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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BZX84C16	-	RFQ	5966	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84			250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																												900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.2 V															16 V	40欧姆
FJN3304RBU	0.0200	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		FJN330			300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																																			50 V	100 ma								100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
FNF50560TD1	7.1200	RFQ	312	Fairchild半导体	MOTIONSPM®55	大部分	过时的			通过洞	20-PowerDip 模块（1.220英寸，31.00mm）	IGBT						下载	不适用				Ear99	8542.39.0001	78	3期					5 a	600 v	1500vrms
FDC8886	0.2000	RFQ	184	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1,500			n通道						30 V	6.5a（6），8a tc（8a tc）	4.5V，10V	23mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	465 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
PN2907ATAR	1.0000	RFQ	4109	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																																			60 V	800 MA								20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
MJD350TF	-	RFQ	9699	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					1.56 w	DPAK-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MJD350TF-600039			1																																			300 v	500 MA								100µA			PNP	1V @ 10mA，100mA	30 @ 50mA，10v	10MHz
GF1M	-	RFQ	2560	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		GF1		标准		SMA（do-214ac）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1000 v		1.2 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 1 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
FQP10N20L	1.0000	RFQ	9277	Fairchild半导体	QFET™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						200 v	10A（TC）	5V，10V	360MOHM @ 5A，10V	2V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±20V	830 pf @ 25 V	-	87W（TC）
FQD8N25TF	0.4600	RFQ	33	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						250 v	6.2A（TC）	10V	550MOHM @ 3.1A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	530 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
DFB2580	1.8400	RFQ	180	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P				标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	180																												1.1 V @ 25 A		10 µA @ 800 V		25 a										单相	800 v
FGA6065ADF	-	RFQ	6417	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准		306 w	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1					400V，60a，6ohm，15V																								110 ns					沟渠场停止	650 v	120 a	180 a	2.3V @ 15V，60a	2.46mj（在）上，520µJ off）	84 NC	25.6NS/71NS
FKPF8N80	0.7000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3完整包						TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	50	单身的			50 mA															标准	800 v	8 a	1.5 v	80a，88a	30 ma
flz5v6a	-	RFQ	9665	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																												1.2 V @ 200 ma		750 na @ 2.5 V															5.4 v	10.5欧姆
KSD471ACGBU	0.0200	RFQ	790	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																																			30 V	1 a								100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	130MHz
MM3Z43VB	0.0300	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F					200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																												1 V @ 10 mA		45 NA @ 30.1 V															43 V	141欧姆
FFPF04U40DPTU	0.2400	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包				标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对公共阳极	400 v	4a	1.4 V @ 4 A	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
FDW2601NZ	0.4000	RFQ	3463	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		FDW26		MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	26	2 n 通道（双）公共排水								30V	8.2a		15mohm @ 8.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	30nc @ 4.5V		1840pf @ 15V	逻辑级别门
KSC2316OTA	1.0000	RFQ	9768	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）					900兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																																			120 v	800 MA								100NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
FQB6N90TM	1.0000	RFQ	1315	Fairchild半导体	QFET™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						900 v	5.8A（TC）	10V	1.9OHM @ 2.9a，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1880 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），167W（tc）
FDD6782A	0.3900	RFQ	82	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						25 v	20A（TA）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 14.9A，10V	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1065 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），31W（tc）
1N5235BTA	0.0600	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																												1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 4.8 V															6.8 v	5欧姆
5HP01M-TL-E-FS	0.1000	RFQ	45	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
MMBZ5232B	0.0200	RFQ	8809	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0050	14,852																												900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3 V															5.6 v	11欧姆
FQB13N50CTM	-	RFQ	3104	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道						500 v	13A（TC）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
KSC815YTA	0.0300	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																																			45 v	200 ma								100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	120 @ 50mA，1V	200MHz
1N4748A	0.0300	RFQ	23	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779																												1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V															22 v	23欧姆
BCP51	0.1600	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BCP51			1 w	SOT-223-4	下载					Ear99	8541.29.0095	1																																			45 v	1.5 a								100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
2N5551YTA	-	RFQ	5782	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																																			160 v	600 MA								-			NPN	200mv @ 5mA，50mA	180 @ 10mA，5V	100MHz
BZX85C7V5	0.0300	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C7			1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																												1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 4.5 V															7.5 v	3欧姆
FFPF15U20DPTU	-	RFQ	2187	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包				标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对公共阳极	200 v	15a	1.2 V @ 15 A	40 ns	15 µA @ 200 V	-65°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²