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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	电流 -峰值输出	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -崩溃	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	当前 -崩溃
MPSA05	-	RFQ	4173	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,203																												60 V	500 MA	100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FCH47N60N	8.7500	RFQ	810	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	35				n通道				600 v	47A（TC）	10V	62MOHM @ 23.5A，10V	4V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±30V	6700 PF @ 100 V	-	368W（TC）
FDMS7696A	0.1500	RFQ	24	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDMS7696	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000																-
SS9013GTA	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	15,000																												20 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 50mA，500mA	112 @ 50mA，1V	-
FQD8N25TF	0.4600	RFQ	33	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000				n通道				250 v	6.2A（TC）	10V	550MOHM @ 3.1A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	530 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
1N4150TR	0.0200	RFQ	6219	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	5		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		50 V		1 V @ 200 MA	6 ns	100 na @ 50 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
FLZ22VC	0.0200	RFQ	47	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																						1.2 V @ 200 ma		133 na @ 17 V							21.7 v	25.6欧姆
BC307BBU	-	RFQ	6045	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																												45 v	100 ma	15NA			PNP	500mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	130MHz
MM3Z11VB	0.0300	RFQ	429	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																						1 V @ 10 mA		900 na @ 8 V							11 V	18欧姆
HUF75945G3	2.3100	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				n通道				200 v	38A（TC）	10V	71MOHM @ 38A，10V	4V @ 250µA	280 NC @ 20 V	±20V	4023 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FDS2570	-	RFQ	6447	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,500				n通道				150 v	4A（ta）	6V，10V	72MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1907 PF @ 75 V	-	1W（ta）
BZX85C33-FS	-	RFQ	8662	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX85C33-FS	Ear99	8541.10.0050	1
1N5243BTR	0.0200	RFQ	170	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																						1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V							13 V	13欧姆
KSC2310YBU	0.0500	RFQ	118	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	500																												150 v	50 mA	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 10mA，5V	100MHz
DB3TG	0.0600	RFQ	6252	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）		DO-204AH，DO-35，轴向					do-35	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	3,371			2 a															30〜34V																			15 µA
FQU8N25TU	0.6400	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	70				n通道				250 v	6.2A（TC）	10V	550MOHM @ 3.1A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	530 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
FDFS6N303	0.2900	RFQ	86	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500				n通道				30 V	6a（6a）	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	900MW（TA）
FDSS2407	0.7200	RFQ	565	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDSS24	MOSFET （金属 o化物）	2.27W	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							62V	3.3a		110MOHM @ 3.3a，10V	3V @ 250µA	4.3nc @ 5V		300pf @ 15V	逻辑级别门
bav99wt1g	1.0000	RFQ	3243	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		BAV99	标准		SC-70-3（SOT323）	下载					Ear99	8541.10.0070	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对系列连接	100 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 µA @ 70 V	-65°C〜150°C
FSAM10SH60A-FS	58.6700	RFQ	406	Fairchild半导体	motionspm®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器				10 a	600 v	2500vrms
MM3Z3V9C	1.0000	RFQ	5882	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																						1 V @ 10 mA		2.7 µA @ 1 V							3.9 v	84欧姆
1N5399	0.0400	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向			标准		do-15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	4,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		1000 v		1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
KSC2883YTF	0.1200	RFQ	110	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	4,000																												30 V	1.5 a	100NA（ICBO）			NPN	2V @ 30mA，1.5a	160 @ 500mA，2V	120MHz
MMBTA05	-	RFQ	5097	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBTA05		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												60 V	500 MA	100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FDC6302P	0.2800	RFQ	151	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FDC6302	MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载					Ear99	8541.21.0095	1	2（p 通道（双）							25V	120mA		10ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	0.31NC @ 4.5V		11pf @ 10V	逻辑级别门
FDW2506P	0.6400	RFQ	180	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		FDW25	MOSFET （金属 o化物）	600MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）							20V	5.3a		22mohm @ 5.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	34NC @ 4.5V		1015pf @ 10V	逻辑级别门
FDU6696	0.9100	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1				n通道				30 V	（13A）（TA），50A（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 13a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±16V	1715 PF @ 15 V	-	1.6W（ta），52W（tc）
1N4744A-T50A	-	RFQ	6004	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	do-41	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-1N4744A-T50A-600039			1																								5 µA @ 11.4 V							15 v	14欧姆
2N5401_D28Z	1.0000	RFQ	2181	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	-	不适用				Ear99	8541.21.0075	2,000																												150 v	600 MA	50NA（iCBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	400MHz
FCI11N60	1.2100	RFQ	64	Fairchild半导体	SuperFet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				n通道				600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1490 pf @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²