RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BZX79C18-T50A	0.0300	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	11,539																	1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 12.6 V												18 V	45欧姆
FCH25N60N	3.7500	RFQ	7	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载				Ear99	8542.39.0001	80			n通道	600 v	25A（TC）	10V	126mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
FQP20N06L	-	RFQ	2169	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-					0000.00.0000	1			n通道	60 V	21a（TC）	5V，10V	55mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	53W（TC）
FDMS7608	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS7608	MOSFET （金属 o化物）	1W		Power56	下载				Ear99	8542.39.0001	589	2 n 通道（双）			30V	12a，15a		10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	24NC @ 10V		1510pf @ 15V	逻辑级别门
FDD6688	1.1100	RFQ	149	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	30 V	84a（ta）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	83w（ta）
BZX85C13	0.0300	RFQ	89	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w		DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0050	10,230																	1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 9.1 V												13 V	10欧姆
FDMS8023S	0.6200	RFQ	1	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载				Ear99	8542.39.0001	483			n通道	30 V	26a（26a），49a （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 26a，10v	3V @ 1mA	57 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），59W（TC）
BD13616STU	0.2500	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			1.25 w		TO-126-3	下载				Ear99	8541.29.0095	1,222																								45 v	1.5 a				100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	-
FPF1C2P5MF07AM	1.0000	RFQ	6901	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	F1模块			231 w	单相桥梁整流器	F1	下载					0000.00.0000	1	完整的桥梁逆变器																						-	620 v	39 a	1.6V @ 15V，30a			25 µA	不
2N6520TA	1.0000	RFQ	5741	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N6520		625兆		TO-92-3	下载					0000.00.0000	1																								350 v	500 MA				50NA（iCBO）				PNP	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
GBPC3504	3.6200	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准			GBPC	下载				Ear99	8541.10.0080	90																	1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 400 V		35 a						单相	400 v
BF721T1G	-	RFQ	2316	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w		SOT-223（TO-261）	下载				Ear99	8541.29.0075	1																								300 v	50 mA				10NA（ICBO）				PNP	800mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
gbu8ks	0.8900	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU		标准			gbu	下载				Ear99	8541.10.0080	365																	1 V @ 8 A		5 µA @ 800 V		8 a						单相	800 v
ISL9V2040D3ST	0.9700	RFQ	6	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载				Ear99	8542.39.0001	309
HUF753213	0.6400	RFQ	13	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	468			n通道	55 v	35A（TC）	10V	34mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）
FCH76N60NF	12.8900	RFQ	1	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载				Ear99	8541.29.0095	24			n通道	600 v	72.8A（TC）	10V	38mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±30V	11045 PF @ 100 V	-	543W（TC）
2N3904TAR	-	RFQ	2085	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1																								40 V	200 ma				50NA				NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
1N4754A	0.0300	RFQ	102	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向			1 w		轴向	下载				Ear99	8541.10.0050	9,779																			5 µA @ 29.7 V												39 v	60欧姆
US2JA	0.0900	RFQ	9771	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准			DO-214AC（SMA）	下载				Ear99	8541.10.0080	1,346		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.7 V @ 1.5 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1.5a	30pf @ 4V，1MHz
FDD5N50TM	0.3000	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	640 pf @ 25 V	-	40W（TC）
FDPF15N65	-	RFQ	2828	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	650 v	15A（TC）	10V	440MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	3095 pf @ 25 V	-	38.5W（TC）
FCPF4300N80Z	1.0600	RFQ	931	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	284			n通道	800 v	1.6A（TC）	10V	4.3OHM @ 800mA，10V	4.5V @ 160µA	8.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 100 V	-	19.2W（TC）
FCPF22550N80Z	1.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	216			n通道	800 v	2.6A（TC）	10V	2.25OHM @ 1.3A，10V	4.5V @ 260µA	14 NC @ 10 V	±20V	585 pf @ 100 V	-	21.9W（TC）
GBPC25005W	2.7900	RFQ	500	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC25005	标准			GBPC-W	下载				Ear99	8541.10.0080	117																	1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 50 V		25 a						单相	50 V
PZTA64	0.1500	RFQ	76	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1 w		SOT-223-4	下载				Ear99	8541.29.0075	1,994																								30 V	1.2 a				100NA（ICBO）				pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
FDMC2610	1.0000	RFQ	1155	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	200 v	2.2A（ta），9.5A（tc）	6V，10V	200mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	960 pf @ 100 V	-	2.1W（ta），42W（tc）
FQD7N20LTM	-	RFQ	2891	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道	200 v	5.5A（TC）	5V，10V	750MOHM @ 2.75A，10V	2V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FDMS3604AS	1.3100	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3604	MOSFET （金属 o化物）	1W		8-pqfn（5x6）	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）			30V	13a，23a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1695pf @ 15V	逻辑级别门
MMBD2838	-	RFQ	6233	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准			SOT-23-3	下载				Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	75 v	200mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜150°C
MM3Z10VC	0.0300	RFQ	57	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆		SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	11,539																	1 V @ 10 mA		180 na @ 7 V												10 v	18欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²