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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MMBZ5254B	0.0200	RFQ	516	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 21 V																27 V	41欧姆
BDX54C	-	RFQ	5656	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				60 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																									100 v	8 a									500µA			pnp-达灵顿	2V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
MBR1060	-	RFQ	3061	Fairchild半导体	SwitchMode™	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2	MBR106		肖特基		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														60 V		800 mv @ 10 a		1 mA @ 60 V	-65°C〜175°C	-	-
IRFS634BT	0.1800	RFQ	3	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					IRFS634		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1,803													-
FDS5690	1.0000	RFQ	7301	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道		60 V	7a（ta）	6V，10V	28mohm @ 7a，10v	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1107 PF @ 30 V	-	2.5W（TA）
FDMS8026S	0.9600	RFQ	72	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载				Ear99	8541.29.0095	314			n通道		30 V	19a（19a ta），22a （TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 19a，10v	3V @ 1mA	37 NC @ 10 V	±20V	2280 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），41W（TC）
2N7002V	-	RFQ	3042	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	2N7002		MOSFET （金属 o化物）	250MW	SOT-563F	下载					0000.00.0000	1	2 n 通道（双）				60V	280mA		7.5OHM @ 50mA，5V	2.5V @ 250µA	-		50pf @ 25V	逻辑级别门
FDD6685	-	RFQ	2428	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			P通道		30 V	（11a）（ta），40a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±25V	1715 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
HGTD7N60C3S9A	1.2200	RFQ	249	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		60 W	TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8541.29.0095	249				-																				-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	165µJ（在）上，600µJ（600µJ）	23 NC	-
FDMC8296	-	RFQ	8533	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道		30 V	12a（12A），18A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1385 pf @ 15 V	-	2.3W（27W），27W（TC）
FDS6986AS	0.4100	RFQ	5	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	728	2 n 通道（双）				30V	6.5a，7.9a		29mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		720pf @ 10V	逻辑级别门
EGP20K	0.2500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向			标准		do-15	下载				Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														800 v		1.7 V @ 2 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	2a	45pf @ 4V，1MHz
HUFA75307T3ST	0.2500	RFQ	25	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	HUFA75307		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载				Ear99	8542.39.0001	1,210			n通道		55 v	2.6a（ta）	10V	90MOHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 20 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	1.1W（TA）
1N457TR	0.0400	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0070	8,172		小信号= <200ma（io（io），任何速度														70 v		1 V @ 20 ma		25 na @ 60 V	175°c （最大）	200mA	8pf @ 0v，1MHz
MM3Z6V2C	0.0300	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	1																		1 V @ 10 mA		2.7 µA @ 4 V																6.2 v	9欧姆
FDS4501H	0.7200	RFQ	40	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS4501		MOSFET （金属 o化物）	1W	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道				30V，20V	9.3a，5.6a		18mohm @ 9.3a，10V	3V @ 250µA	27nc @ 4.5V		1958pf @ 10V	逻辑级别门
FDP86363-F085	1.6600	RFQ	8862	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道		80 V	110A（TC）	10V	2.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	10 pf @ 40 V	-	300W（TC）
FGB3040CS	1.8200	RFQ	56	Fairchild半导体	Ecospark®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB		逻辑		150 w	D²Pak-6	下载				Ear99	8542.39.0001	1				300V，1KOHM，5V																				-	430 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	15 NC	- /4.7µs
BAS40SL	-	RFQ	2475	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-923	BAS40		肖特基		SOD-923F	下载				Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度														40 V		1 V @ 40 mA	8 ns	200 na @ 30 V	-55°C〜150°C	100mA	5pf @ 0v，1MHz
FDS6961A	-	RFQ	7843	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				30V	3.5a		90MOHM @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	4NC @ 5V		220pf @ 15V	逻辑级别门
FDMS0302S	-	RFQ	3283	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道		30 V	29A（ta），49a（tc）	4.5V，10V	1.9mohm @ 28a，10v	3V @ 1mA	109 NC @ 10 V	±20V	7350 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），89W（89W）TC）
MMBF5461	0.0900	RFQ	5635	Fairchild半导体	-	大部分	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆	SOT-23-3	下载				Ear99	8541.21.0095	2			P通道									7pf @ 15V																				40 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA
MBR750	0.6600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2			肖特基		TO-220AC	下载				Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														50 V		750 MV @ 7.5 A		500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	7.5a	400pf @ 4V，1MHz
FDMA1028NZ	0.4600	RFQ	24	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDMA1028		MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-microfet（2x2）	下载				Ear99	8541.29.0095	654	2 n 通道（双）				20V	3.7a		68mohm @ 3.7A，4.5V	1.5V @ 250µA	6NC @ 4.5V		340pf @ 10V	逻辑级别门
FDMA3027PZ	0.6500	RFQ	21	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDMA3027		MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-microfet（2x2）	下载				Ear99	8542.39.0001	462	2（p 通道（双）				30V	3.3a		87MOHM @ 3.3A，10V	3V @ 250µA	10NC @ 10V		435pf @ 15V	逻辑级别门
FDMS7558	-	RFQ	6319	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道		25 v	32A（ta），49a（tc）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 32A，10V	3V @ 1mA	119 NC @ 10 V	±20V	7770 pf @ 13 V	-	2.5W（ta），89W（89W）TC）
FDY2000PZ	0.1600	RFQ	108	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	FDY20		MOSFET （金属 o化物）	446MW	SOT-563F	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）				20V	350mA		1.2OHM @ 350mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.4NC @ 4.5V		100pf @ 10V	逻辑级别门
MBR1560CT	1.0000	RFQ	5560	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3			肖特基		TO-220-3	下载				Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	60 V	15a	900 mv @ 15 A		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
FDS8878	0.2200	RFQ	586	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1,505			n通道		30 V	10.2A（ta）	4.5V，10V	14mohm @ 10.2a，10v	2.5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	897 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
FQP32N20C	-	RFQ	2537	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道		200 v	28a（TC）	10V	82MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 25 V	-	156W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²