RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	（ID） - 最大
KSC1675CYBU	0.0500	RFQ	112	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					250兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																										30 V	50 mA											100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 1mA，10mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
FJP5021OTU	-	RFQ	2764	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					50 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																										500 v	5 a											10µA（ICBO）					NPN	1V @ 600mA，3a	20 @ 600mA，5V	18MHz
FGA40T65SHDF	1.0000	RFQ	8593	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准		268 w		to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，40a，6ohm，15V																101 ns					沟渠场停止	650 v	80 a	120 a	1.81V @ 15V，40a	1.22MJ（在）上，440µJ off）	68 NC	18NS/64NS
UF4006	0.0800	RFQ	78	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		UF400		标准			do-41	下载					Ear99	8541.10.0080	3,643		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																800 v	1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-50°C〜175°C	1a	-
FJN3304RTA	0.0200	RFQ	4788	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN330			300兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																										50 V	100 ma											100NA（ICBO）					npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
FPAB30PH60	14.6200	RFQ	275	Fairchild半导体	SPM®	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT							下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	10	2期				20 a	600 v	2500vrms
FGPF4565	1.2000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			标准		30 W		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，30a，5ohm，15V																					沟渠场停止	650 v		170 a	1.88V @ 15V，30a	-	40.3 NC	11.2NS/40.8NS
MMBF4392	-	RFQ	1075	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1			n通道												14pf @ 20V																				30 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na					60欧姆
FDMS3606AS	1.0900	RFQ	7	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS3606		MOSFET （金属 o化物）	1W		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							30V	13a，27a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1695pf @ 15V	逻辑级别门
FMG2G75US120	55.8100	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	7 pm-ga		FMG2			445 w	标准	7 pm-ga	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥																								-	1200 v	75 a		3V @ 15V，75a									3 ma	不
1N960B	1.8400	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																					25 µA @ 6.9 V																			9.1 v	7.5欧姆
gbu4k	1.0000	RFQ	6366	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU		GBU4		标准			gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	1																			1.1 V @ 4 A		5 µA @ 800 V		2.8 a										单相	800 v
FDS4885C	1.0000	RFQ	6937	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS48		MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1	n和p通道							40V	7.5a，6a		22mohm @ 7.5a，10v	5V @ 250µA	21NC @ 10V		900pf @ 20V	-
DFB2080	1.3600	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P				标准			TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	222																			1.1 V @ 20 A		10 µA @ 800 V		20 a										单相	800 v
1N6008B	1.8400	RFQ	546	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 17 V																			22 v	55欧姆
BAV103-G	0.0400	RFQ	260	Fairchild半导体	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	2,500
FJZ594JCTF	0.0200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F					100兆		SOT-623F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道												3.5pf @ 5V																				20 v	150 µA @ 5 V	600 mV @ 1 µA												1 MA
SS9015ABU	0.0200	RFQ	3817	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					450兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			2156-SS9015ABU-FS	Ear99	8541.21.0075	1,000																										45 v	100 ma											50NA（iCBO）					PNP	700mv @ 5mA，100mA	60 @ 1mA，5V	190MHz
GBPC3504	3.6200	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC				标准			GBPC	下载					Ear99	8541.10.0080	90																			1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 400 V		35 a										单相	400 v
1N6018B	2.0000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 43 V																			56 v	200欧姆
FQU3P20TU	1.0100	RFQ	13	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	70			P通道					200 v	2.4A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
MDB6S	-	RFQ	3110	Fairchild半导体	*	大部分	积极的												下载					Ear99	8541.10.0080	1
BC857C	0.0700	RFQ	6936	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC857			250兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																										45 v	100 ma											15NA（icbo）					PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
GBPC2504W	-	RFQ	1994	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W				标准			GBPC-W	下载						0000.00.0000	1																			1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 400 V		25 a										单相	400 v
FFP04H60STU	0.4100	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2				标准			TO-220AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v	2.1 V @ 4 A	45 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	4a	-
gbu8g	-	RFQ	2664	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Esip，Gbu				标准			gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	146																			1 V @ 8 A		5 µA @ 400 V		5.6 a										单相	400 v
FCI7N60	-	RFQ	5391	Fairchild半导体	SuperFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道					600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	83W（TC）
FCH077N65F-F085	6.1300	RFQ	148	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	49			n通道					650 v	54A（TC）	10V	77mohm @ 27a，10v	5V @ 250µA	164 NC @ 10 V	±20V	7162 PF @ 25 V	-	481W（TC）
FDMC8010A	1.1100	RFQ	6	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDMC8010		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000																-
KSC1623LMTF	-	RFQ	9122	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					200兆		SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KSC1623LMTF-600039			1																										50 V	100 ma											100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 10mA，100mA	300 @ 1mA，6v	250MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²