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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HUF76121S3S	0.7000	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	47A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
2N4401NLBU	0.2900	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																						40 V	600 MA	-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FQB27P06TM	-	RFQ	5292	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB27	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道	60 V	27a（TC）	10V	70MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
BD681STU	-	RFQ	9620	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD681		40 W	TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																						100 v	4 a	500µA			npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
fep16dt	0.5200	RFQ	236	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
BZX85C47	0.0300	RFQ	32	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C47		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		500 na @ 36 V							47 V	90欧姆
HUF756373	0.5200	RFQ	5	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	100 v	44A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	155W（TC）
FFP06U20DNTU	0.2000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	6a	1.2 V @ 6 A	35 ns	6 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FDB12N50UTM	0.9000	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDB12N	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	800											-
FFAF20U20DNTU	0.8300	RFQ	720	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3		标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	20a	1.2 V @ 20 A	40 ns	20 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
KSA812YMTF	-	RFQ	7403	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			150兆	SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KSA812YMTF-600039			1																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	135 @ 1mA，6v	180MHz
US2FA	-	RFQ	9112	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,977	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													300 v		1 V @ 1.5 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1.5a	50pf @ 4V，1MHz
fypf1010dntu	0.6300	RFQ	383	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3完整包		肖特基		TO-220F-3	下载					Ear99	8541.10.0080	477	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	10a	950 MV @ 10 A		1 mA @ 100 V	-40°C〜150°C
1N5222B	0.0200	RFQ	94	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	15,000																1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V							2.5 v	30欧姆
FDS7766	0.9400	RFQ	11	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	5mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	69 NC @ 5 V	±16V	4973 PF @ 15 V	-	1W（ta）
PN222222ATF	0.0400	RFQ	2756	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	50																						40 V	1 a	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
MMBTA55	-	RFQ	4591	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA55		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						60 V	500 MA	100NA			PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
FDP8441	1.6100	RFQ	14	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	187		n通道	40 V	23A（23A），80a tc（TC）	10V	2.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MPSW3725	0.1000	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	TO-226-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,500																						40 V	1.2 a	100NA（ICBO）			NPN	950mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	250MHz
MM5Z22V	-	RFQ	6086	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z2		200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																		50 NA @ 15.4 V							22 v	55欧姆
FDB8453Lz	0.6700	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	16.1A（TA），50a （TC）	4.5V，10V	7MOHM @ 17.6A，10V	3V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	3545 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），66W（tc）
BC638BU	1.0000	RFQ	4505	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,000																						60 V	1 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
MBR1645	1.0000	RFQ	1491	Fairchild半导体	SwitchMode™	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2	MBR1645	肖特基		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													45 v		630 MV @ 16 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜175°C	16a	1400pf @ 5V，1MHz
2N5401RA	1.0000	RFQ	7966	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5401		625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						150 v	600 MA	50µA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	400MHz
ISL9R860S3ST_NL	0.7000	RFQ	583	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		2.4 V @ 8 A	30 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	8a	-
FGI3236	1.2300	RFQ	82	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
KSC838CYTA	0.0200	RFQ	1968年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,252																						30 V	30 ma	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	120 @ 2mA，12v	250MHz
FDZ193P	0.2200	RFQ	779	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，WLCSP		MOSFET （金属 o化物）		6-WLCSP （1x1.5）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道	20 v	3A（3A）	1.7V，4.5V	90MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±12V	660 pf @ 10 V	-	1.9W（TA）
2N3906	-	RFQ	3505	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2n39		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1																						40 V	200 ma	50NA			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FDS6921A	1.0000	RFQ	9156	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				2,500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²