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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MPSW01	0.1200	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3					1 w	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,500																										30 V	1 a								-			NPN	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	50MHz
FDS8876	0.5000	RFQ	562	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 12.5A，10V	2.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FSBS15CH60L	15.4800	RFQ	80	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSB15					-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	20	3期				15 a	600 v	2500vrms
TIP42B	0.4100	RFQ	5	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50																										80 V	6 a								700µA			PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
FDMS8350LET40	1.0000	RFQ	8612	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDMS8350LET40	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					40 V	49A（TA），300A（tc）	4.5V，10V	0.85MOHM @ 47A，10V	3V @ 250µA	219 NC @ 10 V	±20V	16590 pf @ 20 V	-	3.33W（TA），125W（（（（（（（（（（（
FGB20N6S2D	1.0000	RFQ	3420	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			标准		125 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				390V，7a，25ohm，15V																31 ns					-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
FJAF6810ATU	-	RFQ	4768	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3					60 W	to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30																										750 v	10 a								1ma			NPN	3V @ 1.5a，6a	5 @ 6a，5v	-
BCW69	1.0000	RFQ	8640	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																										45 v	100 ma								100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 2mA，5V	-
FCD620N60ZF	-	RFQ	4587	Fairchild半导体	Hiperfet™，Polar™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	1			n通道					600 v	7.3A（TC）	10V	620MOHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1135 PF @ 25 V	-	89W（TC）
FJN4309RTA	0.0200	RFQ	131	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN430			300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										40 V	100 ma								100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
s1jfl	-	RFQ	3179	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-123F				标准		SOD-123F	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																600 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	1 µA @ 600 V	-50°C〜150°C	1a	4pf @ 4V，1MHz
FCPF380N60E-F152	-	RFQ	5776	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-				2156-FCPF380N60E-F152			1			n通道					600 v	10.2A（TC）	10V	380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	31W（TC）
tip31atu	0.2400	RFQ	3	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																										60 V	3 a								300µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
BZX55C47	0.0200	RFQ	4407	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,000																			1.3 V @ 100 mA		100 na @ 35 V															47 V	110欧姆
FDP14AN06LA0	3.0100	RFQ	14	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道					60 V	10a（10A），67A （TC）	5V，10V	11.6mohm @ 67a，10v	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	125W（TC）
DFB20100	1.4000	RFQ	296	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P				标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	296																			1.1 V @ 20 A		10 µA @ 50 V		20 a										单相	1 kV
KST222222AMTF	-	RFQ	3847	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																										40 V	600 MA								10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
FDD3570	0.5400	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					80 V	10a（10a）	6V，10V	20mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 40 V	-	3.4W（TA），69W（tc）
FDH50N50_F133	-	RFQ	7819	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					500 v	48A（TC）		105MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	137 NC @ 10 V	±20V	6460 pf @ 25 V	-	625W（TC）
FSB50250UD	7.2600	RFQ	270	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET						下载	不适用				Ear99	8542.39.0001	270	3期				1.1 a	500 v	1500vrms
FCH190N65F-F155	3.3400	RFQ	4300	Fairchild半导体	FRFET®，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	66			n通道					650 v	20.6A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 2mA	78 NC @ 10 V	±20V	3225 pf @ 100 V	-	208W（TC）
FQP20N06TSTU	-	RFQ	4448	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					60 V	20A（TC）	10V	60mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	53W（TC）
GBPC2510	1.0000	RFQ	9120	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC				标准		GBPC	下载					Ear99	8541.10.0080	1																			1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 1 V		25 a										单相	1 kV
HUFA76407D3ST	0.4600	RFQ	41	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					60 V	12A（TC）	4.5V，10V	92MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
1n971btr	0.0200	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000																					5 µA @ 20.6 V															27 V	41欧姆
BZX84C16	-	RFQ	5966	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84			250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.2 V															16 V	40欧姆
FJN3304RBU	0.0200	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		FJN330			300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																										50 V	100 ma								100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
FNF50560TD1	7.1200	RFQ	312	Fairchild半导体	MOTIONSPM®55	大部分	过时的			通过洞	20-PowerDip 模块（1.220英寸，31.00mm）	IGBT						下载	不适用				Ear99	8542.39.0001	78	3期				5 a	600 v	1500vrms
FDC8886	0.2000	RFQ	184	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1,500			n通道					30 V	6.5a（6），8a tc（8a tc）	4.5V，10V	23mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	465 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
MJD350TF	-	RFQ	9699	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					1.56 w	DPAK-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MJD350TF-600039			1																										300 v	500 MA								100µA			PNP	1V @ 10mA，100mA	30 @ 50mA，10v	10MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²