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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
GBPC15005	2.4900	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准		GBPC	下载				Ear99	8541.10.0080	121																	1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 50 V		15 a				单相	50 V
FDN358P	-	RFQ	6844	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN358	MOSFET （金属 o化物）		Supersot-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			P通道	30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	125mohm @ 1.5A，10V	3V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±20V	182 PF @ 15 V	-	500MW（TA）
FDB0170N607L	-	RFQ	3824	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	60 V	300A（TC）	10V	1.4mohm @ 39a，10v	4V @ 250µA	243 NC @ 10 V	±20V	19250 PF @ 30 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
FDMS015N04B	1.0000	RFQ	8411	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	40 V	31.3a（TA），100A（tc）	10V	1.5MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±20V	8725 PF @ 20 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
gbu4k	1.0000	RFQ	6366	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU4	标准		gbu	下载				Ear99	8541.10.0080	1																	1.1 V @ 4 A		5 µA @ 800 V		2.8 a				单相	800 v
EFC4C002NLTDG	-	RFQ	5939	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-XFBGA，WLCSP	EFC4C002	MOSFET （金属 o化物）	2.6W	8-wlcsp （6x2.5）	下载					0000.00.0000	1	2 n 通道（双）公共排水			-	-		-	2.2V @ 1mA	45nc @ 4.5V		6200pf @ 15V	逻辑级别门
FDY301NZ	-	RFQ	6207	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490		MOSFET （金属 o化物）		SOT-523F	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	20 v	200ma（ta）	1.5V，4.5V	5ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±12V	60 pf @ 10 V	-	625MW（TA）
MMBF4392	-	RFQ	1075	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1			n通道								14pf @ 20V																30 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na				60欧姆
BZX79C39	0.0200	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	15,000																	1.5 V @ 100 ma		50 na @ 27.3 V												39 v	130欧姆
FDS8928A	1.0000	RFQ	1457	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载				Ear99	8541.21.0095	1	n和p通道			30V，20V	5.5a，4a		30mohm @ 5.5A，4.5V	1V @ 250µA	28nc @ 4.5V		900pf @ 10V	逻辑级别门
FQU5N40TU	0.5600	RFQ	28	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载				Ear99	8542.39.0001	535			n通道	400 v	3.4A（TC）	10V	1.6OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FDP8880	0.5200	RFQ	62	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	573			n通道	30 V	11a（11a），54a（tc）	4.5V，10V	11.6mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 15 V	-	55W（TC）
FJE3303H2TU	0.2500	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			20 w	TO-126-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1,212																							400 v	1.5 a						10µA（ICBO）				NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
ffa60up20dntu	1.1600	RFQ	450	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		to-3pn	下载				Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	30a	1.15 V @ 30 A	40 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FQPF17N40T	1.8300	RFQ	642	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	400 v	9.5A（TC）	10V	270MOHM @ 4.75A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	56W（TC）
US2JA	0.0900	RFQ	9771	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载				Ear99	8541.10.0080	1,346		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.7 V @ 1.5 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1.5a	30pf @ 4V，1MHz
FDD5N50TM	0.3000	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	640 pf @ 25 V	-	40W（TC）
FDPF15N65	-	RFQ	2828	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	650 v	15A（TC）	10V	440MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	3095 pf @ 25 V	-	38.5W（TC）
FCPF4300N80Z	1.0600	RFQ	931	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	284			n通道	800 v	1.6A（TC）	10V	4.3OHM @ 800mA，10V	4.5V @ 160µA	8.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 100 V	-	19.2W（TC）
1N4754A	0.0300	RFQ	102	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向			1 w	轴向	下载				Ear99	8541.10.0050	9,779																			5 µA @ 29.7 V												39 v	60欧姆
FCPF22550N80Z	1.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	216			n通道	800 v	2.6A（TC）	10V	2.25OHM @ 1.3A，10V	4.5V @ 260µA	14 NC @ 10 V	±20V	585 pf @ 100 V	-	21.9W（TC）
FJPF2145TU	0.5600	RFQ	1	Fairchild半导体	ESBC™	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			40 W	TO-220F-3	下载				Ear99	8541.29.0095	532																							800 v	5 a						10µA（ICBO）				NPN	2V @ 300mA，1.5a	20 @ 200ma，5V	15MHz
GBPC25005W	2.7900	RFQ	500	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC25005	标准		GBPC-W	下载				Ear99	8541.10.0080	117																	1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 50 V		25 a				单相	50 V
1N4744ATR	0.0300	RFQ	1621年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0050	6,867																			5 µA @ 11.4 V												15 v	14欧姆
MBRP3045NTU	0.7000	RFQ	336	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3		肖特基		TO-220-3	下载				Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	15a	650 mv @ 15 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
MMSZ5250B	-	RFQ	7912	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载				Ear99	8541.10.0050	1																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 15 V												20 v	17欧姆
1N916	1.0000	RFQ	2109	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
FDMC2610	1.0000	RFQ	1155	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	200 v	2.2A（ta），9.5A（tc）	6V，10V	200mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	960 pf @ 100 V	-	2.1W（ta），42W（tc）
FQD7N20LTM	-	RFQ	2891	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	200 v	5.5A（TC）	5V，10V	750MOHM @ 2.75A，10V	2V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FCP170N60	3.5600	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	92			n通道	600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²