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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FFPF06U20DPTU	0.2000	RFQ	21	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包			标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对公共阳极	200 v	6a	1.2 V @ 6 A	35 ns	6 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FJX4008RTF	0.0500	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323		FJX400		200兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
1N4738ATR	0.0300	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																						10 µA @ 6 V							8.2 v	4.5欧姆
BC32716TA	0.0300	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																										45 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
HUF75329S3	0.3300	RFQ	1516年	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道				55 v	49A（TC）	10V	24mohm @ 49a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
MBR3045STG	0.8600	RFQ	1	Fairchild半导体	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		MBR3045	肖特基		TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	45 v	15a	620 MV @ 15 A		200 µA @ 45 V	-65°C〜175°C
EGF1B	0.2500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA			标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,205		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																100 v		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
FDS6984AS	0.4200	RFQ	15	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS69	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）						30V	5.5a，8.5a		31MOHM @ 5.5A，10V	3V @ 250µA	11NC @ 10V		420pf @ 15V	逻辑级别门
HUFA76419D3ST	0.5300	RFQ	713	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		HUFA76419	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	713			n通道				60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
2SA1699E-PM-AA	0.5300	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-2SA1699E-PM-AA-600039			1
MMBZ5239B	0.0200	RFQ	379	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 7 V							9.1 v	10欧姆
FJP5027RTU	-	RFQ	2330	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FJP5027RTU-600039			1																												10µA（ICBO）			NPN	2V @ 300mA，1.5a	10 @ 200ma，5v	15MHz
FQA70N15	-	RFQ	3024	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道				150 v	70A（TC）	10V	28mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	±25V	5400 PF @ 25 V	-	330W（TC）
FJP555555TU	0.4600	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				75 w	TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	701																										400 v	5 a	-			NPN	1.5V @ 1A，3.5A	20 @ 800mA，3V	-
IRFW740BTM	0.3700	RFQ	70	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				400 v	10A（TC）	10V	540MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），134W（TC）
MM3Z11VB	0.0300	RFQ	429	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																				1 V @ 10 mA		900 na @ 8 V							11 V	18欧姆
FDMW2512NZ	0.2400	RFQ	65	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WFDFN暴露垫		FDMW2512	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	6-MLP（2x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水						20V	7.2A（ta）		26mohm @ 7.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	13nc @ 10V		740pf @ 15V	-
FJPF3305TU	0.3000	RFQ	34	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				30 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																										400 v	4 a	1µA（ICBO）			NPN	1V @ 1A，4A	19 @ 1a，5v	4MHz
FFPF12UP20DNTU	0.3700	RFQ	6	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包			标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	200 v	6a	1.15 V @ 6 A	12 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FQI50N06LTU	1.3100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道				60 V	52.4a（TC）	5V，10V	21mohm @ 26.2a，10v	2.5V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±20V	1630 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），121W（tc）
FSV330AF	0.1200	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ad，Smaf			肖特基		DO-214AD（SMAF）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																30 V		500 mv @ 3 a	12.5 ns	100 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	3a	485pf @ 0v，1MHz
1N4448	0.0300	RFQ	115	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		do-35	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539		小信号= <200ma（io（io），任何速度																100 v		1 V @ 100 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
BC546BTA	-	RFQ	4256	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				500兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1																										65 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
BZX85C18-T50A-FS	0.0300	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.39％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	do-41	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 12.5 V							18 V	20欧姆
FSBF3CH60B	10.6700	RFQ	108	Fairchild半导体	Motion-SPM®	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT					下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	10	3期			3 a	600 v	2500vrms
1N4447TR	0.0200	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	15,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																100 v					175°c （最大）	-	-
FQPF20N06	0.5900	RFQ	5013	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FQPF20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载					Ear99	8542.39.0001	175			n通道				60 V	15A（TC）	10V	60mohm @ 7.5a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	30W（TC）
RF1S70N06SM	2.2500	RFQ	6	Fairchild半导体	PSPICE®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				60 V	70A（TC）	10V	14mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	215 NC @ 20 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FQI47P06TU	1.5300	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道				60 V	47A（TC）	10V	26mohm @ 23.5a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3600 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），160w（tc）
HUF76439S3S	-	RFQ	8222	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道				60 V	75A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±16V	2745 PF @ 25 V	-	180W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²