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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
KSP8599CTA	0.0200	RFQ	9617	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	8,000																									80 V	500 MA								100NA					PNP	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
FGH30N120FTDTU	1.0000	RFQ	7432	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		339 w		TO-247	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	150				-															730 ns					沟渠场停止	1200 v	60 a	90 a	2V @ 15V，30a	-	208 NC	-
FDS6682	-	RFQ	4662	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		30 V	14A（TA）	4.5V，10V	7.5mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±20V	2310 PF @ 15 V	-	1W（ta）
RF1K49157	0.5100	RFQ	960	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	6.3a（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 6.3a，10v	3V @ 250µA	88 NC @ 20 V	±20V	1575 PF @ 25 V	-	2W（TA）
KSB834YTU	0.4500	RFQ	57	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				1.5 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																									60 V	3 a								100µA（ICBO）					PNP	1V @ 300mA，3a	100 @ 500mA，5V	9MHz
FDMS2504SDC	2.1900	RFQ	7	Fairchild半导体	Dual Cool™，PowerTrench®，SyncFet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		25 v	42A（42A），49A （TC）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 32A，10V	3V @ 1mA	119 NC @ 10 V	±20V	7770 pf @ 13 V	-	3.3W（TA），104W（tc）
ISL9N310AS3ST	0.3300	RFQ	70	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	62A（TC）	4.5V，10V	10ohm @ 62a，10a	3V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	70W（TA）
FJNS3201RTA	0.0200	RFQ	301	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS32			300兆		TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma								100NA（ICBO）					npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
MMSZ5253B	1.0000	RFQ	1744年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123				500兆		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 19 V																25 v	35欧姆
SS8550CTA	0.0600	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				1 w		TO-92-3	下载					Ear99	8541.29.0075	4,948																									25 v	1.5 a								100NA（ICBO）					PNP	500mv @ 80mA，800mA	120 @ 100mA，1V	200MHz
FQA32N20C	1.3100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）			to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		200 v	32A（TC）	10V	82MOHM @ 16a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	204W（TC）
kbu6k	-	RFQ	4104	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准			KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	200																		1 V @ 6 A		10 µA @ 800 V		6 a										单相	800 v
FLZ36VC	0.0200	RFQ	9474	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆		SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	4,513																		1.2 V @ 200 ma		133 na @ 27 V																34.3 v	63欧姆
HGTG11N120CND	-	RFQ	3823	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		298 w		TO-247	下载					Ear99	8542.39.0001	1				960V，11A，10欧姆，15V															70 ns					npt	1200 v	43 a	80 a	2.4V @ 15V，11a	（950µJ）（在），1.3MJ（（）	100 NC	23ns/180ns
MBRP2045NTU	0.3000	RFQ	44	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3	MBRP2045		肖特基			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	45 v	20a	800 mv @ 20 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
MJD117TF	0.3000	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				1.75 w		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MJD117TF-600039	Ear99	8541.29.0095	1																									100 v	2 a								20µA					pnp-达灵顿	3V @ 40mA，4a	1000 @ 2a，3v	25MHz
KSA1625KTA	0.0700	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				750兆w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																									400 v	500 MA								1µA（ICBO）					PNP	1V @ 10mA，100mA	100 @ 50mA，5V	10MHz
SFP9634	0.4100	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道		250 v	5A（TC）	10V	1.3OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	975 PF @ 25 V	-	70W（TC）
MJD112TF	-	RFQ	5690	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD11			1.75 w		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000																									100 v	2 a								20µA					npn-达灵顿	3V @ 40mA，4a	1000 @ 2a，3v	25MHz
NDT454P	1.0000	RFQ	6529	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT454		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-4	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道		30 V	5.9a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.9a，10v	2.7V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
FQB70N08TM	1.2000	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道		80 V	70A（TC）	10V	17mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±25V	2700 PF @ 25 V	-	3.75W（ta），155W（tc）
SI9426DY	-	RFQ	5109	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		20 v	10.5a（ta）	2.7V，4.5V	13.5MOHM @ 10.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±8V	2150 pf @ 10 V	-	1W（ta）
FDN371N	1.0000	RFQ	3691	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN371		MOSFET （金属 o化物）			Supersot-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	50mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	10.7 NC @ 4.5 V	±12V	815 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
FMS6G10US60	15.4500	RFQ	23	Fairchild半导体	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa				66 W	三相桥梁整流器	25 pm-aa	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30	三相逆变器																							-	600 v	10 a		2.7V @ 15V，10a						250 µA	是的			710 PF @ 30 V
ES1H	0.0900	RFQ	13	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA			标准			DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	3,209		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														500 v		1.7 V @ 1 A	35 ns	5 µA @ 500 V	150°C （最大）	1a	-
BC560C	0.0700	RFQ	6745	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆		TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件			2156-BC560C-FS	Ear99	8541.21.0075	5,000																									45 v	100 ma								15NA（icbo）					PNP	250mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
RGF1K	0.1200	RFQ	6089	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	RGF1		标准			SMA（do-214ac）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														800 v		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	8.5pf @ 4V，1MHz
FDB7042L	0.6000	RFQ	119	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	50a（ta）	4.5V，10V	7.5mohm @ 25a，10v	2V @ 250mA	51 NC @ 4.5 V	±12V	2418 pf @ 15 V	-	83w（ta）
FDMC6296	0.6000	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		30 V	11.5A（TA）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	19 nc @ 5 V	±20V	2141 PF @ 15 V	-	900MW（TA），2.1W（TC）
FQU4P25TU	0.3400	RFQ	4481	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	23			P通道		250 v	3.1A（TC）	10V	2.1OHM @ 1.55A，10V	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	420 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²