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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDMS8025AS	0.4300	RFQ	9	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDMS8025	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000															-
BAW74	0.0400	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAW74	标准		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0070	7,612		小信号= <200ma（io（io），任何速度															1对公共阳极	50 V	200mA	1 V @ 100 ma	4 ns	100 µA @ 50 V	150°C （最大）
HUF764323	-	RFQ	5532	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	566			n通道				60 V	59A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 59a，10v	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±16V	1765 PF @ 25 V	-	130W（TC）
BZX79C22	0.0200	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																				1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 15.4 V					22 v	55欧姆
MJD47TF-FS	0.3400	RFQ	86	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MJD47		1.56 w	TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000																										200µA			NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
FDMC6683PZ	-	RFQ	3427	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装			FDMC66	MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000			P通道				20 v	40a（TC）	2.5V，4.5V		1.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±12V	7995 PF @ 10 V	-	26W（TC）
KSH112TM	-	RFQ	3267	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		KSH11		1.75 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500																								100 v	2 a	20µA			npn-达灵顿	3V @ 40mA，4a	1000 @ 2a，3v	25MHz
FDB5680	1.7400	RFQ	7	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				60 V	40a（TC）	6V，10V	20mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	65W（TC）
MPSA12	0.0500	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	5,000																								20 v		100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 10µA，10mA	20000 @ 10mA，5V	-
IRFM120A	-	RFQ	2953	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	89			n通道				100 v	2.3a（ta）	10V	200mohm @ 1.15a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
MMBF170	-	RFQ	4869	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				60 V	500mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	40 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
FDD6776A	0.3700	RFQ	27	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				25 v	17.7a（TA），30a tc）	4.5V，10V	7.5mohm @ 17.7a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），39W（tc）
FJV4110RMTF	0.0200	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FJV411		200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																								40 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
KSC900GTA	0.0200	RFQ	9320	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	12,000																								25 v	50 mA	50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 2mA，20mA	200 @ 500µA，3V	100MHz
FJV3114RMTF	0.0300	RFQ	2898	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FJV311		200兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
SFU9214TU	0.3200	RFQ	56	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道				250 v	1.53A（TC）	10V	4ohm @ 770mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	295 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），19W（tc）
NDS9933A	-	RFQ	9116	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NDS993	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	930	2（p 通道（双）						20V	2.8a		140MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	8.5nc @ 4.5V		405pf @ 10V	逻辑级别门
FJX3004RTF	0.0500	RFQ	2035	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323		FJX300		200兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,778																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
FDU8882	0.5100	RFQ	9933	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	518			n通道				30 V	12.6A（ta），55A（tc）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1260 pf @ 15 V	-	55W（TC）
FJN5471TA	0.0200	RFQ	1678年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	327																								20 v	5 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，3a	700 @ 500mA，2V	150MHz
SSD2025TF	-	RFQ	4169	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		SSD2025	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						60V	3.3a		100mohm @ 3.3a，10v	1V @ 250µA	30nc @ 10V		-	逻辑级别门
HUF759253	0.7700	RFQ	2	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				200 v	11A（TC）	10V	275mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 20 V	±20V	1030 pf @ 25 V	-	100W（TC）
2SA2205-E	-	RFQ	4800	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				800兆	TP	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SA2205-E-600039			1																								100 v	2 a	1µA（ICBO）			PNP	240mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，5V	300MHz
FSBM15SM60A	19.8200	RFQ	126	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	48	3期			15 a	600 v	2500vrms
MTD3055V	1.0000	RFQ	2138	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				60 V	12a（12a）	10V	150mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	3.9W（TA），48W（tc）
FDS6990S	0.9400	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS6990	MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）						30V	7.5A（ta）		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 1mA	16nc @ 5V		1233pf @ 15V	-
FDD8874	0.6600	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				30 V	18A（18A），116a（tc）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2990 pf @ 15 V	-	110W（TC）
BC547TF	0.0200	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	15,000																								45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
2N7002W	1.0000	RFQ	6836	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3（SOT323）	下载					Ear99	8541.21.0095	1			n通道				60 V	115ma（ta）	5V，10V	7.5OHM @ 50mA，5V	2V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
FDMS3600AS	1.0100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS3600	MOSFET （金属 o化物）	2.2W，2.5W	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）						25V	15a，30a		5.6mohm @ 15a，10v	2.7V @ 250µA	27nc @ 10V		1770pf @ 13V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²