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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FQA8N90C	1.8100	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			n通道	900 v	8A（TC）	10V	1.9OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	240W（TC）
FQI12N60CTU	1.0900	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	600 v	12A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2290 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），225W（tc）
FDMS8670AS	0.8000	RFQ	22	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	23A（23A），42a （TC）	4.5V，10V	3MOHM @ 23A，10V	3V @ 1mA	55 NC @ 10 V	±20V	3615 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
EGP30K	0.2800	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v		1.7 V @ 3 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	3a	75pf @ 4V，1MHz
FCPF1300N80ZYD	1.0700	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道	800 v	4A（TC）	10V	1.3OHM @ 2A，10V	4.5V @ 400µA	21 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 100 V	-	24W（TC）
MM5Z10V	0.0200	RFQ	1839年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			200兆	SOD-523F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																			100 na @ 8 V							10 v	20欧姆
RURD660	-	RFQ	4302	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-251-2，IPAK		标准		TO-251-2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.5 V @ 6 A	60 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	-
FCPF190N60E-F152	-	RFQ	2749	Fairchild半导体	*	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FCPF190N60E-F152	Ear99	8541.29.0095	1			n通道	600 v	20.6A（TJ）	10V	190mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	3175 PF @ 25 V	-	39W（TC）
FFPF15UP20STTU	0.4400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1.15 V @ 15 A	45 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	15a	-
FDS2070N3	1.9800	RFQ	13	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	150 v	4.1a（ta）	6V，10V	78MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1884 PF @ 75 V	-	（3W）（TA）
FDB8442-F085	-	RFQ	5463	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDB8442-F085-600039			1			n通道	40 V	28a（28a）（80A）（80a tc）	10V	2.9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	235 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 25 V	-	254W（TC）
2N4402TF	0.0200	RFQ	9157	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000																							40 V	600 MA	-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，2V	-
HUF756373	0.5200	RFQ	5	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道	100 v	44A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	155W（TC）
FFAF20U20DNTU	0.8300	RFQ	720	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3		标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	20a	1.2 V @ 20 A	40 ns	20 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FDB12N50UTM	0.9000	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDB12N	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	800												-
US2FA	-	RFQ	9112	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,977		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													300 v		1 V @ 1.5 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1.5a	50pf @ 4V，1MHz
RURP1520	-	RFQ	7164	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1.05 V @ 15 A	35 ns	100 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	15a	-
2N5401RA	1.0000	RFQ	7966	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5401		625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							150 v	600 MA	50µA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	400MHz
FFP06U20DNTU	0.2000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	6a	1.2 V @ 6 A	35 ns	6 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
HUFA76504DK8T	0.4300	RFQ	5	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUFA76504	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			80V	-		200mohm @ 2.5a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 10V		270pf @ 25V	逻辑级别门
FQI7P06TU	0.4100	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道	60 V	7A（TC）	10V	410MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±25V	295 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），45W（tc）
KSA812YMTF	-	RFQ	7403	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			150兆	SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KSA812YMTF-600039			1																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	135 @ 1mA，6v	180MHz
2N7000	-	RFQ	9204	Fairchild半导体	StripFet™	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N70	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1			n通道	60 V	350mA（TC）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	2 NC @ 5 V	±18V	43 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
1N4747ATR	-	RFQ	5439	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4747		1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	1																			5 µA @ 15.2 V							20 v	22欧姆
MBR1645	1.0000	RFQ	1491	Fairchild半导体	SwitchMode™	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2	MBR1645	肖特基		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													45 v		630 MV @ 16 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜175°C	16a	1400pf @ 5V，1MHz
FFP30UP20DNTU	1.0000	RFQ	3927	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	15a	1.15 V @ 15 A	45 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
SFU9034TU	0.2600	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道	60 V	14A（TC）	10V	140MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±25V	1155 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
FDMS8570S	0.5100	RFQ	9	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS85	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000			n通道	25 v	（24A）（TA），60a （TC）	4.5V，10V	2.8MOHM @ 24A，10V	2.2V @ 1mA	425 NC @ 10 V	±12V	2825 PF @ 13 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
SFR9220TM	1.0000	RFQ	3228	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	200 v	3.1A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	540 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
HUF76132S3S	0.9800	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	120W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²