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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDMS8670	0.8700	RFQ	74	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	24A（24A），42A （TC）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	3940 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
FDB8160	1.7000	RFQ	17	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FDB816		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	800			n通道					30 V	80A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	243 NC @ 10 V	±20V	11825 PF @ 15 V	-	254W（TC）
FDN5632N	-	RFQ	6899	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDN5632		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	3,000																-
KSC2682YS	0.1000	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					1.2 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0075	250																												180 v	100 ma						1µA（ICBO）		NPN	500mv @ 5mA，50mA	160 @ 10mA，5V	200MHz
FJY3003R	0.0200	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY300			200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000																												50 V	100 ma						100NA（ICBO）		npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
BCX70G	-	RFQ	4855	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCX70			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																												45 v	200 ma						20NA		NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	120 @ 2mA，5V	125MHz
NDS8435A	0.8300	RFQ	129	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					30 V	7.9a（ta）	4.5V，10V	23mohm @ 7.9a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FQI5N30TU	0.5700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					300 v	5.4A（TC）	10V	900MOHM @ 2.7a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），70W（tc）
MPSA06	0.0800	RFQ	26	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MPSA06			625兆	到92	下载				Ear99	8541.21.0075	3,842																												80 V	500 MA						100NA（ICBO）		NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
SFP9530	-	RFQ	5001	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			P通道					100 v	10.5A（TC）		300MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1035 PF @ 25 V	-	66W（TC）
FQD4P40TM	1.0000	RFQ	8830	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					0000.00.0000	1			P通道					400 v	2.7A（TC）	10V	3.1OHM @ 1.35a，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
FGH40N60UFTU	-	RFQ	1849年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		290 w	TO-247	下载				Ear99	8541.29.0095	1				400V，40a，10ohm，15V																							现场停止	600 v	80 a	120 a	2.4V @ 15V，40a	1.19mj（在）上，460µJ off）	120 NC	24ns/112ns
1MD2_FDH3369C	0.0200	RFQ	4131	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		0000.00.0000	9,992
HRFZ44N	0.4200	RFQ	12	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	400			n通道					55 v	49A（TC）	10V	22mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	120W（TC）
RS1DFA	0.0700	RFQ	9184	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123W		RS1D		标准		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	658		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	200 v		1.3 V @ 800 mA	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V，1MHz
KSC1008RBU	0.0300	RFQ	6328	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	9,000																												60 V	700 MA						100NA（ICBO）		NPN	400mv @ 50mA，500mA	40 @ 50mA，2V	50MHz
FSB50250	8.1300	RFQ	3	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器				1 a	500 v	1500vrms
FFSH40120ADN-F155	1.0000	RFQ	7700	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3		FFSH40120		SIC （碳化硅）		TO-247长铅	下载				Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	1200 v	20a	1.75 V @ 20 A		200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
2N3903	0.0200	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	2,000																												40 V	200 ma						-		NPN	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
fypf2045dntu	0.5100	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3完整包				肖特基		TO-220F-3	下载				Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	45 v	20a	700 mv @ 20 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
FDB8444	1.1400	RFQ	167	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载				Ear99	8542.39.0001	264			n通道					40 V	70A（TC）	10V	5.5MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8035 PF @ 25 V	-	167W（TC）
EGP30C	0.2700	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向				标准		Do-201 AD	下载				Ear99	8541.10.0080	1,212		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	150 v		950 mv @ 3 a	50 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜150°C	3a	95pf @ 4V，1MHz
FQPF3N40	0.4400	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					400 v	1.6A（TC）	10V	3.4OHM @ 800mA，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	20W（TC）
FDZ1905PZ	0.3400	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，WLCSP		FDZ1905		MOSFET （金属 o化物）	900MW	6-WLCSP （1x1.5）	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）							-	-		126mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	-		-	逻辑级别门
FNB51060T1	7.5500	RFQ	10	Fairchild半导体	MOTIONSPM®55	管子	积极的			通过洞	20-PowerDip 模块（1.220英寸，31.00mm）	IGBT	FNB51					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.39.0001	13	3相逆变器				10 a	600 v	1500vrms
FGH30T65UPDT_F155	-	RFQ	1617年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		250 w	TO-247-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1				400V，30a，8ohm，15V																		33 ns					沟渠场停止	650 v	60 a	90 a	2.3V @ 15V，30a	（760µJ）（在400µJ上）	155 NC	22ns/139ns
FFP04S60STU	0.4200	RFQ	8003	Fairchild半导体	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-220-2				标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v		2.6 V @ 4 A	25 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	4a	-
NDP7061	2.3200	RFQ	5	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50			n通道					60 V	64A（TC）	10V	16mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	1930 pf @ 25 V	-	130W（TC）
BC237	0.0500	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					350兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																												45 v	100 ma						15NA		NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	200MHz
MMSZ4697	0.0200	RFQ	1283	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123		MMSZ46			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		1 µA @ 7.6 V													10 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²