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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BC856ALT1G	-	RFQ	3244	Fairchild半导体	BC856AL	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆	SOT-23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC856ALT1G-600039			1																								65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
FDP20AN06A0	-	RFQ	9589	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道		60 V	（9A）（ta），45A（tc）	10V	20mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	90W（TC）
mpsa56ra	-	RFQ	3654	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																								80 V	500 MA	100NA			PNP	200mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
EGP30F	0.2600	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载					Ear99	8541.10.0080	1,156		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														300 v		1.25 V @ 3 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	3a	75pf @ 4V，1MHz
BAS16-D87Z	0.0600	RFQ	300	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					BAS16				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BAS16-D87Z-600039			1
RFD14N05SM9A_NL	-	RFQ	5637	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		50 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	40 NC @ 20 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	48W（TC）
RGP10D	0.0600	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	4,915		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														200 v		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
bav19tr	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	9,779		小信号= <200ma（io（io），任何速度														120 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
RF1K49092	0.5200	RFQ	9021	Fairchild半导体	LittleFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RF1K4	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3	n和p通道				12V	3.5a（ta），2.5a（ta）		50mohm @ 3.5a，5v，130mohm @ 2.5a，5v	2V @ 250µA	25nc @ 10v，24nc @ 10v		750pf @ 10V，775pf @ 10V	-
FDH444	0.0300	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	FDH444	标准		do-35	下载					Ear99	8542.39.0001	9,521		小信号= <200ma（io（io），任何速度														125 v		1.2 V @ 300 mA	60 ns	50 NA @ 100 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
SSS10N60B	0.7100	RFQ	470	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	470			n通道		600 v	9A（TJ）	10V	800MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 25 V	-	50W（TC）
FDG329N	0.1700	RFQ	383	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.6 NC @ 4.5 V	±12V	324 pf @ 10 V	-	420MW（TA）
MBR460MFST3G	-	RFQ	9210	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索	MBR460	肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														60 V		740 mv @ 4 a		200 µA @ 60 V	-55°C 〜175°C	4a	-
SFR9034TF	1.0000	RFQ	5332	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道		60 V	14A（TC）	10V	140MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±25V	1155 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
KSC1730YTA	0.0600	RFQ	264	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			250MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000				-																				15V	50mA				NPN		120 @ 5mA，10v	1.1GHz	-
2SC3651-TD-E	0.1800	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SC3651			pcp	下载					Ear99	8541.21.0075	1																										100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，100mA	500 @ 10mA，5v	150MHz
MM3Z3V0B	0.0200	RFQ	5780	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																		1 V @ 10 mA		9 µA @ 1 V							3 V	89欧姆
MPSA65	0.0400	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	7,942																								30 V	500 MA	100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	100MHz
KSA1013YTA	-	RFQ	6121	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）			900兆	TO-92-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KSA1013YTA-600039			1																								160 v	1 a	1µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	60 @ 200ma，5V	50MHz
MBR2045CT	0.5900	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MBR2045CT-600039	Ear99	0000.00.0000	1
MMSZ5227B	-	RFQ	6042	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		15 µA @ 1 V							3.6 v	28欧姆
BC859BMTF	0.0200	RFQ	70	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC859		310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																								30 V	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
MMBZ5256B	-	RFQ	9886	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 23 V							30 V	49欧姆
FDD20AN06A0-F085	-	RFQ	2385	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDDDD20AN06A0-F085-600039			1			n通道		60 V	8a（8a ta），45a tc（TC）	10V	20mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	90W（TC）
FFH50US60S	1.0000	RFQ	8423	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2		标准		TO-247-2	下载					Ear99	8542.39.0001	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.54 V @ 50 A	124 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	50a	-
RF1S9640SM9A	1.6400	RFQ	1199	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	165			P通道		200 v	11A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
KSH45H11TM	0.3400	RFQ	13	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			1.75 w	TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	500																								80 V	8 a	10µA			PNP	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	40MHz
MM3Z4V7C	0.0300	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																		1 V @ 10 mA		2.7 µA @ 2 V							4.7 v	75欧姆
FYV0203DNMTF	0.0200	RFQ	4382	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	1,935		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对普通阴极	30 V	200mA	1 V @ 200 MA		2 µA @ 30 V	150°C （最大）
2SA1507T	0.3200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			1.5 w	TO-225-3	下载	不适用				Ear99	8541.29.0075	200																								160 v	1.5 a	1µA（ICBO）			PNP	450mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，5V	120MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²