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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FQP5N80	1.0000	RFQ	9416	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						800 v	4.8A（TC）	10V	2.6ohm @ 2.4a，10v	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1250 pf @ 25 V	-	140W（TC）
HUF76619D3ST	1.0000	RFQ	7026	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						100 v	18A（TC）	4.5V，10V	85mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±16V	767 PF @ 25 V	-	75W（TC）
KSB834Y	-	RFQ	8849	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					1.5 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	200																													60 V	3 a								100µA（ICBO）			PNP	1V @ 300mA，3a	100 @ 500mA，5V	9MHz
NDS335N	0.1800	RFQ	95	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道						20 v	1.7A（TA）	2.7V，4.5V	110MOHM @ 1.7A，4.5V	1V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	8V	240 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
FDN336P	0.1400	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	2,156			P通道						20 v	1.3a（ta）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.3A，4.5V	1.5V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±8V	330 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
FQI47P06TU	1.5300	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道						60 V	47A（TC）	10V	26mohm @ 23.5a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3600 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），160w（tc）
BAS16-D87Z	0.0600	RFQ	300	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					BAS16						下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BAS16-D87Z-600039			1
KSH122TM	-	RFQ	6734	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		KSH12			1.75 w		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	699																													100 v	8 a								10µA			npn-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	-
FDC855N	0.2400	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1,265			n通道						30 V	6.1a（ta）	4.5V，10V	27mohm @ 6.1a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	655 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
FGA30T65SHD	-	RFQ	5102	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FGA30T65	标准		238 w		to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1					400V，30a，6ohm，15V																		31.8 ns					沟渠场停止	650 v	60 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	（598µJ）（在167µJ off）上脱落）	54.7 NC	14.4NS/52.8NS
HUF76121S3S	0.7000	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						30 V	47A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BC858AMTF	0.0600	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					310 MW		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																													30 V	100 ma								15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
2N4400TA	0.0200	RFQ	7295	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000																													40 V	600 MA								-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，1V	-
HUFA76407DK8T	1.0000	RFQ	3298	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		HUFA76407		MOSFET （金属 o化物）	2.5W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）								60V	-		90MOHM @ 3.8A，10V	3V @ 250µA	11.2nc @ 10V		330pf @ 25V	逻辑级别门
FMG2G300US60	-	RFQ	5459	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	晚上7点					892 w	标准	晚上7点	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	10	半桥																											-	600 v	300 a		2.7V @ 15V，300A						250 µA	不
FQU6N40CTU	-	RFQ	6824	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040			n通道						400 v	4.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
HGTG40N60C3	-	RFQ	7264	Fairchild半导体	UFS	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		291 w		TO-247	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HGTG40N60C3-600039			1					480V，40a，3ohm，15V																							-	600 v	75 a	300 a	1.8V @ 15V，40a	850mj（在），1MJ（1MJ）上	395 NC	47NS/185NS
HUF75321S3ST	0.3400	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						55 v	35A（TC）	10V	34mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）
FSAM20SH60A	-	RFQ	7731	Fairchild半导体	MOTIONSPM®2	大部分	积极的		通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT	FSAM20						-	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3期					20 a	600 v	2500vrms
FDD6296	0.4300	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	697			n通道						30 V	（15a）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
TIP102TU	-	RFQ	3767	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示102			2 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													100 v	8 a								50µA			npn-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
FJY3003R	0.0200	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		表面安装	SC-89，SOT-490		FJY300			200兆		SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																													50 V	100 ma								100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
BD14016STU	-	RFQ	5478	Fairchild半导体	BD140	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					1.25 w		TO-126-3	-				2156-BD14016STU			1																													80 V	1.5 a								100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	-
fep16dt	0.5200	RFQ	236	Fairchild半导体	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3				标准			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	200 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
RFD16N05SM_NL	-	RFQ	2706	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	387			n通道						50 V	16A（TC）	10V	47mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	72W（TC）
FDMC8298	1.0000	RFQ	4977	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-	表面安装	死		FDMC82		-	-		死	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000	-								-	-		-	-	-		-	-
FFAF60A150DSTU	0.8500	RFQ	9	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）		TO-3P-3							to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	360				20 a																							-									标准-1对系列连接	600V			-
1N5396	0.0200	RFQ	2751	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向				标准			do-15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,195		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		500 v		1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
BDX54C	-	RFQ	5656	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					60 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																													100 v	8 a								500µA			pnp-达灵顿	2V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
KSD471ACGBU	0.0200	RFQ	790	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					800兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																													30 V	1 a								100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	130MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²