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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	（ID） - 最大
RS1AFA	-	RFQ	4282	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123W				标准		SOD-123FA	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	50 V	1.3 V @ 800 mA	150 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V，1MHz
KSC1393YBU	0.0200	RFQ	879	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					250MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000					20db〜24dB																						30V	20mA											NPN		90 @ 2mA，10v	700MHz	2db〜3dB @ 200MHz
FQB4N80TM	1.0000	RFQ	1932年	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						800 v	3.9a（TC）	10V	3.6OHM @ 1.95a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	880 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），130W（tc）
TIP102TU	-	RFQ	3767	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示102			2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											100 v	8 a								50µA			npn-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
MPSW01	0.1200	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3					1 w	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,500																											30 V	1 a								-			NPN	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	50MHz
FDME0106NZT	0.1600	RFQ	21	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn				MOSFET （金属 o化物）		Microfet 1.6x1.6薄	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000			n通道						20 v	9a（9a）	1.8V，4.5V	18mohm @ 9a，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	865 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
HUFA76413D3ST	0.2800	RFQ	12	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						60 V	20A（TC）	4.5V，10V	49mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±16V	645 pf @ 25 V	-	60W（TC）
KSC5042TU	-	RFQ	3172	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSC5042				TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,000																																				10µA（ICBO）			NPN	5V @ 4mA，20mA	30 @ 10mA，5V	-
MM5Z51V	-	RFQ	7130	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C	表面安装						200兆		下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MM5Z51V-600039			1																						50 NA @ 35.7 V															51 v	180欧姆
BC549CBU	0.0200	RFQ	4528	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000																											30 V	100 ma								15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
FDMS7580	0.7400	RFQ	12	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	404			n通道						25 v	（15A）（29A）（29A）（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1190 pf @ 13 V	-	2.5W（27W），27W（TC）
FDS7766	0.9400	RFQ	11	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						30 V	17A（TA）	4.5V，10V	5mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	69 NC @ 5 V	±16V	4973 PF @ 15 V	-	1W（ta）
FQU20N06TU	0.4100	RFQ	22	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040			n通道						60 V	16.8A（TC）	10V	63mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
30A02MH-TL-H	-	RFQ	7539	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅					600兆	3-MCPH	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-30A02MH-TL-H-600039			1																											30 V	700 MA								100NA			PNP	220mv @ 10mA，200mA	200 @ 10mA，2V	520MHz
FDPF680N10T	0.6200	RFQ	54	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	481			n通道						100 v	12A（TC）	10V	68mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 50 V	-	24W（TC）
IRF9540	1.2500	RFQ	750	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF9540-600039			1			P通道						100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FJX597JHTF	0.0200	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323					100兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道													3.5pf @ 5V																	20 v	150 µA @ 5 V	600 mV @ 1 µA									1 MA
FCH47N60N	8.7500	RFQ	810	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	35			n通道						600 v	47A（TC）	10V	62MOHM @ 23.5A，10V	4V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±30V	6700 PF @ 100 V	-	368W（TC）
BC557B	0.0500	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,770																											45 v	100 ma								100NA			PNP	650mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	320MHz
FSB50250	4.4000	RFQ	3	Fairchild半导体	SPM®	大部分	过时的			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET						下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	450	3期					1 a	500 v	1500vrms
1N5242BTR	0.0200	RFQ	103	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																				1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V															12 v	30欧姆
IRL620a	0.3300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						200 v	5A（TC）	5V	800MOHM @ 2.5a，5V	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±20V	430 pf @ 25 V	-	39W（TC）
KSD1616YTA	-	RFQ	9482	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,831																											50 V	1 a								100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 50mA，1a	135 @ 100mA，2V	160MHz
FCH077N65F-F155	6.0400	RFQ	66	Fairchild半导体	FRFET®，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	66			n通道						650 v	54A（TC）	10V	77mohm @ 27a，10v	5V @ 5.4mA	164 NC @ 10 V	±20V	7109 PF @ 100 V	-	481W（TC）
GF1M	-	RFQ	2560	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		GF1		标准		SMA（do-214ac）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	1000 v	1.2 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 1 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
FGD3040G2-F085	1.0000	RFQ	5550	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FGD3040	逻辑		150 w	TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1				300V，6.5a，1KOHM，5V																						-	400 v	41 a	1.25V @ 4V，6A	-	21 NC	- /4.8µs
FDB8443	-	RFQ	8573	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						40 V	25A（25A），120A （TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	9310 PF @ 25 V	-	188W（TC）
FDMC7200	1.0000	RFQ	3898	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDMC72		MOSFET （金属 o化物）	700MW，1W	8-Power33（3x3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）								30V	7a，13a		22mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 10V		660pf @ 15V	逻辑级别门
2N7000BU	-	RFQ	9862	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道						60 V	200ma（tc）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	3V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	400MW（TA）
SSI4N60BTU	0.4400	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	3.13W（TA），100W（（（（（（（（（（

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²