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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
ISL9N303AS3	2.7100	RFQ	12	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 15 V	-	215W（TC）
FMB857B	0.2400	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			700兆	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000																						45 v	500 MA	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	-
SFR9014TF	0.1900	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	5.3A（TC）	10V	500mohm @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（24W），24W tc）
BC848A	0.0800	RFQ	6	Fairchild半导体	SOT-23	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																						30 V	100 ma	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
FQA11N90	-	RFQ	9792	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30		n通道	900 v	11.4A（TC）	10V	960MOHM @ 5.7A，10V	5V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
2N3415	-	RFQ	8717	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																						25 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 3mA，50mA	180 @ 2mA，4.5V	-
1N4154TR	0.0200	RFQ	160	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													35 v		1 V @ 30 mA	4 ns	100 na @ 25 V	175°c （最大）	100mA	4pf @ 0v，1MHz
MBR20100CTTU	-	RFQ	2674	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3		肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	10a	800 mv @ 10 a		200 µA @ 100 V	150°C （最大）
MMBD1202	-	RFQ	6934	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD12	标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1 V @ 200 MA	4 ns	25 na @ 100 V	150°C （最大）	200mA	-
1N4150TR	0.0200	RFQ	6219	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	5	小信号= <200ma（io（io），任何速度													50 V		1 V @ 200 MA	6 ns	100 na @ 50 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
RURD620CCS9A-SB82215	0.8700	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RURD620CCS9A-SB82215-600039			1
BC557CTA	0.0500	RFQ	762	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC557		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1																								15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
MBRS340	-	RFQ	5928	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	DO-214AB，SMC		肖特基		SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		525 mv @ 3 a		2 ma @ 40 V	-65°C〜125°C	4a	-
KSB1151YSTSTU	0.2900	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSB11		1.3 w	TO-126-3	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1																						60 V	5 a	10µA（ICBO）			PNP	300mv @ 200mA，2a	160 @ 2a，1V	-
FDP8876	-	RFQ	1788年	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	70W（TC）
1N5820	-	RFQ	7293	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	1N58	肖特基		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v		850 MV @ 9.4 A		2 ma @ 20 V	-50°C〜150°C	3a	-
SFS9640	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道	200 v	6.2A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±30V	1585 pf @ 25 V	-	40W（TC）
FQPF44N08T	0.6700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF4	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道	80 V	25A（TC）	10V	34mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1430 pf @ 25 V	-	41W（TC）
FDBL0150N60	4.4900	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDBL0150N60	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	240a（TC）	10V	1.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	169 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 30 V	-	357W（TJ）
SB160	0.0900	RFQ	128	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		肖特基		do15/do204ac	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		700 mv @ 1 A		500 µA @ 60 V	-50°C〜150°C	1a	-
FFPF20U40STU	1.5000	RFQ	272	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.4 V @ 20 A	50 ns	50 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	20a	-
bav99wt1g	1.0000	RFQ	3243	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAV99	标准		SC-70-3（SOT323）	下载					Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对系列连接	100 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 µA @ 70 V	-65°C〜150°C
SB150	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		肖特基		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	25,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V		700 mv @ 1 A		500 µA @ 50 V	-60°C〜125°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
BZX79C5V6TR	0.0300	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																1.5 V @ 100 ma		1 µA @ 2 V							5.6 v	40欧姆
FJNS4206RTA	0.0200	RFQ	9676	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS42		300兆	TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,998																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
FDU6680A	0.8700	RFQ	8	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	（14A）（56A（ta）（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 14A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1425 PF @ 15 V	-	1.3W（TA），60W（TC）
1N459ATR	0.0300	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													200 v		1 V @ 100 ma		25 NA @ 175 V	175°c （最大）	500mA	6pf @ 0v，1MHz
FDS2170N3	2.0700	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	3A（3A）	10V	128mohm @ 3a，10v	4.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1292 PF @ 100 V	-	（3W）（TA）
HUF76129S3ST	-	RFQ	9570	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	641		n通道	30 V	56A（TC）	4.5V，10V	16ohm @ 56a，10v	3V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	105W（TC）
FQP19N20L	-	RFQ	3815	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	21a（TC）	5V，10V	140mohm @ 10.5a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	140W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²