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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDN5632N	-	RFQ	6899	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDN5632		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000																-
fypf2045dntu	0.5100	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3完整包				肖特基		TO-220F-3	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	45 v	20a	700 mv @ 20 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
HRFZ44N	0.4200	RFQ	12	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道					55 v	49A（TC）	10V	22mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	120W（TC）
RS1DFA	0.0700	RFQ	9184	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123W		RS1D		标准		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	658		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	200 v		1.3 V @ 800 mA	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V，1MHz
KSC1008RBU	0.0300	RFQ	6328	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	9,000																												60 V	700 MA						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 50mA，500mA	40 @ 50mA，2V	50MHz
FSB50250	8.1300	RFQ	3	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器				1 a	500 v	1500vrms
FFSH40120ADN-F155	1.0000	RFQ	7700	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3		FFSH40120		SIC （碳化硅）		TO-247长铅	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	1200 v	20a	1.75 V @ 20 A		200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
FDC8886	0.2000	RFQ	184	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1,500			n通道					30 V	6.5a（6），8a tc（8a tc）	4.5V，10V	23mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	465 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
FDD6782A	0.3900	RFQ	82	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					25 v	20A（TA）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 14.9A，10V	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1065 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），31W（tc）
EGP30C	0.2700	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向				标准		Do-201 AD	下载					Ear99	8541.10.0080	1,212		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	150 v		950 mv @ 3 a	50 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜150°C	3a	95pf @ 4V，1MHz
FDB8444	1.1400	RFQ	167	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	264			n通道					40 V	70A（TC）	10V	5.5MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8035 PF @ 25 V	-	167W（TC）
BCW69	1.0000	RFQ	8640	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																												45 v	100 ma						100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 2mA，5V	-
FNB51060T1	7.5500	RFQ	10	Fairchild半导体	MOTIONSPM®55	管子	积极的			通过洞	20-PowerDip 模块（1.220英寸，31.00mm）	IGBT	FNB51					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	13	3相逆变器				10 a	600 v	1500vrms
FQPF3N40	0.4400	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					400 v	1.6A（TC）	10V	3.4OHM @ 800mA，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	20W（TC）
FGH30T65UPDT_F155	-	RFQ	1617年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		250 w	TO-247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，30a，8ohm，15V																		33 ns					沟渠场停止	650 v	60 a	90 a	2.3V @ 15V，30a	（760µJ）（在400µJ上）	155 NC	22ns/139ns
FFP04S60STU	0.4200	RFQ	8003	Fairchild半导体	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-220-2				标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v		2.6 V @ 4 A	25 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	4a	-
FDZ1905PZ	0.3400	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，WLCSP		FDZ1905		MOSFET （金属 o化物）	900MW	6-WLCSP （1x1.5）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）							-	-		126mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	-		-	逻辑级别门
FCD620N60ZF	-	RFQ	4587	Fairchild半导体	Hiperfet™，Polar™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	1			n通道					600 v	7.3A（TC）	10V	620MOHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1135 PF @ 25 V	-	89W（TC）
FJN4309RTA	0.0200	RFQ	131	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN430			300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																												40 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
1N4737A-T50A	0.0500	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	do-41	-				2156-1N4737A-T50A			6,231																							10 µA @ 5 V													7.5 v	4欧姆
FLZ39VC	1.0000	RFQ	3777	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 30 V													36.9 v	72欧姆
NDP7061	2.3200	RFQ	5	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道					60 V	64A（TC）	10V	16mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	1930 pf @ 25 V	-	130W（TC）
FDB8160	1.7000	RFQ	17	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FDB816		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	800			n通道					30 V	80A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	243 NC @ 10 V	±20V	11825 PF @ 15 V	-	254W（TC）
BZX79C24	0.0200	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 16.8 V													24 V	70欧姆
FDMC86106LZ	0.4800	RFQ	4443	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDMC86		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000			n通道					100 v	3.3A（3.3），7.5a tc（TC）		103mohm @ 3.3a，10v	2.2V @ 250µA	6 NC @ 10 V		310 pf @ 50 V	-	2.3W（TA），19w（tc）
BZX79C18	0.0500	RFQ	63	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																					1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 12.6 V													18 V	45欧姆
FJX4006RTF	0.0300	RFQ	93	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		FJX400			200兆	SC-70（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																												50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
PN2907ATFR	-	RFQ	1876年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																												60 V	800 MA						20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
KSA1625KBU	0.0200	RFQ	1647年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,050																												400 v	500 MA						1µA（ICBO）			PNP	1V @ 10mA，100mA	100 @ 50mA，5V	10MHz
MJE2955TTU	-	RFQ	3619	Fairchild半导体	MJE2955T	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					600兆	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																												60 V	10 a						700µA			PNP	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²