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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HUF755423	1.7400	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	173			n通道				80 V	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 20 V	±20V	2750 pf @ 25 V	-	230W（TC）
FDMA710PZ	-	RFQ	8028	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.29.0095	1			P通道				20 v	7.8A（ta）	1.8V，5V	24mohm @ 7.8a，5v	1.5V @ 250µA	42 NC @ 5 V	±8V	2015 PF @ 10 V	-	900MW（TA）
BC557ABU	-	RFQ	6850	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																										45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
NDB4060	0.5500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道				60 V	15A（TC）	10V	100mohm @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	50W（TC）
fyp2006dntu	0.7300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3		FYP2006	肖特基		TO-220-3	下载					Ear99	8541.10.0080	412		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	60 V	20a	710 MV @ 20 A		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
FFPF15UP20STTU	0.4400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包			标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																200 v		1.15 V @ 15 A	45 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	15a	-
MBR2060CT	-	RFQ	9805	Fairchild半导体	SwitchMode™	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3		MBR2060	肖特基		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	60 V	-	850 mv @ 10 A		1 mA @ 60 V	-65°C〜175°C
FQPF6N50C	0.6600	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FQPF6N	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1															-
1N4151	0.8100	RFQ	13	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	369		小信号= <200ma（io（io），任何速度																75 v		1 V @ 50 mA	4 ns	50 na @ 50 V	175°c （最大）	150mA	2pf @ 0v，1MHz
FQP9N08	0.2700	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道				80 V	9.3A（TC）	10V	210MOHM @ 4.65a，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±25V	250 pf @ 25 V	-	40W（TC）
KSP45BU	0.0400	RFQ	183	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,000																										350 v	300 MA	500NA			NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	-
FFP06U40DNTU	0.3600	RFQ	6200	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3			标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	617		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	400 v	6a	1.4 V @ 6 A	50 ns	20 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
HUF76121S3ST	0.4600	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				30 V	47A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HUF75639S3ST	1.2800	RFQ	800	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8541.29.0095	235			n通道				100 v	56A（TC）	10V	25mohm @ 56a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
MMBZ5256B	-	RFQ	9886	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma		100 na @ 23 V							30 V	49欧姆
KSC1008GBU	0.0200	RFQ	3480	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				800兆	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	11,270																										60 V	700 MA	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 50mA，500mA	200 @ 50mA，2V	50MHz
1N5407	-	RFQ	4168	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向			标准		轴向	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																800 v		1 V @ 3 A		10 µA @ 800 V	-65°C〜170°C	3a	-
HGT1S14N41G3VLT	1.9100	RFQ	800	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HGT1S14N41G3VLT-600039			1
1N5992B	1.8400	RFQ	29	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																				1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V							4.7 v	70欧姆
提示112	-	RFQ	4968	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-TIP112-600039	Ear99	8541.29.0095	1																										100 v	2 a	2mA			npn-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
FSB70325	5.0900	RFQ	10	Fairchild半导体	MOTIONSPM®7	大部分	积极的			表面安装	27-Powerlqfn模块	MOSFET					下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期			4.1 a	250 v	1500vrms
FQB45N15V2TM	-	RFQ	6616	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	166			n通道				150 v	45A（TC）	10V	40mohm @ 22.5a，10v	4V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±30V	3030 PF @ 25 V	-	-
1N977B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																						5 µA @ 35.8 V							47 V	105欧姆
FSBB15CH60C	1.0000	RFQ	8353	Fairchild半导体	motionspm®3	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT					下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期			15 a	600 v	2500vrms
BZX79C3V0	0.0200	RFQ	111	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX79C3		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																				1.5 V @ 100 ma		50 µA @ 1 V							3 V	95欧姆
fep16cta	0.6100	RFQ	130	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3			标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对公共阳极	150 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
KSC2310YBU	0.0500	RFQ	118	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	500																										150 v	50 mA	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 10mA，5V	100MHz
MMBT2222	0.0200	RFQ	66	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT2222		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																										30 V	600 MA	10µA（ICBO）			NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
FDS2070N3	1.9800	RFQ	13	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				150 v	4.1a（ta）	6V，10V	78MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1884 PF @ 75 V	-	（3W）（TA）
MM3Z6V8C	0.0300	RFQ	126	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	8,663																				1 V @ 10 mA		1.8 µA @ 4 V							6.8 v	14欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²