																									60 V	4 a					500µA						pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
FMM7G50US60I	28.1700	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	模块				139 w	三相桥梁整流器	-	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-FMM7G50US60I	Ear99	8541.29.0095	1	三期逆变器																							-	600 v	50 a	2.7V @ 15V，50a				250 µA	是的			3.565 NF @ 30 V
2n7002-g	-	RFQ	4946	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		2N7002	MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2N7002-G	Ear99	8541.21.0095	1			n通道				60 V	115mA（tc）	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200MW（TC）
NTP082N65S3F	-	RFQ	5306	Fairchild半导体	FRFET®，SuperFet®II	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NTP082N65S3F	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				650 v	40a（TC）	10V	82MOHM @ 20A，10V	5V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±30V	3410 PF @ 400 V	-	313W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²