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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
KSC900LTA	0.0200	RFQ	8238	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,925																												25 v	50 mA						50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 2mA，20mA	350 @ 500µA，3V	100MHz
FCPF11N65	1.5900	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet™	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3完整包		FCPF11		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			n通道					650 v	11A（TC）		380MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V		1490 pf @ 25 V	-	36W（TC）
PN2907BU	0.0500	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		PN2907			625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	9,078																												40 V	800 MA						20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
BZX79C7V5	0.0200	RFQ	405	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																					1.5 V @ 100 ma		1 µA @ 5 V													7.5 v	15欧姆
FDMC8884-FS	-	RFQ	5564	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000			n通道					30 V	（9A）（15A）（15A）TC）		19mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	685 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），18W（tc）
HUF76129S3S	0.5900	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	56A（TC）	4.5V，10V	16ohm @ 56a，10v	3V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	105W（TC）
SFP9640L	0.7200	RFQ	760	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			P通道					200 v	11A（TC）	5V	500MOHM @ 5.5A，5V	2V @ 250µA	59 NC @ 5 V	±20V	1585 pf @ 25 V	-	98W（TC）
BC307BBU	-	RFQ	6045	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																												45 v	100 ma						15NA			PNP	500mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	130MHz
TIP31C	0.3700	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3					40 W	TO-220	-		供应商不确定	到达不受影响	2156-TIP31C-600039			873																												100 v	3 a						200µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
FFA05U120DNTU	2.4000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				标准		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	1200 v	5a	3.5 V @ 5 A	100 ns	5 µA @ 1200 V	-65°C〜150°C
1N4747A	0.0300	RFQ	168	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向					1 w	轴向	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779																							5 µA @ 15.2 V													20 v	22欧姆
KSA1201YTF	-	RFQ	8558	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					1 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	4,000																												120 v	800 MA						100NA（ICBO）			PNP	1V @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，5V	120MHz
FGA6540WDF	1.0000	RFQ	9494	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准		238 w	to-3pn	下载					Ear99	8541.29.0095	1				400V，40a，6ohm，15V																		101 ns					沟渠场停止	650 v	80 a	120 a	2.3V @ 15V，40a	1.37mj（在）上，250µJ降低）	55.5 NC	16.8NS/54.4NS
SI9424DY	0.4400	RFQ	2179	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	140			P通道					20 v	8a（8a）	2.5V，4.5V	24mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±10V	2260 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
MJD45H11TF	-	RFQ	2319	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MJD45			1.75 w	TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	266																												80 V	8 a						10µA			PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	40MHz
HUFA75333G3	0.9800	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					55 v	66A（TC）	10V	16mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FQP14N15	1.0000	RFQ	8339	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道					150 v	14.4A（TC）	10V	210MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±25V	715 PF @ 25 V	-	104W（TC）
FDB8443	-	RFQ	8573	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					40 V	25A（25A），120A （TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	9310 PF @ 25 V	-	188W（TC）
FSB50550T	10.5600	RFQ	410	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET	FSB505					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	29	3期				1.8 a	500 v	1500vrms
BC32725TA	-	RFQ	1604	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC32725			625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1																												45 v	800 MA						100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
SS35	1.0000	RFQ	7093	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC				肖特基		SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	50 V		750 mv @ 3 a		500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	-
FDZ451PZ	0.0500	RFQ	9	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP				MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（0.8x0.8）	下载					Ear99	8542.29.0095	1			P通道					20 v	2.6a（ta）	1.5V，4.5V	140MOHM @ 2A，4.5V	1.2V @ 250µA	8.8 NC @ 4.5 V	±8V	555 pf @ 10 V	-	400MW（TA）
FDI047AN08A0	2.4900	RFQ	787	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道					75 v	80A（TC）	6V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FDMA7628	0.3100	RFQ	90	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫				MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMA7628-600039			1			n通道					20 v	9.4A（TA）	1.5V，4.5V	14.5MOHM @ 9.4a，4.5V	1V @ 250µA	17.5 NC @ 4.5 V	±8V	1680 pf @ 10 V	-	1.9W（TA）
RFD16N05SM	0.6600	RFQ	7	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75			n通道					50 V	16A（TC）	10V	47mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	72W（TC）
FQPF32N12V2	1.4400	RFQ	83	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					120 v	32A（TC）	10V	50mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1860 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FDAF69N25	2.4400	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			n通道					250 v	34A（TC）	10V	41mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	4640 pf @ 25 V	-	115W（TC）
FDMA530PZ	-	RFQ	5634	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫				MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	418			P通道					30 V	6.8a（ta）	4.5V，10V	35mohm @ 6.8a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±25V	1070 pf @ 15 V	-	2.4W（TA）
NDP5060	0.5200	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	供应商不确定	2156P5060-600039			1
FQU2N90TU	0.4800	RFQ	332	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040			n通道					900 v	1.7A（TC）	10V	7.2OHM @ 850mA，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²