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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDD850N10LD	-	RFQ	7269	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500			n通道				100 v	15.3A（TC）		75mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	28.9 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 25 V	-	42W（TC）
HUF76423D3	0.4100	RFQ	6	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道				60 V	20A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±16V	1060 pf @ 25 V	-	85W（TC）
FDMS8020	1.0000	RFQ	6840	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				30 V	26a（26a），42a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 26a，10v	3V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），65W（tc）
FCPF380N60-F152	0.9600	RFQ	476	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FCPF380	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道				600 v	10.2A（TC）	10V	380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1665 PF @ 25 V	-	31W（TC）
FSBB15CH60F	15.2500	RFQ	36	Fairchild半导体	motionspm®3	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSBB15				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3期			15 a	600 v	2500vrms
FDG314P	0.1000	RFQ	335	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道				25 v	650mA（TA）	2.7V，4.5V	1.1OHM @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±8V	63 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
FDS5692Z	1.0700	RFQ	8	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				50 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 5.8A，10V	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1025 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
flz33vb	0.0200	RFQ	68	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																				1.2 V @ 200 ma		133 na @ 25 V							31.1 v	55欧姆
BZX85C9V1	0.0300	RFQ	67	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C9		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 6.8 V							9.1 v	5欧姆
FFPF06U150STU	0.2300	RFQ	9529	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包			标准		TO-220F-2L	-	rohs3符合条件			2156-FFPF06U150STU-FS	Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1500 v		1.8 V @ 6 A	150 ns	10 µA @ 1500 V	-65°C〜150°C	6a	-
2SA1707S-AN-FS	-	RFQ	9949	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71		2SA1707		1 w	3-nmp	下载	不适用	3（168））	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										50 V	3 a	1µA（ICBO）			PNP	700mv @ 100mA，2a	140 @ 100mA，2V	150MHz
PN2907ATFR	-	RFQ	1876年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																										60 V	800 MA	20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
FJX4006RTF	0.0300	RFQ	93	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		FJX400		200兆	SC-70（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																										50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
KSC388CYTA	0.0300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSC388		300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										25 v	50 mA	100NA（ICBO）			NPN	200mv @ 1.5mA，15mA	20 @ 12.5mA，12.5V	300MHz
MJE2955TTU	-	RFQ	3619	Fairchild半导体	MJE2955T	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				600兆	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										60 V	10 a	700µA			PNP	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
1N5394	0.0400	RFQ	68	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向			标准		do-15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	4,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																300 v		1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
KSA1625KBU	0.0200	RFQ	1647年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,050																										400 v	500 MA	1µA（ICBO）			PNP	1V @ 10mA，100mA	100 @ 50mA，5V	10MHz
FDMC86106LZ	0.4800	RFQ	4443	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDMC86	MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000			n通道				100 v	3.3A（3.3），7.5a tc（TC）		103mohm @ 3.3a，10v	2.2V @ 250µA	6 NC @ 10 V		310 pf @ 50 V	-	2.3W（TA），19w（tc）
1N4728ATR	0.0300	RFQ	135	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,053																						100 µA @ 1 V							3.3 v	10欧姆
FJZ733OTF	0.6700	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F				100兆	SOT-623F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	180MHz
BC860BMTF	-	RFQ	4952	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC860		310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																										45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
HUF75842S3ST	1.1300	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道				150 v	43A（TC）	10V	42MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	175 NC @ 20 V	±20V	2730 PF @ 25 V	-	230W（TC）
FQI50N06TU	0.7300	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				60 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±25V	1540 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
FFB10UP20STM	0.8600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			标准		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																200 v		1.15 V @ 10 A	45 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	10a	-
pn222222abu	-	RFQ	4933	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																										40 V	1 a	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
FQPF3N25	0.4300	RFQ	204	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				250 v	2.3a（TC）	10V	2.2OHM @ 1.15A，10V	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	27W（TC）
BC639	-	RFQ	3093	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																										80 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	200MHz
RHRG1560CC-F085	-	RFQ	2886	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3			标准		TO-247-3	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	600 v	15a	2.3 V @ 15 A	55 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
FDS3670	1.6700	RFQ	28	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				100 v	6.3a（ta）	6V，10V	32MOHM @ 6.3a，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2490 pf @ 50 V	-	2.5W（TA）
FDB5645	3.8100	RFQ	8	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道				60 V	80a（ta）	6V，10V	9.5Mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	4468 pf @ 30 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²