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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
GBPC1508	2.5700	RFQ	4019	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC				标准		GBPC	下载					Ear99	8541.10.0080	100																						1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 800 V		15 a										单相	800 v
GBPC2510W	-	RFQ	1579年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W				标准		GBPC-W	下载					Ear99	8541.10.0080	1																						1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 1 V		25 a										单相	1 kV
FDP12N50NZ	-	RFQ	9483	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						500 v	11.5A（TC）	10V	520MOHM @ 5.75A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	1235 PF @ 25 V	-	170W（TC）
FGH40N65UFDTU-F085	-	RFQ	1254	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		290 w	TO-247	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，40a，10ohm，15V																			65 ns					现场停止	650 v	80 a	120 a	2.4V @ 15V，40a	1.28mj（在）上，500µJ off）	119 NC	23ns/126ns
FDD5N50NZFTM	-	RFQ	3985	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						500 v	3.7A（TC）	10V	1.75OHM @ 1.85a，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±25V	485 pf @ 25 V	-	62.5W（TC）
DF005M	0.2300	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）				标准		DFM	下载					Ear99	8541.10.0080	1,296																						1.1 V @ 1 A		10 µA @ 50 V		1 a										单相	50 V
GBPC12005	-	RFQ	1499年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC				标准		GBPC	下载					Ear99	8541.10.0080	1																						1.1 V @ 6 A		5 µA @ 50 V		12 a										单相	50 V
FDS6990A	-	RFQ	4289	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS6990		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）								30V	7.5a		18mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 5V		1235pf @ 15V	逻辑级别门
FGB7N60UNDF	1.1100	RFQ	994	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		83 W	D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8541.29.0095	1				400V，7a，10ohm，15V																			32.3 ns					npt	600 v	14 a	21 a	2.3V @ 15V，7A	（99µJ）（在104µJ上）	18 NC	5.9NS/32.3NS
DFB2505	1.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P		DFB25		标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	199																						1.1 V @ 25 A		10 µA @ 50 V		25 a										单相	50 V
KST10MTF	-	RFQ	3534	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350MW	SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1					-																								25V	-															NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz	-
FGA30N60LSDTU	2.9000	RFQ	551	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FGA30N60	标准		480 w	to-3p	下载					Ear99	8542.39.0001	104				400V，30a，6.8Ohm，15V																			35 ns					沟渠场停止	600 v	60 a	90 a	1.4V @ 15V，30a	1.1MJ（在）上，21MJ（21MJ）	225 NC	18NS/250NS
FDMS3624S	-	RFQ	6729	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS3624		MOSFET （金属 o化物）	2.2W（2.2W），2.5W（ta）	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）								25V	17.5A（TA），30a （TC），30a ta（60a ta），60a tc）		1.8mohm @ 30a，10v，5mohm @ 17.5a，10v	2V @ 250µA，2.2V @ 1mA	26nc @ 10v，59nc @ 10V		1570pf @ 13V，4045pf @ 13V	-
FGH60N60SFTU	3.7100	RFQ	9	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8542.39.0001	81
1N4745ATR	0.0300	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1N4745			1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	10,193																								5 µA @ 12.2 V																		16 V	16欧姆
1N4753A-T50A	0.0300	RFQ	69	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	9,366																								5 µA @ 27.4 V																		36 V	50欧姆
PN222222ATA	1.0000	RFQ	6789	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	-						0000.00.0000	1																													40 V	1 a											10NA（ICBO）				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
FCPF7N60YDTU	1.0100	RFQ	3	Fairchild半导体	SuperFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道						600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	31W（TC）
FAM65V05DF1	41.0100	RFQ	15	Fairchild半导体	spm®	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（0.300英寸，7.62mm）	IGBT						下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期					50 a	650 v	2500vrms
FDPF12N50NZ	0.9800	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	306			n通道						500 v	11.5A（TC）	10V	520MOHM @ 5.75A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	1235 PF @ 25 V	-	42W（TC）
SS13	0.1200	RFQ	416	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA				肖特基		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,435		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		30 V		500 mv @ 1 A		200 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
KSC1008COBU	0.0200	RFQ	1626年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					800兆	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	3,786																													60 V	700 MA											100NA（ICBO）				NPN	400mv @ 50mA，500mA	70 @ 50mA，2V	50MHz
FGH20N60SFDTU-F085	-	RFQ	4352	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		165 w	TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	1				400V，20a，10ohm，15V																			40 ns					现场停止	600 v	40 a	60 a	2.8V @ 15V，20A	430µJ（在）（130µJ）上	66 NC	13NS/90NS
FGB40N60SM	-	RFQ	2594	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		349 w	D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，40a，6ohm，15V																								现场停止	600 v	80 a	120 a	2.3V @ 15V，40a	870µJ（在）上，260µJ降）	119 NC	12NS/92NS
NDT451AN	-	RFQ	4547	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	35MOHM @ 7.2A，10V	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	720 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
J175-D26Z	0.1400	RFQ	135	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					350兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	2,213			P通道													-																						30 V	7 ma @ 15 V	3 V @ 10 na				125欧姆
UF4007	1.0000	RFQ	6139	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		UF400		标准		do-41	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		1000 v		1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 1000 V	-50°C〜175°C	1a	-
BZX85C9V1	0.0300	RFQ	67	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C9			1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 6.8 V																		9.1 v	5欧姆
FFPF06U150STU	0.2300	RFQ	9529	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包				标准		TO-220F-2L	-	rohs3符合条件			2156-FFPF06U150STU-FS	Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		1500 v		1.8 V @ 6 A	150 ns	10 µA @ 1500 V	-65°C〜150°C	6a	-
FFAF40U60DNTU	1.2500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3				标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	360		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	600 v	40a	2.1 V @ 40 A	110 ns	20 µA @ 600 V	-65°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²