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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
1N5988B	2.7500	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	110																		1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V									3.3 v	95欧姆
flz36va	0.0200	RFQ	51	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																		1.2 V @ 200 ma		133 na @ 27 V									33 V	63欧姆
1N4154	1.2700	RFQ	218	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	237		小信号= <200ma（io（io），任何速度															35 v	1 V @ 30 mA	4 ns	100 na @ 25 V	175°c （最大）	100mA	4pf @ 0v，1MHz
FDD20AN06A0-F085	-	RFQ	2385	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDDDD20AN06A0-F085-600039			1			n通道				60 V	8a（8a ta），45a tc（TC）	10V	20mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	90W（TC）
FSB50250	4.4000	RFQ	3	Fairchild半导体	SPM®	大部分	过时的			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET					下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	450	3期			1 a	500 v	1500vrms
SCH1331-TL-W	0.1200	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666			MOSFET （金属 o化物）		SOT-563/SCH6	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-SCH1331-TL-W-600039			1			P通道				12 v	3A（3A）	1.5V，4.5V	84mohm @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 1mA	5.6 NC @ 4.5 V	±10V	405 pf @ 6 V	-	1W（ta）
HUF75329S3	0.3300	RFQ	1516年	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道				55 v	49A（TC）	10V	24mohm @ 49a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
FDP8440	2.3200	RFQ	18	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道				40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 80A，10V	3V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	24740 pf @ 25 V	-	306W（TC）
HUFA75645S3S	2.5500	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	128			n通道				100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V	-	310W（TC）
FJV3105RMTF	0.0300	RFQ	36	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FJV310		200兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																								50 V	100 ma			100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
RGP10B	0.0700	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向			标准		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	4,991		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															100 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
FDP79N15	3.3100	RFQ	6	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道				150 v	79A（TC）	10V	30mohm @ 39.5a，10v	5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±30V	3410 PF @ 25 V	-	463W（TC）
BSR18A	-	RFQ	7229	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																								40 V	200 ma			50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FSBB15CH60F	15.2500	RFQ	36	Fairchild半导体	motionspm®3	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSBB15				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3期			15 a	600 v	2500vrms
FDS8947A	1.9100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS89	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）						30V	4a		52MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	27nc @ 10V		730pf @ 15V	逻辑级别门
NDTL01N60ZT1G	0.1700	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				600 v	250mA（tc）		15ohm @ 400mA，10v	4.5V @ 50µA	4.9 NC @ 10 V	±30V	92 PF @ 25 V	-	2W（TC）
FQP19N20L	-	RFQ	3815	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				200 v	21a（TC）	5V，10V	140mohm @ 10.5a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	140W（TC）
HUFA75307T3ST	0.2500	RFQ	25	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		HUFA75307	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载					Ear99	8542.39.0001	1,210			n通道				55 v	2.6a（ta）	10V	90MOHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 20 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	1.1W（TA）
FDP8N50NZ	-	RFQ	5475	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载						0000.00.0000	1			n通道				500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±25V	735 PF @ 25 V	-	130W（TC）
FDB7030BL	0.4600	RFQ	70	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FDB703	MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500			n通道				30 V	60a（ta）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±20V	1760 pf @ 15 V	-	60W（TC）
KBP04M	1.0000	RFQ	7069	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm			标准		kbpm	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30																		1 V @ 1 A		5 µA @ 400 V		1.5 a				单相	400 v
GBPC1504	2.5800	RFQ	150	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC			标准		GBPC	下载					Ear99	8541.10.0080	150																		1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 400 V		15 a				单相	400 v
FDB070AN06A0	1.0000	RFQ	9459	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				60 V	（15a）（ta），80a（tc）	10V	7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
FDC6308P	0.5300	RFQ	28	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FDC6308	-	700MW（TA）	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						20V	1.7A（TA）		180MOHM @ 1.7A，4.5V	1.5V @ 250µA	5NC @ 4.5V		265pf @ 10V	-
SFU9024TU	-	RFQ	7397	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道				60 V	7.8A（TC）	10V	280mohm @ 3.9a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
FDS6894A	0.7200	RFQ	7861	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS68	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	408	2 n 通道（双）						20V	8a		17mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	24nc @ 4.5V		1676pf @ 10V	逻辑级别门
KSA1182YMTF	0.0300	RFQ	614	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		KSA1182		150兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																								30 V	500 MA			100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 100mA，1V	200MHz
fjn3310rbu	1.0000	RFQ	2532	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		FJN331		300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																								40 V	100 ma			100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
FLZ7V5C	0.0200	RFQ	66	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																		1.2 V @ 200 ma		300 na @ 4 V									7.5 v	6.6欧姆
flz4v3c	0.0200	RFQ	3720	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	12,090																		1.2 V @ 200 ma		470 na @ 1 V									4.4 v	32欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²