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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BZX79C22	0.0200	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																			1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 15.4 V											22 v	55欧姆
BAW74	0.0400	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW74		标准		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0070	7,612		小信号= <200ma（io（io），任何速度														1对公共阳极	50 V	200mA	1 V @ 100 ma	4 ns	100 µA @ 50 V	150°C （最大）
IRF9540	1.2500	RFQ	750	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF9540-600039			1			P通道			100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FJV4110RMTF	0.0200	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV411			200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																								40 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
FDD6776A	0.3700	RFQ	27	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			25 v	17.7a（TA），30a tc）	4.5V，10V	7.5mohm @ 17.7a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），39W（tc）
KSC900GTA	0.0200	RFQ	9320	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	12,000																								25 v	50 mA						50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 2mA，20mA	200 @ 500µA，3V	100MHz
FJV3114RMTF	0.0300	RFQ	2898	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV311			200兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																								50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
MTD3055V	1.0000	RFQ	2138	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道			60 V	12a（12a）	10V	150mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	3.9W（TA），48W（tc）
flz36va	0.0200	RFQ	51	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																			1.2 V @ 200 ma		133 na @ 27 V											33 V	63欧姆
FDMS3600AS	1.0100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3600		MOSFET （金属 o化物）	2.2W，2.5W	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）					25V	15a，30a		5.6mohm @ 15a，10v	2.7V @ 250µA	27nc @ 10V		1770pf @ 13V	逻辑级别门
SFS9634	0.3900	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道			250 v	3.4A（TC）	10V	1.30OHM @ 1.7A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	975 PF @ 25 V	-	33W（TC）
FCU850N80Z	1.1700	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	257			n通道			800 v	6A（TC）	10V	850MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 600µA	29 NC @ 10 V	±20V	1315 PF @ 100 V	-	75W（TC）
SSF7N60B	-	RFQ	6587	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			600 v	5.4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	86W（TC）
KSC2001YBU	0.0200	RFQ	147	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				600兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000																								25 v	700 MA						100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 70mA，700mA	135 @ 100mA，1V	170MHz
FDMC0310AS	1.0000	RFQ	5497	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道			30 V	（19a）（TA），21a （TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 19a，10v	3V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	3165 PF @ 15 V	-	2.4W（TA），36W（tc）
mpsh11	0.0500	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				350MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000					-																			25V	50mA									NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz			-
FQU8P10TU	0.4000	RFQ	16	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	745			P通道			100 v	6.6A（TC）	10V	530mohm @ 3.3a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	470 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
BC183LC	1.0000	RFQ	1099	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				350兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																								30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
FDD8444L	1.1200	RFQ	337	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			40 V	16a（16A），50A（tc）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 50a，10V	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±20V	5530 pf @ 25 V	-	153W（TC）
MM3Z3V6C	0.0300	RFQ	128	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																			1 V @ 10 mA		4.5 µA @ 1 V											3.6 v	84欧姆
SI4822DY	0.4300	RFQ	7	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	701			n通道			30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±20V	2180 pf @ 15 V	-	1W（ta）
FDMS7580	0.7400	RFQ	12	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	404			n通道			25 v	（15A）（29A）（29A）（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1190 pf @ 13 V	-	2.5W（27W），27W（TC）
MMSZ5246ET1G	-	RFQ	3310	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123				500兆	SOD-123	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMSZ5246ET1G-600039			1																			900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V											16 V	17欧姆
KSD2012YTU	0.2000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				25 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																								60 V	3 a						100µA（ICBO）			NPN	1V @ 200mA，2a	100 @ 500mA，5V	3MHz
2N3904BU	0.0400	RFQ	1854年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																								40 V	200 ma						-			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BSR18A	-	RFQ	7229	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																								40 V	200 ma						50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FGA5065ADF	2.5200	RFQ	325	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		268 w	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，50a，6ohm，15V																31.8 ns			沟渠场停止	650 v	100 a	150 a	2.2V @ 15V，50a	1.35MJ（在）上，309µJ（（）	72.2 NC	20.8NS/62.4NS
SFR2955TF	0.2500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道			60 V	7.6A（TC）	10V	300MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
KSA928AYTA	0.1400	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）				1 w	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	2,153																								30 V	2 a						100NA（ICBO）			PNP	2V @ 30mA，1.5a	160 @ 500mA，2V	120MHz
NDS335N	0.1800	RFQ	95	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道			20 v	1.7A（TA）	2.7V，4.5V	110MOHM @ 1.7A，4.5V	1V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	8V	240 pf @ 10 V	-	500MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²