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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MBR3030CTTU	-	RFQ	2349	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-		0000.00.0000	1
RFP40N10_F102	-	RFQ	7275	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		100 v	40a（TC）	10V	40MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 20 V	±20V		-	160W（TC）
FGB7N60UNDF	1.1100	RFQ	994	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		83 W	D2PAK（TO-263）	下载	Ear99	8541.29.0095	1				400V，7a，10ohm，15V															32.3 ns				npt	600 v	14 a	21 a	2.3V @ 15V，7a	（99µJ）（在104µJ上）	18 NC	5.9NS/32.3NS
DFB2505	1.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P	DFB25		标准		TS-6P	下载	Ear99	8541.10.0080	199																		1.1 V @ 25 A		10 µA @ 50 V		25 a									单相	50 V
FDMS3624S	-	RFQ	6729	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3624		MOSFET （金属 o化物）	2.2W（2.2W），2.5W（ta）	8-pqfn（5x6）	下载	Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				25V	17.5A（TA），30a （TC），30a ta（60a ta），60a tc）		1.8mohm @ 30a，10v，5mohm @ 17.5a，10v	2V @ 250µA，2.2V @ 1mA	26nc @ 10v，59nc @ 10V		1570pf @ 13V，4045pf @ 13V	-
FGH60N60SFTU	3.7100	RFQ	9	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载	Ear99	8542.39.0001	81
FDB2572	1.0000	RFQ	5398	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		150 v	（4a ta），29a （TC）	6V，10V	54mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	135W（TC）
FJP3305H2TU	-	RFQ	4328	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				75 w	TO-220-3	下载	Ear99	8542.39.0001	1																								400 v	4 a								1µA（ICBO）			NPN	1V @ 1A，4A	26 @ 1A，5V	4MHz
FDPF10N60ZUT	1.2200	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	Ear99	8542.39.0001	246			n通道		600 v	9A（TC）	10V	800MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 25 V	-	42W（TC）
1N4745ATR	0.0300	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4745			1 w	do-41	下载	Ear99	8541.10.0050	10,193																				5 µA @ 12.2 V														16 V	16欧姆
FQP17P06	-	RFQ	9680	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Ear99	8542.39.0001	1			P通道		60 V	17a（TC）	10V	120MOHM @ 8.5a，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±25V	900 pf @ 25 V	-	79W（TC）
FGH40T120SMD	-	RFQ	9903	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		555 w	TO-247	下载		0000.00.0000	1				600V，40a，10ohm，15V															65 ns				沟渠场停止	1200 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	2.7MJ（在）上，1.1MJ off）	370 NC	40NS/475NS
PN222222ATA	1.0000	RFQ	6789	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	-		0000.00.0000	1																								40 V	1 a								10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
FDC855N	0.2400	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	Ear99	8542.39.0001	1,265			n通道		30 V	6.1a（ta）	4.5V，10V	27mohm @ 6.1a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	655 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
FGB40N60SM	-	RFQ	2594	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		349 w	D2PAK（TO-263）	下载	Ear99	8542.39.0001	1				400V，40a，6ohm，15V																			现场停止	600 v	80 a	120 a	2.3V @ 15V，40a	870µJ（在）上，260µJ降）	119 NC	12NS/92NS
KSC1008COBU	0.0200	RFQ	1626年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				800兆	TO-92-3	下载	Ear99	8542.39.0001	3,786																								60 V	700 MA								100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 50mA，500mA	70 @ 50mA，2V	50MHz
FDMS7558	-	RFQ	6319	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		25 v	32A（ta），49a（tc）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 32A，10V	3V @ 1mA	119 NC @ 10 V	±20V	7770 pf @ 13 V	-	2.5W（ta），89W（89W）TC）
FDS4935BZ	-	RFQ	9371	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS49		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）				30V	6.9a（ta）		22mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA	40NC @ 10V		1360pf @ 15V	-
FDY2000PZ	0.1600	RFQ	108	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	FDY20		MOSFET （金属 o化物）	446MW	SOT-563F	下载	Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）				20V	350mA		1.2OHM @ 350mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.4NC @ 4.5V		100pf @ 10V	逻辑级别门
MBR1560CT	1.0000	RFQ	5560	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3			肖特基		TO-220-3	下载	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	60 V	15a	900 mv @ 15 A		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
FDMA3027PZ	0.6500	RFQ	21	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDMA3027		MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-microfet（2x2）	下载	Ear99	8542.39.0001	462	2（p 通道（双）				30V	3.3a		87MOHM @ 3.3A，10V	3V @ 250µA	10NC @ 10V		435pf @ 15V	逻辑级别门
FGP3440G2	-	RFQ	8360	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-		0000.00.0000	1
HGTG27N120亿	-	RFQ	8388	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		500 w	TO-247	下载	Ear99	8542.39.0001	1				960V，27a，3ohm，15V																			npt	1200 v	72 a	216 a	2.7V @ 15V，27a	2.2mj（在）上，2.3MJ（2.3MJ）	270 NC	24NS/195NS
FDD3680	-	RFQ	5170	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		100 v	25A（TA）	6V，10V	46mohm @ 6.1a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1735 PF @ 50 V	-	68W（TA）
FGAF40N60UFDTU	2.4800	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		标准		100 W	to-3pf	下载	Ear99	8542.39.0001	122				300V，20a，10ohm，15V															95 ns				-	600 v	40 a	160 a	3V @ 15V，20A	470µJ（在）上，130µj（（）	77 NC	15NS/65NS
FGD3040G2-F085	1.0000	RFQ	5550	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FGD3040	逻辑		150 w	TO-252，（-d-pak）	下载	Ear99	8542.39.0001	1				300V，6.5a，1KOHM，5V																			-	400 v	41 a		1.25V @ 4V，6A	-	21 NC	- /4.8µs
HGTG30N60C3D	6.9600	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		208 w	TO-247	下载	Ear99	8542.39.0001	44				-															60 ns				-	600 v	63 a	252 a	1.8V @ 15V，30a	1.05MJ（在）上，2.5MJ off）	162 NC	-
FDN306P	-	RFQ	1935年	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	Ear99	8542.39.0001	1			P通道		12 v	2.6a（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 2.6a，4.5V	1.5V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±8V	1138 PF @ 6 V	-	500MW（TA）
FDC653N	0.2500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	Ear99	8542.39.0001	1,192			n通道		30 V	5A（5A）	4.5V，10V	35mohm @ 5A，10V	2V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
GBPC1204W	2.4800	RFQ	626	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W			标准		GBPC-W	下载	Ear99	8541.10.0080	122																		1.1 V @ 6 A		5 µA @ 400 V		12 a									单相	400 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²