RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRFS630a	0.4400	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				200 v	6.5A（TC）	10V	400MOHM @ 3.25A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	650 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IRL540A	0.7000	RFQ	3	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	28a（TC）	5V	58mohm @ 14a，5v	2V @ 250µA	54 NC @ 5 V	±20V	1580 pf @ 25 V	-	121W（TC）
FQB13N50CTM	-	RFQ	3104	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道				500 v	13A（TC）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
FQI12N60CTU	1.0900	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				600 v	12A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2290 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），225W（tc）
RHRG1560CC-F085	-	RFQ	2886	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3			标准		TO-247-3	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	600 v	15a	2.3 V @ 15 A	55 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
HUF76432S3STR4908	0.9300	RFQ	7476	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	100
FDP120AN15A0	0.9000	RFQ	9	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道				150 v	2.8A（TA），14a （TC）	6V，10V	120MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	65W（TC）
BZX85C6V2-T50A	0.0400	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.45％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	-		供应商不确定	到达受影响	2156-BZX85C6V2-T50A-600039			1																				1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 3 V							6.2 v	4欧姆
2N5210BU	-	RFQ	6560	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		2N5210		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																										50 V	100 ma	50NA			NPN	700mv @ 1mA，10mA	200 @ 100µA，5V	30MHz
FDP16AN08A0	0.9100	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	357			n通道				75 v	（9A）（ta），58a tc（TC）	6V，10V	16mohm @ 58a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1857 PF @ 25 V	-	135W（TC）
EGP30K	0.2800	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向			标准		Do-201 AD	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																800 v		1.7 V @ 3 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	3a	75pf @ 4V，1MHz
BC548C	0.0400	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,000																										30 V	100 ma	15NA			NPN	250mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
FDMS7558	-	RFQ	6319	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				25 v	32A（ta），49a（tc）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 32A，10V	3V @ 1mA	119 NC @ 10 V	±20V	7770 pf @ 13 V	-	2.5W（ta），89W（89W）TC）
SFW9520TM	0.3000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道				100 v	6A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），49W（tc）
1N5257B	-	RFQ	7381	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	do-35	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-1N5257B-600039			1																				1.2 V @ 200 ma		100 na @ 25 V							33 V	58欧姆
FDBL0150N60	4.4900	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDBL0150N60	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				60 V	240a（TC）	10V	1.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	169 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 30 V	-	357W（TJ）
FSB50450	5.8000	RFQ	179	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET	FSB504				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3期			1.5 a	500 v	1500vrms
BC850C	-	RFQ	9989	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																										45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
HUFA76419D3ST	0.5300	RFQ	713	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		HUFA76419	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	713			n通道				60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FDMS9408-F085	-	RFQ	9562	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS94	MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				40 V	80A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	214W（TJ）
FDP2614	-	RFQ	2460	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDP2614	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				200 v	62A（TC）	10V	27mohm @ 31a，10v	5V @ 250µA	99 NC @ 10 V	±30V	7230 PF @ 25 V	-	260W（TC）
FDSS2407S_B82086	0.7000	RFQ	783	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDSS24	MOSFET （金属 o化物）	2.27W（TA）	8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）						62V	3.3a（ta）		110MOHM @ 3.3a，10V	3V @ 250µA	4.3nc @ 5V		300pf @ 15V	逻辑级别门
PN222222ATA	1.0000	RFQ	6789	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	-						0000.00.0000	1																										40 V	1 a	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
FJY3004R	0.0300	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY300		200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																										50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
MM5Z8V2	0.0200	RFQ	249	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523		MM5Z8		200兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																						700 na @ 5 V							8.2 v	15欧姆
RFD4N06LSM9A	0.5600	RFQ	67	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				60 V	4A（TC）	5V	600MOHM @ 1A，5V	2.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±10V		-	30W（TC）
FDP2670	1.5900	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道				200 v	（19a ta）	10V	130mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1320 PF @ 100 V	-	93W（TC）
BAW76	1.0000	RFQ	7262	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BAW76	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																75 v		1 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	175°c （最大）	300mA	2pf @ 0v，1MHz
ZTX614	-	RFQ	3011	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w	TO-226	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	378																										100 v	800 MA	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.25V @ 8mA，800mA	10000 @ 500mA，5V	-
1MD2	0.0200	RFQ	50	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	10,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²