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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
KSD1616YTA	-	RFQ	9482	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,831																					50 V	1 a						100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 50mA，1a	135 @ 100mA，2V	160MHz
mje171stu	-	RFQ	3594	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			1.5 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	60																					60 V	3 a						100NA（ICBO）				PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
FDS3612	0.6600	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	3.4a（ta）	6V，10V	120MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	632 PF @ 50 V	-	2.5W（TA）
FDP79N15	3.3100	RFQ	6	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道	150 v	79A（TC）	10V	30mohm @ 39.5a，10v	5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±30V	3410 PF @ 25 V	-	463W（TC）
FDU8874	0.7600	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道	30 V	18A（18A），116a（tc）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2990 pf @ 15 V	-	110W（TC）
FDG328P	1.0000	RFQ	6951	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道	20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	145MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±12V	337 PF @ 10 V	-	750MW（TA）
NDS8961	-	RFQ	4953	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS896	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	551	2 n 通道（双）			30V	3.1a		100mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
UF4001	0.0800	RFQ	47	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	UF400	标准		do-41	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-UF4001-600039			3,899		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												50 V	1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	17pf @ 4V，1MHz
FDB6021P	0.7800	RFQ	21	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			P通道	20 v	28a（28a）	1.8V，4.5V	30mohm @ 14a，4.5V	1.5V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±8V	1890 pf @ 10 V	-	37W（TC）
HUF75939P3_F102	-	RFQ	3508	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	1
GBPC35005	2.6000	RFQ	9172	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准		GBPC	下载					Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 50 V		35 a				单相	50 V
1N5230B	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	-	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																	5 µA @ 2 V												4.7 v	19欧姆
SS26	-	RFQ	9105	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	SS26	肖特基		DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												60 V	700 mv @ 2 a		400 µA @ 60 V	-65°C〜125°C	2a	-
BC557ATA	0.0400	RFQ	145	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	7,322																												15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
S210	0.3300	RFQ	571	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		肖特基		DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	915		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	850 mv @ 2 a		400 µA @ 100 V	-65°C〜125°C	2a	-
FQPF9N50CT	0.7800	RFQ	604	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	500 v	9A（TC）	10V	800MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	44W（TC）
FCP130N60	2.8900	RFQ	127	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	127			n通道	600 v	28a（TC）	10V	130mohm @ 14a，10v	3.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3590 pf @ 380 V	-	278W（TC）
BD17510STU	-	RFQ	3315	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			30 W	TO-126-3	下载					Ear99	8541.29.0095	553																					45 v	3 a						100µA（ICBO）				NPN	800mv @ 100mA，1a	63 @ 150mA，2V	3MHz
1N5228BTR	0.0200	RFQ	29	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5228		500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V												3.9 v	23欧姆
FDS6993	1.0100	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）			30V，12V	4.3a，6.8a		55MOHM @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	7.7nc @ 5V		530pf @ 15V	逻辑级别门
FDMS2508SDC	1.4300	RFQ	31	Fairchild半导体	Dual Cool™，PowerTrench®，SyncFet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	25 v	34A（TA），49A（tc）	4.5V，10V	1.95MOHM @ 28A，10V	3V @ 1mA	69 NC @ 10 V	±20V	4515 PF @ 13 V	-	3.3W（TA），78W（tc）
FDZ299P	0.3200	RFQ	14	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-WFBGA		MOSFET （金属 o化物）		9-BGA （2x2.1）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	55MOHM @ 4.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V	742 PF @ 10 V	-	1.7W（TA）
2N3702	0.0700	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																					25 v	500 MA						100NA（ICBO）				PNP	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 50mA，5V	100MHz
EGP20F	0.2200	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-EGP20F-600039			1,348		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												300 v	1.25 V @ 2 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	2a	45pf @ 4V，1MHz
2SK4085LS-1E	1.3000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道	500 v	11A（TC）		430MOHM @ 8A，10V	5V @ 1mA	46.6 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 30 V	-	2W（TA），40W（TC）
PN4093	0.3200	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道								16pf @ 20V														40 V	8 ma @ 20 V	1 v @ 1 na				80欧姆
FQD2N50TF	0.3400	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	500 v	1.6A（TC）	10V	5.3OHM @ 800mA，10v	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
BC640TF	0.0200	RFQ	7591	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	2,000																					80 V	1 a						100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
FDD6680A	1.5300	RFQ	204	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	（14A）（56A（ta）（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 14A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1425 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），60W（TC）
KST06MTF-FS	-	RFQ	4273	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																					80 V	500 MA						100NA				NPN	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²