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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MJD117TF-FS	-	RFQ	6953	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					1.75 w	D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1																										100 v	2 a								20µA			pnp-达灵顿	3V @ 40mA，4a	1000 @ 2a，3v	25MHz
MMBT5401-FS	0.0300	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	10,000																										150 v	600 MA								50NA（iCBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
S3D	-	RFQ	3173	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		S3D		标准		SMC（do-214ab）	下载				Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																200 v	1.15 V @ 3 A	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
SI4936DY	0.9700	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		SI4936		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）							30V	5.8A（ta）		37MOHM @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		460pf @ 15V	-
FQPF8NN60CYDTU	1.0500	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50			n通道					600 v	7.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.75A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1255 pf @ 25 V	-	48W（TC）
2SA1708T-AN-FS	0.2000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71		2SA1708			1 w	3-nmp	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																																			100NA（ICBO）				600mv @ 40mA，400mA	200 @ 100mA，10v	120MHz
FJY4003R	0.0200	RFQ	7822	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY400			200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	100 ma								100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
FSB50325S	4.0400	RFQ	2	Fairchild半导体	SPM®	大部分	过时的			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET						下载	rohs3符合条件			Ear99	8542.39.0001	450	3期				1.5 a	250 v	1500vrms
tip31atu	0.2400	RFQ	3	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000																										60 V	3 a								300µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
SSP1N60B	0.1500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					600 v	1A（TC）	10V	12ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	215 pf @ 25 V	-	34W（TC）
PN100TF	0.0500	RFQ	177	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	6,662
HUFA76419D3S	1.0000	RFQ	6133	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	75			n通道					60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FDMB506P	0.6600	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）		8-MLP，微型FOFET （3x1.9）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					20 v	6.8a（ta）	1.8V，4.5V	30mohm @ 6.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V	2960 pf @ 10 V	-	1.9W（TA）
FQD17N08LTM	-	RFQ	5387	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					80 V	12.9a（TC）	5V，10V	100mohm @ 6.45a，10V	2V @ 250µA	11.5 NC @ 5 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
FLZ12VB	0.0200	RFQ	1854年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	10,000																			1.2 V @ 200 ma		133 na @ 9 V															11.7 v	9.5欧姆
DFB2010	1.3600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P				标准		TS-6P	下载				Ear99	8541.10.0080	240																			1.1 V @ 20 A		10 µA @ 50 V		20 a										单相	100 v
FDD6030BL	1.1300	RFQ	71	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	10a（10A），42A（tc（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1143 PF @ 15 V	-	1.6W（ta），50W（TC）
BC557CTA	0.0500	RFQ	762	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC557			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1																																			15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
KSC5021RTU	-	RFQ	5843	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSC5021			50 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																										500 v	5 a								10µA（ICBO）			NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	18MHz
MPS751	0.1400	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载				Ear99	8542.39.0001	2,319																										60 V	2 a								100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
FDMW2512NZ	0.2400	RFQ	65	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WFDFN暴露垫		FDMW2512		MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	6-MLP（2x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水							20V	7.2A（ta）		26mohm @ 7.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	13nc @ 10V		740pf @ 15V	-
FLZ20VB	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	15,000																			1.2 V @ 200 ma		133 na @ 15 V															19.1 v	23.5欧姆
1n971btr	0.0200	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	5,000																					5 µA @ 20.6 V															27 V	41欧姆
ISL9V3036D3S	1.2300	RFQ	3	Fairchild半导体	Ecospark®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			逻辑		150 w	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,800				300V，1KOHM，5V																					-	360 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
1N5352BRLG	-	RFQ	2884	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	T-18，轴向					5 w	轴向	下载				Ear99	8541.10.0050	1																			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V															15 v	2.5欧姆
BC309CBU	0.0200	RFQ	80	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	1,000																										25 v	100 ma								15NA			PNP	500mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	130MHz
MMBD1202	-	RFQ	6934	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBD12		标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																100 v	1 V @ 200 MA	4 ns	25 na @ 100 V	150°C （最大）	200mA	-
SGH15N120RUFDTU	3.1200	RFQ	626	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		SGH15	标准		180 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1				600V，15a，20欧姆，15V																100 ns					-	1200 v	24 a	45 a	3V @ 15V，15a		108 NC	20N/60N
SFU9230BTU	0.3400	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			P通道					200 v	5.4A（TC）	10V	800MOHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
FCP130N60	2.8900	RFQ	127	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	127			n通道					600 v	28a（TC）	10V	130mohm @ 14a，10v	3.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3590 pf @ 380 V	-	278W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²