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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	电流 -峰值输出	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -崩溃	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	当前 -崩溃
HGT1S14N36G3VLT_NL	-	RFQ	5266	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		逻辑		100 W		i2pak（（TO-262）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	124					300V，7A，28OHM，5V																				-	390 v	18 a	2.2V @ 5V，14a	-	24 NC	- /7µs
FDD6670A_NL	0.8700	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1				n通道			30 V	（15a）（TA），66A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±20V	1755 pf @ 15 V	-	1.3W（TA），63W（tc）
FDD6692	0.5500	RFQ	66	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				n通道			30 V	54A（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	2164 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
FQB34N20TM	2.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,600				n通道			200 v	31a（TC）	10V	75MOHM @ 15.5A，10V	5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），180W（tc）
FDS6670S	0.9600	RFQ	28	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500				n通道			30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 13.5a，10v	3V @ 1mA	34 NC @ 5 V	±20V	2674 PF @ 15 V	-	1W（ta）
FQD5P20TM	-	RFQ	1774年	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				P通道			200 v	3.7A（TC）		1.4OHM @ 1.85a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
KST5179MTF	0.0200	RFQ	47	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350MW		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000						15DB																				12V	50mA									NPN		25 @ 3mA，1V	900MHz	4.5db @ 200MHz
PN222222TF	0.0500	RFQ	80	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	5,805																										30 V	600 MA					10NA（ICBO）				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10mv	300MHz
KSC1674CYTA	0.0200	RFQ	322	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250MW		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000						-																				20V	20mA									NPN		120 @ 1mA，6v	600MHz	3DB〜5DB @ 100MHz
MMSZ5244B	-	RFQ	9892	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ52			500兆		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	622																			900 mv @ 10 ma		100 na @ 10 V													14 V	15欧姆
FDP5N60NZ	1.0000	RFQ	7880	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1				n通道			600 v	4.5A（TC）	10V	2ohm @ 2.25a，10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	600 pf @ 25 V	-	100W（TC）
FDMS5362L	0.2900	RFQ	45	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDMS5362		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000															-
HP4936DY	0.4600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HP4936		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						30V	5.8A（ta）		37MOHM @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		625pf @ 25V	逻辑级别门
KSD560YTU	-	RFQ	5589	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD560			1.5 w		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																										100 v	5 a					1µA（ICBO）				npn-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	5000 @ 3A，2V	-
BD681S	0.3000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD681			40 W		TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										100 v	4 a					500µA				npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
FFPF10U40STU	0.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包			标准			TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																400 v	1.4 V @ 10 A	50 ns	30 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	10a	-
BZX79C6V8-T50A	-	RFQ	6600	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																			1.5 V @ 100 ma		2 µA @ 4 V													6.8 v	15欧姆
FDS3570	2.3700	RFQ	79	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500				n通道			80 V	9a（9a）	6V，10V	20mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	2750 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
KSB811YTA	0.0200	RFQ	4868	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3				350兆		TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,978																										25 v	1 a					100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	110MHz
DB3TG	0.0600	RFQ	6252	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）		DO-204AH，DO-35，轴向						do-35	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	3,371			2 a														30〜34V																								15 µA
FMG1G150US60H	55.2800	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				595 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																								-	600 v	150 a	2.7V @ 15V，150a				250 µA	不
1N4733A-T50R	0.0300	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4733			1 w		do-41	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					10 µA @ 1 V													5.1 v	7欧姆
ISL9N306AP3	0.7500	RFQ	55	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1				n通道			30 V	75A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 15 V	-	125W（TA）
FDU6670AS	0.7200	RFQ	3	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDU6670		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1															-
FDP46N30	-	RFQ	6188	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDP46N30-600039		0000.00.0000	1
HUF76013D3S	0.2300	RFQ	2254	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,212				n通道			20 v	20A（TC）	5V，10V	22mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	624 pf @ 20 V	-	50W（TC）
FDY1002PZ	-	RFQ	1950年	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	FDY1002		MOSFET （金属 o化物）	446MW		SOT-563F	下载					Ear99	8542.39.0001	20	2（p 通道（双）						20V	830mA		500MOHM @ 830mA，4.5V	1V @ 250µA	3.1nc @ 4.5V		135pf @ 10V	逻辑级别门
FCH20N60	2.6500	RFQ	838	Fairchild半导体	SuperFet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30				n通道			600 v	20A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	208W（TC）
FDS8936A	1.3500	RFQ	75	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）						30V	6a（6a）		28mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	27nc @ 10V		650pf @ 15V	-
SS9013FBU	0.0200	RFQ	32	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	15,000																										20 v	500 MA					100NA（ICBO）				NPN	600mv @ 50mA，500mA	78 @ 50mA，1V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²