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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N4752ATR	0.0300	RFQ	9158	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Ear99	8541.10.0050	8,208																				5 µA @ 25.1 V															33 V	45欧姆
1N5260B	2.0500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Ear99	8541.10.0050	159																		1.5 V @ 200 ma		100 na @ 33 V															43 V	93欧姆
FDA38N30	-	RFQ	4934	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载		0000.00.0000	1			n通道		300 v	38A（TC）	10V	85mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	312W（TC）
FDC6320C	0.2200	RFQ	275	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6320		MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载	Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道				25V	220mA，120mA		4ohm @ 400mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.4NC @ 4.5V		9.5pf @ 10V	逻辑级别门
FDPF18N20FT	-	RFQ	1903年	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		0000.00.0000	1			n通道		200 v	18A（TC）	10V	140MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	41W（TC）
gbu8g	-	RFQ	2664	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Esip，Gbu			标准		gbu	下载	Ear99	8541.10.0080	146																		1 V @ 8 A		5 µA @ 400 V		5.6 a										单相	400 v
FDA16N50LDTU	1.5800	RFQ	26	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3（（SC-65-3））			MOSFET （金属 o化物）		to-3pn（l形成）	下载	Ear99	8542.39.0001	190			n通道		500 v	16.5A（TC）	10V	380MOHM @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1945 pf @ 25 V	-	205W（TC）
FGA40T65SHDF	1.0000	RFQ	8593	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		268 w	to-3pn	下载	Ear99	8542.39.0001	1				400V，40a，6ohm，15V															101 ns					沟渠场停止	650 v	80 a	120 a	1.81V @ 15V，40a	1.22MJ（在）上，440µJ off）	68 NC	18NS/64NS
DFB2020	1.3600	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P			标准		TS-6P	下载	Ear99	8541.10.0080	240																		1.1 V @ 20 A		10 µA @ 200 V		20 a										单相	200 v
FDD8882	0.5100	RFQ	11	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Ear99	8542.39.0001	588			n通道		30 V	12.6A（ta），55A（tc）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1260 pf @ 15 V	-	55W（TC）
MM3Z33VC	0.0300	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载	Ear99	8541.10.0050	8,663																		1 V @ 10 mA		45 na @ 23 V															33 V	75欧姆
FDMS3604AS	1.3100	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3604		MOSFET （金属 o化物）	1W	8-pqfn（5x6）	下载	Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				30V	13a，23a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1695pf @ 15V	逻辑级别门
MMBD2838	-	RFQ	6233	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			标准		SOT-23-3	下载	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对普通阴极	75 v	200mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜150°C
MDB6S	-	RFQ	3110	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载	Ear99	8541.10.0080	1
BS170	-	RFQ	9226	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			MOSFET （金属 o化物）		到92	下载		0000.00.0000	1			n通道		60 V	300mA（TA）		5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA			60 pf @ 10 V	-
1N5245B	0.0300	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	do-35	下载	Ear99	8541.10.0050	11,539																				100 na @ 11 V															15 v	16欧姆
FDMS86152	2.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	Ear99	8542.39.0001	114			n通道		100 v	（14A）（TA），45A （TC）	6V，10V	6mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3370 pf @ 50 V	-	2.7W（ta），125W（tc）
GBPC1210	1.0000	RFQ	8187	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC			标准		GBPC	下载	Ear99	8541.10.0080	1																		1.1 V @ 6 A		5 µA @ 1 V		12 a										单相	1 kV
MM3Z10VC	0.0300	RFQ	57	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载	Ear99	8541.10.0050	11,539																		1 V @ 10 mA		180 na @ 7 V															10 v	18欧姆
2SD1802T-E	0.3200	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				1 w	TP	下载	Ear99	8541.29.0075	1																									50 V	5 a								1µA（ICBO）			NPN	0.5V @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	150MHz
1N5249BTR	0.0200	RFQ	138	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Ear99	8541.10.0050	1																		1.2 V @ 200 ma		100 na @ 14 V															19 v	23欧姆
FQPF6N80T	1.1600	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		800 v	3.3A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.65A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	51W（TC）
BZX79C18-T50A	0.0300	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Ear99	8541.10.0050	11,539																		1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 12.6 V															18 V	45欧姆
FCH25N60N	3.7500	RFQ	7	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Ear99	8542.39.0001	80			n通道		600 v	25A（TC）	10V	126mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
DF005S1	0.2100	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼			标准		4-SDIP	下载	Ear99	8541.10.0080	1																		1.1 V @ 1 A		3 µA @ 50 V		1 a										单相	50 V
MM3Z8V2C	0.0300	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载	Ear99	8541.10.0050	8,586																		1 V @ 10 mA		630 na @ 5 V															8.2 v	14欧姆
FDMS7608	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS7608		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载	Ear99	8542.39.0001	589	2 n 通道（双）				30V	12a，15a		10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	24NC @ 10V		1510pf @ 15V	逻辑级别门
FQP20N06L	-	RFQ	2169	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-		0000.00.0000	1			n通道		60 V	21a（TC）	5V，10V	55mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	53W（TC）
FDS6612A	0.3300	RFQ	144	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Ear99	8542.39.0001	917			n通道		30 V	8.4a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 8.4a，10v	3V @ 250µA	7.6 NC @ 5 V	±20V	560 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
NSR01F30NXT5G	0.0700	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	0201（0603公制）			肖特基		2-DSN（0.60x0.30）	下载	Ear99	8542.39.0001	4,157		小信号= <200ma（io（io），任何速度														30 V		500 mv @ 100 ma		50 µA @ 30 V	125°c （最大）	100mA	7pf @ 5V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²