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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
RS1AFA	-	RFQ	4282	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123W		标准		SOD-123FA	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V	1.3 V @ 800 mA	150 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V，1MHz
TIP30C	0.1700	RFQ	4759	Fairchild半导体	TIP30C	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					100 v	1 a	300µA			PNP	700mv @ 125mA，1a	40 @ 200ma，4V	3MHz
FDC697P	0.7200	RFQ	69	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SSOT平高，Supersot™-6 FLMP		MOSFET （金属 o化物）		supersot™-6 flmp	下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-FDC697P-600039			1		P通道		20 v	8a（8a）	1.8V，4.5V	20mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±8V	3524 pf @ 10 V	-	2W（TA）
FLZ39VC	1.0000	RFQ	3777	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500															1.2 V @ 200 ma		133 na @ 30 V							36.9 v	72欧姆
1N4737A-T50A	0.0500	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-				2156-1N4737A-T50A			6,231																	10 µA @ 5 V							7.5 v	4欧姆
RHRD460S9A	0.4700	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		雪崩		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2.1 V @ 4 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	4a	-
ISL9R860PF2	-	RFQ	2419	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载					Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2.4 V @ 8 A	30 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	-
FDI8442	1.5300	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道		40 V	23A（23A），80a tc（TC）	10V	2.9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	235 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 25 V	-	254W（TC）
FDPF7N50F	0.7100	RFQ	2	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	6A（TC）	10V	1.15OHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	960 pf @ 25 V	-	38.5W（TC）
1N6002B	2.0000	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163															1.2 V @ 200 ma		100 NA @ 9.1 V							12 v	22欧姆
KSH29CTF	-	RFQ	2532	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH29		1.56 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000																					100 v	1 a	50µA			NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
BZX79C2V4	0.0300	RFQ	379	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539															1.5 V @ 100 ma		100 µA @ 1 V							2.4 v	100欧姆
FDME0106NZT	0.1600	RFQ	21	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn		MOSFET （金属 o化物）		Microfet 1.6x1.6薄	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000		n通道		20 v	9a（9a）	1.8V，4.5V	18mohm @ 9a，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	865 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
FDD8444L	1.1200	RFQ	337	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	16a（16A），50A（tc）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 50a，10V	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±20V	5530 pf @ 25 V	-	153W（TC）
FDMC0310AS	1.0000	RFQ	5497	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	（19a）（21a （TC）（TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 19a，10v	3V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	3165 PF @ 15 V	-	2.4W（TA），36W（tc）
FQU8P10TU	0.4000	RFQ	16	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	745		P通道		100 v	6.6A（TC）	10V	530mohm @ 3.3a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	470 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
mpsh11	0.0500	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			350MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000			-																		25V	50mA				NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz	-
BC183LC	1.0000	RFQ	1099	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			350兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																					30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
MM5Z51V	-	RFQ	7130	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C	表面安装				200兆		下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MM5Z51V-600039			1																	50 NA @ 35.7 V							51 v	180欧姆
NDS335N	0.1800	RFQ	95	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	1.7A（TA）	2.7V，4.5V	110MOHM @ 1.7A，4.5V	1V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	8V	240 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
flz9v1c	1.0000	RFQ	7960	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	27,500															1.2 V @ 200 ma		300 na @ 6 V							9.1 v	6.6欧姆
FJX945GTF	0.0500	RFQ	88	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																					50 V	150 ma	100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	300MHz
FQP17N08	0.3100	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	16.5A（TC）	10V	115MOHM @ 8.25a，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	65W（TC）
KSA928AYTA	0.1400	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）			1 w	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	2,153																					30 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	2V @ 30mA，1.5a	160 @ 500mA，2V	120MHz
1N4151TR	0.0200	RFQ	158	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	30,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													75 v	1 V @ 50 mA	4 ns	50 na @ 50 V	175°c （最大）	150mA	2pf @ 0v，1MHz
MM3Z3V6C	0.0300	RFQ	128	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539															1 V @ 10 mA		4.5 µA @ 1 V							3.6 v	84欧姆
mje171stu	-	RFQ	3594	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			1.5 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	60																					60 V	3 a	100NA（ICBO）			PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
FDS3612	0.6600	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	3.4a（ta）	6V，10V	120MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	632 PF @ 50 V	-	2.5W（TA）
2N5400RA	0.0400	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																					120 v	600 MA	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	40 @ 10mA，5v	400MHz
KSC1393OTA	1.0000	RFQ	1984	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			250MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000			20db〜24dB																		30V	20mA				NPN		60 @ 2mA，10v	700MHz	2db〜3dB @ 200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²