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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MMBF170	-	RFQ	4869	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				60 V	500mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	40 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
FDB5680	1.7400	RFQ	7	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				60 V	40a（TC）	6V，10V	20mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	65W（TC）
IRFM120A	-	RFQ	2953	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	89			n通道				100 v	2.3a（ta）	10V	200mohm @ 1.15a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
MMBZ5231B_S00Z	1.0000	RFQ	8874	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
MPSA12	0.0500	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	5,000																								20 v		100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 10µA，10mA	20000 @ 10mA，5V	-
FPAM50LH60G	-	RFQ	5732	Fairchild半导体	PFCSPM®2	大部分	过时的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT					-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FPAM50LH60G-600039			1	2期			50 a	600 v	2500vrms
1N4732ATR	0.0300	RFQ	2226	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	8,960																						10 µA @ 1 V					4.7 v	8欧姆
FQB4N80TM	1.0000	RFQ	1932年	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				800 v	3.9a（TC）	10V	3.6OHM @ 1.95a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	880 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），130W（tc）
BDW93C	1.0000	RFQ	3705	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				80 W	TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1																								100 v	12 a	1ma			npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	750 @ 5A，3V	-
HUF764323	-	RFQ	5532	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	566			n通道				60 V	59A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 59a，10v	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±16V	1765 PF @ 25 V	-	130W（TC）
FDMS8025AS	0.4300	RFQ	9	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDMS8025	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000															-
BZX79C22	0.0200	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																				1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 15.4 V					22 v	55欧姆
BAW74	0.0400	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAW74	标准		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0070	7,612		小信号= <200ma（io（io），任何速度															1对公共阳极	50 V	200mA	1 V @ 100 ma	4 ns	100 µA @ 50 V	150°C （最大）
IRF9540	1.2500	RFQ	750	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF9540-600039			1			P通道				100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FJV4110RMTF	0.0200	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FJV411		200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																								40 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
HUF75639G3	1.0000	RFQ	5930	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道				100 v	56A（TC）	10V	25mohm @ 56a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
FDD6776A	0.3700	RFQ	27	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				25 v	17.7a（TA），30a tc）	4.5V，10V	7.5mohm @ 17.7a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），39W（tc）
KSC900GTA	0.0200	RFQ	9320	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	12,000																								25 v	50 mA	50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 2mA，20mA	200 @ 500µA，3V	100MHz
FJV3114RMTF	0.0300	RFQ	2898	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FJV311		200兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
KSC5021RTU	-	RFQ	5843	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSC5021		50 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																								500 v	5 a	10µA（ICBO）			NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	18MHz
MMBT3906T	-	RFQ	2232	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490				250兆	SOT-523F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMBT3906T-600039			1																								40 V	200 MA	50NA			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
MTD3055V	1.0000	RFQ	2138	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				60 V	12a（12a）	10V	150mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	3.9W（TA），48W（tc）
FDS6990S	0.9400	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS6990	MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）						30V	7.5A（ta）		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 1mA	16nc @ 5V		1233pf @ 15V	-
flz36va	0.0200	RFQ	51	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																				1.2 V @ 200 ma		133 na @ 27 V					33 V	63欧姆
FDMS3600AS	1.0100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS3600	MOSFET （金属 o化物）	2.2W，2.5W	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）						25V	15a，30a		5.6mohm @ 15a，10v	2.7V @ 250µA	27nc @ 10V		1770pf @ 13V	逻辑级别门
FSBM15SM60A	19.8200	RFQ	126	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	48	3期			15 a	600 v	2500vrms
SFS9634	0.3900	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道				250 v	3.4A（TC）	10V	1.30OHM @ 1.7A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	975 PF @ 25 V	-	33W（TC）
FCU850N80Z	1.1700	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	257			n通道				800 v	6A（TC）	10V	850MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 600µA	29 NC @ 10 V	±20V	1315 PF @ 100 V	-	75W（TC）
FJC2383YTF	1.0000	RFQ	8581	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				500兆	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	4,000																								160 v	1 a	1µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 50mA，500mA	160 @ 200ma，5V	100MHz
SSF7N60B	-	RFQ	6587	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				600 v	5.4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	86W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²