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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDPF18N20FT	-	RFQ	1903年	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					0000.00.0000	1			n通道					200 v	18A（TC）	10V	140MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	41W（TC）
FNA40860B2	12.9000	RFQ	211	Fairchild半导体	MOTIONSPM®45	大部分	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.024英寸，26.00mm）	IGBT						下载				Ear99	8542.39.0001	1	3期				8 a	600 v	2000vrms
FDB86102LZ	0.8700	RFQ	11	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载				Ear99	8542.39.0001	345			n通道					100 v	8.3a（ta），30a （TC）	4.5V，10V	24mohm @ 8.3a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 50 V	-	3.1W（TA）
FDB9409-F085	1.0000	RFQ	2313	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					40 V	80A（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2980 pf @ 25 V	-	94W（TJ）
FCH125N60E	1.0000	RFQ	7379	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载				Ear99	8541.29.0095	1			n通道					600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 14.5A，10V	3.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2990 pf @ 380 V	-	278W（TC）
1N4148WS	-	RFQ	7476	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323		1N4148		标准		SOD-323	下载				Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	75 v			4 ns		-55°C〜150°C	150mA	2pf @ 0v，1MHz
FQU5N40TU	0.5600	RFQ	28	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载				Ear99	8542.39.0001	535			n通道					400 v	3.4A（TC）	10V	1.6OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FDP8880	0.5200	RFQ	62	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	573			n通道					30 V	11a（11a），54a（tc）	4.5V，10V	11.6mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 15 V	-	55W（TC）
ffa60up20dntu	1.1600	RFQ	450	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				标准		to-3pn	下载				Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	200 v	30a	1.15 V @ 30 A	40 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FDS8928A	1.0000	RFQ	1457	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS89		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载				Ear99	8541.21.0095	1	n和p通道							30V，20V	5.5a，4a		30mohm @ 5.5A，4.5V	1V @ 250µA	28nc @ 4.5V		900pf @ 10V	逻辑级别门
FCH060N80-F155	1.0000	RFQ	3001	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载					0000.00.0000	1			n通道					800 v	56A（TC）	10V	60mohm @ 29a，10v	4.5V @ 5.8mA	350 NC @ 10 V	±20V	14685 PF @ 100 V	-	500W（TC）
2N4403TF	0.0400	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载				Ear99	8541.21.0075	7,991																												40 V	600 MA								-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
MM3Z62VC	0.0300	RFQ	69	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F					200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	1																					1 V @ 10 mA		45 NA @ 43.4 V															62 v	202欧姆
FDMD8260LET60	3.1200	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	12-Powerwdfn		FDMD8260		MOSFET （金属 o化物）	1.1W	12-Power3.3x5	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							60V	15a		5.8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	68nc @ 10V		5245pf @ 30V	-
FQD1N60CTM	0.2700	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1,110			n通道					600 v	1A（TC）	10V	11.5ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
In5258b	-	RFQ	6015	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		通过洞	轴向							下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
FDLL3595	-	RFQ	1666年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				标准		SOD-80	下载					0000.00.0000	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	125 v		1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	-65°C 〜200°C	200mA	8pf @ 0v，1MHz
NDS8425	0.8200	RFQ	60	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NDS842		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					20 v	7.4a（ta）	2.7V，4.5V	22mohm @ 7.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1098 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDMS3669S	0.8500	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS3669		MOSFET （金属 o化物）	1W（ta），2.2W（2.2W（tc），1W（1W（ta），2.5W（ta（TC）（TC）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	352	2 n 通道（双）							30V	（13a）（24a t tc）（18a ta），60a tc（60a tc）（TC）		10mohm @ 13a，10v，5mohm @ 18a，10v	2.7V @ 250µA，2.5V @ 1mA	24nc @ 10v，34nc @ 10V		1605pf @ 15V，2060pf @ 15V	逻辑级别门
MM3Z24VC	0.0300	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F					200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	11,539																					1 V @ 10 mA		45 NA @ 16.8 V															24 V	65欧姆
FQPF11P06	0.6200	RFQ	552	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	552			P通道					60 V	8.6A（TC）	10V	175MOHM @ 4.3A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	30W（TC）
1N5232B	0.0300	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞						500兆		下载				Ear99	8541.10.0050	11,539																							5 µA @ 3 V															5.6 v	11欧姆
MBRB41H100CT-1G	1.0800	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载				Ear99	8542.39.0001	279
FDMS3622S	-	RFQ	2375	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS3622		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							25V	17.5a，34a		5mohm @ 17.5A，10V	2V @ 250µA	26NC @ 10V		1570pf @ 13V	逻辑级别门
DF01S1	0.1900	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼				标准		4-SDIP	下载				Ear99	8541.10.0080	1,700																					1.1 V @ 1 A		3 µA @ 100 V		1 a										单相	100 v
FDA16N50LDTU	1.5800	RFQ	26	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3（（SC-65-3））				MOSFET （金属 o化物）		to-3pn（l形成）	下载				Ear99	8542.39.0001	190			n通道					500 v	16.5A（TC）	10V	380MOHM @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1945 pf @ 25 V	-	205W（TC）
2SD1802T-E	0.3200	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA					1 w	TP	下载				Ear99	8541.29.0075	1																												50 V	5 a								1µA（ICBO）			NPN	0.5V @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	150MHz
1N5249BTR	0.0200	RFQ	138	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	1																					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 14 V															19 v	23欧姆
FQPF6N80T	1.1600	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					800 v	3.3A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.65A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	51W（TC）
FGA40T65SHDF	1.0000	RFQ	8593	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准		268 w	to-3pn	下载				Ear99	8542.39.0001	1				400V，40a，6ohm，15V																		101 ns					沟渠场停止	650 v	80 a	120 a	1.81V @ 15V，40a	1.22MJ（在）上，440µJ off）	68 NC	18NS/64NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²