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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SI6466DQ	0.2300	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					20 v	7.8A（ta）	2.5V，4.5V	15mohm @ 7.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1320 pf @ 10 V	-	1.1W（TA）
1N4737A-T50A	0.0500	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	do-41	-				2156-1N4737A-T50A			6,231																					10 µA @ 5 V													7.5 v	4欧姆
FLZ39VC	1.0000	RFQ	3777	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																			1.2 V @ 200 ma		133 na @ 30 V													36.9 v	72欧姆
2N3904RM	0.0200	RFQ	5286	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N3904			625兆	到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	11,000																										40 V	200 ma						50NA			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
NDP7061	2.3200	RFQ	5	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道					60 V	64A（TC）	10V	16mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	1930 pf @ 25 V	-	130W（TC）
FDB8160	1.7000	RFQ	17	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FDB816		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	800			n通道					30 V	80A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	243 NC @ 10 V	±20V	11825 PF @ 15 V	-	254W（TC）
BZX79C24	0.0200	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																			1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 16.8 V													24 V	70欧姆
FDMC86106LZ	0.4800	RFQ	4443	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDMC86		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000			n通道					100 v	3.3A（3.3），7.5a tc（TC）		103mohm @ 3.3a，10v	2.2V @ 250µA	6 NC @ 10 V		310 pf @ 50 V	-	2.3W（TA），19w（tc）
BZX79C18	0.0500	RFQ	63	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																			1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 12.6 V													18 V	45欧姆
FJX4006RTF	0.0300	RFQ	93	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		FJX400			200兆	SC-70（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																										50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
PN2907ATFR	-	RFQ	1876年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																										60 V	800 MA						20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
KSA1625KBU	0.0200	RFQ	1647年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,050																										400 v	500 MA						1µA（ICBO）			PNP	1V @ 10mA，100mA	100 @ 50mA，5V	10MHz
MJE2955TTU	-	RFQ	3619	Fairchild半导体	MJE2955T	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					600兆	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										60 V	10 a						700µA			PNP	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
1N4728ATR	0.0300	RFQ	135	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,053																					100 µA @ 1 V													3.3 v	10欧姆
FJZ733OTF	0.6700	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F					100兆	SOT-623F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	150 ma						100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	180MHz
HUF75842S3ST	1.1300	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道					150 v	43A（TC）	10V	42MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	175 NC @ 20 V	±20V	2730 PF @ 25 V	-	230W（TC）
BC860BMTF	-	RFQ	4952	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC860			310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																										45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
BCW60D	1.0000	RFQ	7088	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																										32 v	100 ma						20NA			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	125MHz
1N5394	0.0400	RFQ	68	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向				标准		do-15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	4,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																300 v	1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
KSC388CYTA	0.0300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSC388			300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										25 v	50 mA						100NA（ICBO）			NPN	200mv @ 1.5mA，15mA	20 @ 12.5mA，12.5V	300MHz
2N5088TF	1.0000	RFQ	1025	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000
RURD420S9A	0.4600	RFQ	61	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RURD420S9A-600039			1
FJAF6810ATU	-	RFQ	4768	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3					60 W	to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30																										750 v	10 a						1ma			NPN	3V @ 1.5a，6a	5 @ 6a，5v	-
FGB20N6S2D	1.0000	RFQ	3420	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		125 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				390V，7a，25ohm，15V																31 ns					-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
FSB50250UD	7.2600	RFQ	270	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET						下载	不适用				Ear99	8542.39.0001	270	3期				1.1 a	500 v	1500vrms
FDD3570	0.5400	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					80 V	10a（10a）	6V，10V	20mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 40 V	-	3.4W（TA），69W（tc）
FPN530A	-	RFQ	2759	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3					1 w	TO-226	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	3,917																										30 V	3 a						100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 100mA，1a	250 @ 100mA，2V	150MHz
1N6009B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 18 V													24 V	62欧姆
BZX84C16	-	RFQ	5966	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84			250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.2 V													16 V	40欧姆
FNF50560TD1	7.1200	RFQ	312	Fairchild半导体	MOTIONSPM®55	大部分	过时的			通过洞	20-PowerDip 模块（1.220英寸，31.00mm）	IGBT						下载	不适用				Ear99	8542.39.0001	78	3期				5 a	600 v	1500vrms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²