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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDS6890A	-	RFQ	7131	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS6890		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							20V	7.5a		18mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	32nc @ 4.5V		2130pf @ 10V	逻辑级别门
FQB5N60CTM	0.6000	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FQB5		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263ab）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	800			n通道					600 v	4.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），100W（（（（（（（（（（
NDP6030PL	1.0000	RFQ	7658	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			P通道					30 V	30A（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 19a，10v	2V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1570 pf @ 15 V	-	75W（TC）
1N6015B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 33 V															43 V	150欧姆
FDMS7570S	0.5400	RFQ	17	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	558			n通道					25 v	28a（28a），49a （TC）	4.5V，10V	1.95MOHM @ 28A，10V	3V @ 1mA	69 NC @ 10 V	±20V	4515 PF @ 13 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
KSD526YTU	1.0000	RFQ	7595	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					30 W	TO-220-3	下载						0000.00.0000	1																										80 V	4 a								30µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 300mA，3a	120 @ 500mA，5V	8MHz
GBPC15005W	2.6200	RFQ	500	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		GBPC15005		标准		GBPC-W	下载					Ear99	8541.10.0080	125																			1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 50 V		15 a										单相	50 V
SFW9510TM	0.3400	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道					100 v	3.6A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	335 pf @ 25 V	-	3.8W（32W）（32W（tc）
FQB6N40CFTM	-	RFQ	5098	Fairchild半导体	FRFET™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	18			n通道					400 v	6A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	113W（TC）
1N5282	1.0000	RFQ	3457	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																80 V	900 mv @ 100 ma	4 ns	100 na @ 55 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
1N5231BTR	-	RFQ	1610	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V															5.1 v	17欧姆
BZX79C3V6-T50A	0.0200	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	15,000																			1.5 V @ 100 ma		15 µA @ 1 V															3.6 v	90欧姆
FQP3N50CTF	0.3700	RFQ	1431	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						fqp3n		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				724																-
2N3906TA	1.0000	RFQ	3314	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																										40 V	200 ma								-			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
MPS6518	-	RFQ	6828	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,365																										40 V	200 ma								500NA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	150 @ 2mA，10v	-
FSAM10SH60A-FS	58.6700	RFQ	406	Fairchild半导体	motionspm®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器				10 a	600 v	2500vrms
SFU9014TU	0.2600	RFQ	6	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-SFU9014TU-600039			1
FDD8586	0.3300	RFQ	83	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					20 v	35A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2480 pf @ 10 V	-	77W（TC）
MJD31CTF-FS	1.0000	RFQ	5695	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MJD31			1.56 w	TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000																										100 v	3 a								50µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
kse800stu	0.4400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					40 W	TO-126-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-KSE800STU-600039			747																										60 V	4 a								100µA			npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
FDS6984S	1.3800	RFQ	115	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS69		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）							30V	5.5a，8.5a		19mohm @ 8.5a，10v	3V @ 250µA	12nc @ 5V		1233pf @ 15V	逻辑级别门
FMBS549	0.0400	RFQ	6326	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6					700兆	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5																										30 V	1 a								100NA（ICBO）			PNP	750mv @ 200mA，2a	100 @ 500mA，2V	100MHz
FDP023N08B	2.1300	RFQ	21	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDP023		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1																-
FDSS2407	0.7200	RFQ	565	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDSS24		MOSFET （金属 o化物）	2.27W	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							62V	3.3a		110MOHM @ 3.3a，10V	3V @ 250µA	4.3nc @ 5V		300pf @ 15V	逻辑级别门
FDD1600N10ALZD	-	RFQ	8629	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD				MOSFET （金属 o化物）		TO-252-4	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					100 v	6.8A（TC）	5V，10V	160MOHM @ 3.4a，10V	2.8V @ 250µA	3.61 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 50 V	-	14.9W（TC）
BC33740TA	1.0000	RFQ	1559年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																										45 v	800 MA								100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
FGD2N40L	0.2600	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			逻辑		29 W	TO-252，（-d-pak）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	2,500				300V，2.5a，51Ohm，4V																					-	400 v	7 a	29 a	1.6V @ 2.4V，2.5a	-	11 NC	47NS/650NS
MPSA20	0.0400	RFQ	97	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,000																										40 V	100 ma								100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 5mA，10v	125MHz
BCV71	0.0300	RFQ	26	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0075	8,663																										60 V	500 MA								100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 500µA，10mA	110 @ 2mA，5V	-
SFP9644	0.7100	RFQ	3327	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	322			P通道					250 v	8.6A（TC）	10V	800MOHM @ 4.3A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1565 PF @ 25 V	-	123W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²