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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDS6993	1.0100	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）				30V，12V	4.3a，6.8a		55MOHM @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	7.7nc @ 5V		530pf @ 15V	逻辑级别门
KST06MTF-FS	-	RFQ	4273	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																									80 V	500 MA								100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	100MHz
FDT86106LZ	-	RFQ	2362	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDT86106LZ	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		100 v	3.2A（ta）	4.5V，10V	108MOHM @ 3.2A，10V	2.2V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 50 V	-	1W（ta）
MMBT200	-	RFQ	9440	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMBT200-600039			1																									45 v	500 MA								50NA			PNP	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，5V	250MHz
FDP8442-F085	1.2700	RFQ	750	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDP8442-F085-600039			1			n通道		40 V	23A（23A），80a tc（TC）	10V	3.1MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	235 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 25 V	-	254W（TC）
MM5Z22V	-	RFQ	6086	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z2			200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																				50 NA @ 15.4 V															22 v	55欧姆
BC638BU	1.0000	RFQ	4505	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,000																									60 V	1 a								100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
FDB8453Lz	0.6700	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道		40 V	16.1A（TA），50a （TC）	4.5V，10V	7MOHM @ 17.6A，10V	3V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	3545 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），66W（tc）
FCH077N65F-F155	6.0400	RFQ	66	Fairchild半导体	FRFET®，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	66			n通道		650 v	54A（TC）	10V	77mohm @ 27a，10v	5V @ 5.4mA	164 NC @ 10 V	±20V	7109 PF @ 100 V	-	481W（TC）
KSH210TM	0.3600	RFQ	95	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH21			1.4 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500																									25 v	5 a								100NA（ICBO）			PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
2N4400TA	0.0200	RFQ	7295	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000																									40 V	600 MA								-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，1V	-
1N754A	1.9300	RFQ	129	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	156																		1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V															6.8 v	5欧姆
FDW2511NZ	0.3600	RFQ	348	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25		MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共排水				20V	7.1a		20mohm @ 7.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	17.3nc @ 4.5V		1000pf @ 10V	逻辑级别门
S2M	-	RFQ	4700	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	S2M		标准		DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														1000 v		1.15 V @ 2 A	1.5 µs	1 µA @ 1000 V	-50°C〜150°C	2a	30pf @ 4V，1MHz
kbu4a	0.5700	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准		KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	200																		1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a										单相	50 V
FDMA910PZ	1.0000	RFQ	7442	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道		20 v	9.4A（TA）	1.8V，4.5V	20mohm @ 9.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±8V	2805 pf @ 10 V	-	2.4W（TA）
FQP4N25	0.2700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道		250 v	3.6A（TC）	10V	1.75OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±30V	200 pf @ 25 V	-	52W（TC）
1N965B	-	RFQ	5550	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向				500兆	do-7	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																		1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V															15 v	16欧姆
PN2907BU	0.0500	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN2907			625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	9,078																									40 V	800 MA								20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
FDS9431A	-	RFQ	5307	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道		20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	130MOHM @ 3.5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	405 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
HUFA76407D3	0.2300	RFQ	10	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75			n通道		60 V	12A（TC）	4.5V，10V	92MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
KSC900LTA	0.0200	RFQ	8238	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,925																									25 v	50 mA								50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 2mA，20mA	350 @ 500µA，3V	100MHz
KSD2012YTU	0.2000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				25 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																									60 V	3 a								100µA（ICBO）			NPN	1V @ 200mA，2a	100 @ 500mA，5V	3MHz
2N3904BU	0.0400	RFQ	1854年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																									40 V	200 ma								-			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BSR18A	-	RFQ	7229	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																									40 V	200 ma								50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FGA5065ADF	2.5200	RFQ	325	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		268 w	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，50a，6ohm，15V															31.8 ns					沟渠场停止	650 v	100 a	150 a	2.2V @ 15V，50a	1.35MJ（在）上，309µJ（（）	72.2 NC	20.8NS/62.4NS
MMSZ5246ET1G	-	RFQ	3310	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123				500兆	SOD-123	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMSZ5246ET1G-600039			1																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V															16 V	17欧姆
IRF9540	1.2500	RFQ	750	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF9540-600039			1			P通道		100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FDMS8025AS	0.4300	RFQ	9	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDMS8025		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000													-
BAW74	0.0400	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW74		标准		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0070	7,612		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对公共阳极	50 V	200mA	1 V @ 100 ma	4 ns	100 µA @ 50 V	150°C （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²