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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BC557BBU	-	RFQ	1153	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																				45 v	100 ma			15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
FDLL914A	0.0200	RFQ	6982	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		标准		SOD-80	下载					Ear99	8542.39.0001	3,258	小信号= <200ma（io（io），任何速度												100 v	1 V @ 20 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	175°c （最大）	200mA	4pf @ 0v，1MHz
FQPF4N60	0.7000	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	2.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	36W（TC）
MPSW3725	0.1000	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	TO-226-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,500																				40 V	1.2 a			100NA（ICBO）			NPN	950mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	250MHz
IRFR420T	0.6200	RFQ	7	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					IRFR420				下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRFR420T-600039			1
SB2003M-TL-E	0.1900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	6-SMD，平坦的铅		肖特基		6-MCPH	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-SB2003M-TL-E-600039			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	500 mv @ 2 a	20 ns	30 µA @ 15 V	-55°C〜125°C	2a	75pf @ 10V，1MHz
BC239BTA	0.0200	RFQ	6681	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,241																				25 v	100 ma			15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
KSP44TF	1.0000	RFQ	6560	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1																				400 v	300 MA			500NA			NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	-
FDI8442	1.5300	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	40 V	23A（23A），80a tc（TC）	10V	2.9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	235 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 25 V	-	254W（TC）
SFR9024TM	0.4000	RFQ	5190	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	175		P通道	60 V	7.8A（TC）	10V	280mohm @ 3.9a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
SS9013FBU	0.0200	RFQ	32	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	15,000																				20 v	500 MA			100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 50mA，500mA	78 @ 50mA，1V	-
FJC1308RTF	0.0700	RFQ	5963	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			500兆	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件			2156-FJC1308RTF	Ear99	8541.21.0095	4,000																				30 V	3 a			500NA			PNP	450mv @ 150mA，1.5a	180 @ 500mA，2V	-
SS9012HTA	-	RFQ	2713	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																				20 v	500 MA			100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 50mA，500mA	144 @ 50mA，1V	-
FDD6796A	0.5200	RFQ	749	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	750		n通道	25 v	20A（20A），40a tc（TC）		5.7MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），42W（tc）
BC33716	0.0700	RFQ	56	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																				45 v	800 MA			100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
KSP2907ATF	0.0500	RFQ	99	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	6,138																				60 V	600 MA			10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
BD241BTU	0.2500	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																				80 V	3 a			300µA			NPN	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	-
SI6463DQ	0.4600	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	20 v	8.8a（ta）	2.5V，4.5V	12.5mohm @ 8.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	66 NC @ 4.5 V	±12V	5045 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
RHRD460S9A	0.4700	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		雪崩		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	2.1 V @ 4 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	4a	-
FDS7098N3	0.5100	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±20V	1587 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
BZX79C7V5	0.0200	RFQ	405	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000														1.5 V @ 100 ma		1 µA @ 5 V									7.5 v	15欧姆
提示106	0.2700	RFQ	8150	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			80 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	890																				80 V	8 a			50µA			pnp-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	4MHz
BC549CBU	0.0200	RFQ	4528	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000																				30 V	100 ma			15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
FFPF04H60STU	0.4700	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	2.1 V @ 4 A	45 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	4a	-
KSR1004BU	0.0700	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSR1004		300兆	TO-92-3	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-KSR1004BU	Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	100 ma			100NA			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
1N5254B	3.7600	RFQ	140	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	80														1.2 V @ 200 ma		100 na @ 21 V									27 V	41欧姆
GBU4J	0.8400	RFQ	360	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Esip，Gbu		标准		gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	1														1 V @ 4 A		5 µA @ 600 V		2.8 a				单相	600 v
FDP023N08B	2.1300	RFQ	21	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDP023	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
flz6v2a	0.0200	RFQ	6234	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	11,324														1.2 V @ 200 ma		3.3 µA @ 3 V									5.9 v	8.5欧姆
FQA8N90C	1.8100	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30		n通道	900 v	8A（TC）	10V	1.9OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	240W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²