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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
KST4403MTF	0.0300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST44			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																							40 V	600 MA								-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
3N256	1.0000	RFQ	1219	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm			标准		kbpm	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	30																1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 400 V		2 a										单相	400 v
HUFA753393	1.1600	RFQ	2	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	400			n通道		55 v	75A（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
PN2907TFR	1.0000	RFQ	2187	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	2,000																							40 V	800 MA								20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
FDP10AN06A0	1.3100	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	400			n通道		60 V	（12a）（ta），75a tc（TC）	6V，10V	10.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1840 pf @ 25 V	-	135W（TC）
FGPF70N30TTU	1.2100	RFQ	11	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		49.2 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50				-																		沟	300 v		160 a	1.5V @ 15V，20A	-	125 NC	-
BD681S	0.3000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD681			40 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																							100 v	4 a								500µA			npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
FDS3992	-	RFQ	3710	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS39		MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				100V	4.5a		62MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	15nc @ 10V		750pf @ 25V	-
FDB14AN06LA0	1.0000	RFQ	7597	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800			n通道		60 V	10a（10A），67A （TC）	5V，10V	11.6mohm @ 67a，10v	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	125W（TC）
FDS9945	-	RFQ	2555	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS99		MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				60V	3.5A（ta）		100mohm @ 3.5a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 5V		420pf @ 30V	逻辑级别门
FQPF2N70	0.6300	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8541.29.0095	1			n通道		700 v	2A（TC）	10V	6.3OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	28W（TC）
FQB27N25TM	1.3000	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB27		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		250 v	25.5A（TC）	10V	131MOHM @ 25.5A，10V	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	417W（TJ）
FDD850N10LD	-	RFQ	7269	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	2,500			n通道		100 v	15.3A（TC）		75mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	28.9 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 25 V	-	42W（TC）
FDN336P	0.1400	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载				Ear99	8542.39.0001	2,156			P通道		20 v	1.3a（ta）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.3A，4.5V	1.5V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±8V	330 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
FDY4001CZCT	-	RFQ	6907	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDY40		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			2,101													-
HUF76013D3ST	0.2800	RFQ	150	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		20 v	20A（TC）	5V，10V	22mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	624 pf @ 20 V	-	50W（TC）
SFW2955TM	0.4000	RFQ	5792	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	540			P通道		60 V	9.4A（TC）	10V	300MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），49W（tc）
1N4749A	0.0300	RFQ	90	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	do-41	下载				Ear99	8541.10.0050	9,779																1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V															24 V	25欧姆
FQI2P25TU	0.7500	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道		250 v	2.3a（TC）	10V	4ohm @ 1.15a，10v	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），52W（（ta）
FDU7030BL	0.6400	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道		30 V	（14A）（56A（ta）（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 14A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1425 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），60W（TC）
KST56MTF	0.0200	RFQ	86	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																							80 V	500 MA								100NA			PNP	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	50MHz
FDP8N50NZ	-	RFQ	5475	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					0000.00.0000	1			n通道		500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±25V	735 PF @ 25 V	-	130W（TC）
FFPF10U40STU	0.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包			标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v	1.4 V @ 10 A	50 ns	30 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	10a	-
BZX79C6V8-T50A	-	RFQ	6600	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 100 ma		2 µA @ 4 V															6.8 v	15欧姆
HUF75545P3_NL	2.1100	RFQ	9855	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100			n通道		80 V	75A（TC）	10V	10mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	235 NC @ 20 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	270W（TC）
FDC638P	-	RFQ	5721	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载				Ear99	8542.39.0001	1			P通道		20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	48mohm @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	1160 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
FDD8880_NL	0.4400	RFQ	777	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	777			n通道		30 V	（13a）（ta），58a tc）	4.5V，10V	9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1260 pf @ 15 V	-	55W（TC）
FQI17N08LTU	0.3700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50			n通道		80 V	16.5A（TC）	5V，10V	100mohm @ 8.25a，10V	2V @ 250µA	11.5 NC @ 5 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），65W（tc）
S2B	-	RFQ	1122	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			标准		SMB（do-214AA）	下载				Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v	1.15 V @ 2 A	1.5 µs	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	2a	-
KSH112TM	-	RFQ	3267	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH11			1.75 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	2,500																							100 v	2 a								20µA			npn-达灵顿	3V @ 40mA，4a	1000 @ 2a，3v	25MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²