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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BZX85C30	0.0300	RFQ	78	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C30				1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							1.2 V @ 200 ma		500 na @ 22 V																		30 V	30欧姆
BZX85C5V6	0.0300	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C5				1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 2 V																		5.6 v	7欧姆
kbu6d	0.5400	RFQ	5011	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu					标准		KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	425																							1 V @ 6 A		10 µA @ 200 V		6 a										单相	200 v
RGP10A	0.0600	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				通过洞	do-204al，do-41，轴向					标准		do-41	下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-RGP10A-600039			5,362		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				50 V	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
kbu6g	-	RFQ	7582	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu					标准		KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	200																							1 V @ 6 A		10 µA @ 50 V		6 a										单相	400 v
RGP10J	0.0600	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				通过洞	do-204al，do-41，轴向		RGP10			标准		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				600 v	1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
KSA643YTA	0.0500	RFQ	559	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）						500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																														20 v	500 MA											200NA（ICBO）				PNP	400mv @ 50mA，500a	120 @ 100mA，1V	-
KSC5024RTU	0.6700	RFQ	496	Fairchild半导体	-	管子	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3						90 W	to-3pn	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	496																														500 v	10 a											10µA（ICBO）				NPN	1V @ 800mA，4a	15 @ 800mA，5V	18MHz
FSAM10SM60A	17.5200	RFQ	141	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的				通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	3期							10 a	600 v	2500vrms
IRFN214BTA	0.1800	RFQ	152	Fairchild半导体	*	大部分	积极的							IRFN214			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,664																			-
SFP9520	0.1900	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			P通道								100 v	6A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	49W（TC）
2N4126	0.0200	RFQ	75	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）						625兆	到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1																														25 v	200 ma											50NA（iCBO）				PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz
2N5246	0.3000	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				-	JFET		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道			7ma		-	-														-
FDPC1012S	0.4300	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDPC1			MOSFET （金属 o化物）	800MW（ta），900MW（（	PowerClip-33	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	428	2 n 通道（双）										25V	（13A）（35a ta）（35a tc），26a（ta（88a tc）（88a tc）		7mohm @ 12a，4.5V，2.2Mohm @ 23A，4.5V	2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA	8NC @ 4.5V，25nc @ 4.5V		1075pf @ 13V，3456pf @ 13V	-
BD435S	-	RFQ	9366	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD435				36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																														32 v	4 a											100µA				NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 10mA，5v	3MHz
FDD3672-F085	-	RFQ	7875	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FD3672-F085-600039			1			n通道								100 v	44A（TC）	6V，10V	47mohm @ 21a，6v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1635 PF @ 25 V	-	144W（TC）
FQP5N20L	0.2900	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								200 v	4.5A（TC）	5V，10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	2V @ 250µA	6.2 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	-	52W（TC）
FDS8958	1.0000	RFQ	3491	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS89			MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1	n和p通道										30V	7a，5a		28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	26NC @ 10V		789pf @ 10V	逻辑级别门
FDD4243	-	RFQ	4995	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道								40 V	6.7A（ta），14a （TC）	4.5V，10V	44mohm @ 6.7a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 20 V	-	42W（TC）
BZX79C3V6	0.0300	RFQ	153	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向						500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	8,849																							1.5 V @ 100 ma		15 µA @ 1 V																		3.6 v	90欧姆
FDS86267P	1.0000	RFQ	3306	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道								150 v	2.2A（ta）	6V，10V	255mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	1130 PF @ 75 V	-	1W（ta）
kbu4b	1.0000	RFQ	4810	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu					标准		KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	200																							1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a										单相	100 v
FQA18N50V2	2.8400	RFQ	380	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3					MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	450			n通道								500 v	20A（TC）	10V	265mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±30V	3290 pf @ 25 V	-	277W（TC）
GBPC2506	-	RFQ	6367	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC					标准		GBPC	下载						0000.00.0000	1																							1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 600 V		25 a										单相	600 v
PN5432	1.0000	RFQ	8043	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）						350兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道															30pf @ 10V（vgs）																					25 v	150 ma @ 15 V	4 V @ 3 na				5欧姆
KSD1616GTA	-	RFQ	7609	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）						750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	4,000																														50 V	1 a											100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	160MHz
FGPF90N30	0.9600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			标准			56.8 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1					-																								-	300 v		220 a	1.55V @ 15V，30a	-	93 NC	-
BC556BBU	0.0200	RFQ	6062	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）						500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	12,695																														65 v	100 ma											15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
1N6011b	1.8400	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向						500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																							1.2 V @ 200 ma		100 na @ 23 V																		30 V	78欧姆
FDP039N08B	2.4200	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的													-		供应商不确定	供应商不确定	2156-FDP039N08B-600039			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²