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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	电流 -峰值输出	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -崩溃	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	当前 -崩溃
FQU4N25TU	0.4600	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	70				n通道		250 v	3A（TC）	10V	1.75OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±30V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
BZX85C11TR5K	0.0200	RFQ	185	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	5,000
RGP10B	0.0700	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	4,991		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																100 v		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
2N4125BU	-	RFQ	6970	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,000																										30 V	200 MA			50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	50 @ 2mA，1V	-
FQD20N06TF	0.4000	RFQ	5421	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	525				n通道		60 V	16.8A（TC）	10V	63mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
BZX84C12	-	RFQ	6397	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5.42％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX84C12-600039			1																				900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V									12 v	10欧姆
KSD363YTU	-	RFQ	8209	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																										120 v	6 a			1ma（iCBO）			NPN	1V @ 100mA，1a	120 @ 1A，5V	10MHz
FJAFS1510ATU	2.2800	RFQ	5	Fairchild半导体	ESBC™	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			60 W	to-3pf	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FJAFS1510ATU-600039			1																										750 v	6 a			100µA			NPN	500MV @ 1.5A，6A	7 @ 3a，5v	15.4MHz
2N5088TF	1.0000	RFQ	1025	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000
FQAF44N08	0.8300	RFQ	720	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30				n通道		80 V	35.6A（TC）	10V	34mohm @ 17.8a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1430 pf @ 25 V	-	83W（TC）
FDU6N50TU	0.4100	RFQ	9	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	1				n通道		500 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	89W（TC）
BC850AMTF	0.0200	RFQ	121	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC850		310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																										45 v	100 ma			15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
DB3	0.0400	RFQ	861	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）		DO-204AH，DO-35，轴向				do-35	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	6,836			2 a													28〜36V																						50 µA
FDMD8280	-	RFQ	1017	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-Powerwdfn	FDMD82	MOSFET （金属 o化物）	1W	12-Power3.3x5	下载						0000.00.0000	1	2 n 通道（双）					80V	11a		8.2MOHM @ 11A，10V	4V @ 250µA	44NC @ 10V		3050pf @ 40V	-
FQP9N25	0.4600	RFQ	132	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				n通道		250 v	9.4A（TC）	10V	420MOHM @ 4.7A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	90W（TC）
FDMJ1023PZ	0.3000	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WFDFN暴露垫	FDMJ1023	MOSFET （金属 o化物）	700MW	SC-75，Microfet	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）					20V	2.9a		112MOHM @ 2.9a，4.5V	1V @ 250µA	6.5nc @ 4.5V		400pf @ 10V	逻辑级别门
1N754A_NL	0.0200	RFQ	7505	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000																				1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V									6.8 v	5欧姆
gbu6g	0.7000	RFQ	532	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Esip，Gbu		标准		gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	1																				1 V @ 6 A		5 µA @ 400 V		4.2 a				单相	400 v
KSB1116AYTA	0.0400	RFQ	233	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																										60 V	1 a			100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 50mA，1a	135 @ 100mA，2V	120MHz
MMBTH10-FS	-	RFQ	3518	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000					-																					25V	-						NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz	-
FLZ10VC	1.0000	RFQ	2225	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																				1.2 V @ 200 ma		110 na @ 7 V									10.1 v	6.6欧姆
FQP4N20	0.3100	RFQ	10	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000				n通道		200 v	3.6A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	220 pf @ 25 V	-	45W（TC）
FFPF06U40DPTU	0.4800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对公共阳极	400 v	6a	1.4 V @ 6 A	50 ns	20 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
IRLS540A	0.7100	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1				n通道		100 v	17a（TC）	5V	58mohm @ 8.5a，5v	2V @ 250µA	54 NC @ 5 V	±20V	1580 pf @ 25 V	-	44W（TC）
FDSS2407S_B82086	0.7000	RFQ	783	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDSS24	MOSFET （金属 o化物）	2.27W（TA）	8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）					62V	3.3a（ta）		110MOHM @ 3.3a，10V	3V @ 250µA	4.3nc @ 5V		300pf @ 15V	逻辑级别门
FQU1N60TU	0.5500	RFQ	607	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	607				n通道		600 v	1A（TC）	10V	11.5ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FGD3245G2	1.0000	RFQ	4146	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500
FDD6035AL	0.4800	RFQ	207	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1				n通道		30 V	12a（12A），46A（tc）	4.5V，10V	12MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	1.5W（TA），56W（tc）
SFR9210TF	-	RFQ	7818	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000				P通道		200 v	1.6A（TC）	10V	3ohm @ 800mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	285 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），19W（tc）
KSE2955T	-	RFQ	5328	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			600兆	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	895																										60 V	10 a			700µA			PNP	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²