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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
FDN306P	-	RFQ	1935年	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	Ear99	8542.39.0001	1			P通道		12 v	2.6a（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 2.6a，4.5V	1.5V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±8V	1138 PF @ 6 V	-	500MW（TA）
FDC653N	0.2500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	Ear99	8542.39.0001	1,192			n通道		30 V	5A（5A）	4.5V，10V	35mohm @ 5A，10V	2V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
GBPC1204W	2.4800	RFQ	626	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W			标准		GBPC-W	下载	Ear99	8541.10.0080	122																1.1 V @ 6 A		5 µA @ 400 V		12 a										单相	400 v
FGAF40N60UFTU	1.8800	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载	Ear99	8542.39.0001	160
FQD2N60CTM	-	RFQ	5588	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		600 v	1.9A（TC）	10V	4.7ohm @ 950mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
FDBL0120N40	-	RFQ	4932	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		40 V	240a（TC）	10V	1.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	7735 pf @ 25 V	-	300W（TJ）
FDS4897C	1.0000	RFQ	7714	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS4897		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道				40V	6.2a，4.4a		29mohm @ 6.2a，10v	3V @ 250µA	20NC @ 10V		760pf @ 20V	逻辑级别门
FCD900N60Z	0.7800	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Ear99	8541.29.0095	385			n通道		600 v	4.5A（TC）	10V	900mohm @ 2.3a，10v	3.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	720 PF @ 25 V	-	52W（TC）
1N4746ATR	-	RFQ	7736	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Ear99	8541.10.0050	1																		5 µA @ 13.7 V														18 V	20欧姆
FDS9953A	-	RFQ	9946	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS99		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）				30V	2.9a		130MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA	3.5nc @ 10V		185pf @ 15V	逻辑级别门
1N5236B	0.0300	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的								500兆	-	下载	Ear99	8541.10.0050	11,539																		3 µA @ 6 V														7.5 v	6欧姆
1N4739ATR	0.0300	RFQ	44	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Ear99	8541.10.0050	11,053																		10 µA @ 7 V														9.1 v	5欧姆
DF005M	0.2300	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）			标准		DFM	下载	Ear99	8541.10.0080	1,296																1.1 V @ 1 A		10 µA @ 50 V		1 a										单相	50 V
SS13	0.1200	RFQ	416	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA			肖特基		DO-214AC（SMA）	下载	Ear99	8541.10.0080	2,435		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V	500 mv @ 1 A		200 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
FDPF12N50NZ	0.9800	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	Ear99	8541.29.0095	306			n通道		500 v	11.5A（TC）	10V	520MOHM @ 5.75A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	1235 PF @ 25 V	-	42W（TC）
FDD5N50NZFTM	-	RFQ	3985	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		500 v	3.7A（TC）	10V	1.75OHM @ 1.85a，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±25V	485 pf @ 25 V	-	62.5W（TC）
GBPC12005	-	RFQ	1499年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC			标准		GBPC	下载	Ear99	8541.10.0080	1																1.1 V @ 6 A		5 µA @ 50 V		12 a										单相	50 V
GBPC1508	2.5700	RFQ	4019	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC			标准		GBPC	下载	Ear99	8541.10.0080	100																1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 800 V		15 a										单相	800 v
GBPC2510W	-	RFQ	1579年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W			标准		GBPC-W	下载	Ear99	8541.10.0080	1																1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 1 V		25 a										单相	1 kV
FDP12N50NZ	-	RFQ	9483	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		500 v	11.5A（TC）	10V	520MOHM @ 5.75A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	1235 PF @ 25 V	-	170W（TC）
FGH40N65UFDTU-F085	-	RFQ	1254	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		290 w	TO-247	下载	Ear99	8542.39.0001	1				400V，40a，10ohm，15V													65 ns					现场停止	650 v	80 a	120 a	2.4V @ 15V，40a	1.28mj（在）上，500µJ off）	119 NC	23ns/126ns
FGH20N60SFDTU-F085	-	RFQ	4352	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		165 w	TO-247	下载	Ear99	8541.29.0095	1				400V，20a，10ohm，15V													40 ns					现场停止	600 v	40 a	60 a	2.8V @ 15V，20A	430µJ（在）（130µJ）上	66 NC	13NS/90NS
NDT451AN	-	RFQ	4547	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	35MOHM @ 7.2A，10V	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	720 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
FDS6986AS	0.4100	RFQ	5	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	Ear99	8542.39.0001	728	2 n 通道（双）				30V	6.5a，7.9a		29mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		720pf @ 10V	逻辑级别门
EGP20K	0.2500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向			标准		do-15	下载	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v	1.7 V @ 2 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	2a	45pf @ 4V，1MHz
HUFA75307T3ST	0.2500	RFQ	25	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	HUFA75307		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	Ear99	8542.39.0001	1,210			n通道		55 v	2.6a（ta）	10V	90MOHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 20 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	1.1W（TA）
1N457TR	0.0400	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载	Ear99	8541.10.0070	8,172		小信号= <200ma（io（io），任何速度													70 v	1 V @ 20 ma		25 na @ 60 V	175°c （最大）	200mA	8pf @ 0v，1MHz
MM3Z6V2C	0.0300	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载	Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 10 mA		2.7 µA @ 4 V														6.2 v	9欧姆
FDP18N20F	-	RFQ	4467	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		200 v	18A（TC）	10V	145MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	100W（TC）
FGB20N60SF	1.8000	RFQ	726	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		208 w	D2PAK（TO-263）	下载	Ear99	8541.29.0095	167				400V，20a，10ohm，15V																		现场停止	600 v	40 a	60 a	2.8V @ 15V，20A	（370µJ）（160µJ（）	65 NC	13NS/90NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²