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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MMSZ5226B-FS	0.0200	RFQ	307	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123				500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		25 µA @ 1 V																	3.3 v	28欧姆
SFR9230BTMAM002	-	RFQ	7165	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					SFR9230		-			-	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8542.39.0001	2,500													-
BZX85C24	0.0300	RFQ	69	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C24			1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,000																		1.2 V @ 200 ma		500 na @ 18 V																	24 V	25欧姆
IRFU024ATU	-	RFQ	1398	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					IRFU024		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1													-
FGI3040G2-F085	-	RFQ	5990	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		逻辑		150 w	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1				300V，6.5a，1KOHM，5V															1.9 µs					-	400 v	41 a	1.25V @ 4V，6A	-	21 NC	- /4.8µs
1N5255B	-	RFQ	2887	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5255			500兆	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																		900 mv @ 200 ma		100 na @ 21 V																	28 V	44欧姆
FCPF11N60T	-	RFQ	9096	Fairchild半导体	SuperFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF11		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1			n通道		600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1490 pf @ 25 V	-	36W（TC）
KSA614YTU	0.3300	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSA614			25 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																									55 v	3 a										50µA（ICBO）				PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 500mA，5V	-
1N5402	-	RFQ	7746	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	1N5402		标准		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.10.0080	1,250		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														200 v		1.2 V @ 3 A	1.5 µs	200 na @ 200 V	-50°C〜175°C	3a	-
HUF76131SK8T_NB82084	-	RFQ	8464	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					HUF76131		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1													-
BC560CTA	1.0000	RFQ	1751年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC560			500兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																									45 v	100 ma										15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
KSA614Y	-	RFQ	5342	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSA614			25 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																									55 v	3 a										50µA（ICBO）				PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 500mA，5V	-
MMBFJ177	-	RFQ	7221	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBFJ1			225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000			P通道									-																					30 V	1.5 ma @ 15 V	800 mv @ 10 na				300欧姆
BSR15	-	RFQ	1370	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR15			350兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																									40 V	800 MA										20NA（ICBO）				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
BD677AS	-	RFQ	6526	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD677			40 W	TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																									60 V	4 a										500µA				npn-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
FDLL914	0.0300	RFQ	137	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			标准		SOD-80	下载				Ear99	8542.39.0001	11,539		小信号= <200ma（io（io），任何速度														100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	175°c （最大）	200mA	4pf @ 0v，1MHz
DF01M	0.2600	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）			标准		DFM	下载				Ear99	8541.10.0080	1,151																		1.1 V @ 1 A		10 µA @ 100 V		1 a									单相	100 v
FFH60UP40S3	1.0000	RFQ	9759	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3			标准		TO-247	下载				Ear99	8542.39.0001	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v		1.3 V @ 60 A	85 ns	100 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	60a	-
BAT54CWT1G	-	RFQ	7445	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAT54		肖特基		SC-70-3（SOT323）	下载				Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对普通阴极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜125°C
FDS3692	1.0000	RFQ	9168	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道		100 v	4.5A（ta）	6V，10V	60mohm @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	746 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
EGP20D	1.0000	RFQ	3844	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向			标准		do-15	下载				Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														200 v		950 mv @ 2 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	2a	70pf @ 4V，1MHz
SS28	-	RFQ	9924	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			肖特基		DO-214AA（SMB）	下载				Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														80 V		850 mv @ 2 a		400 µA @ 80 V	-65°C〜125°C	2a	-
RHRP30120	-	RFQ	9134	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2			标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1200 v		3.2 V @ 30 A	85 ns	250 µA @ 1200 V	-65°C〜175°C	30a	-
FDB016N04AL7	-	RFQ	3084	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	FDB016		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道		40 V	160a（TC）	10V	1.6mohm @ 80a，10v	3V @ 250µA	167 NC @ 10 V	±20V	11600 PF @ 25 V	-	283W（TC）
FDH047AN08A0	1.0000	RFQ	9498	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载				Ear99	8541.29.0095	1			n通道		75 v	15A（TC）	6V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FDMD8900	0.9900	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-Powerwdfn	FDMD89		MOSFET （金属 o化物）	2.1W	12-Power3.3x5	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				30V	19a，17a		4mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	35nc @ 10V		2605pf @ 15V	-
MM3Z62VC	0.0300	RFQ	69	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	1																		1 V @ 10 mA		45 NA @ 43.4 V																	62 v	202欧姆
FJL4315OTU	2.5900	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA				150 w	HPM F2	下载				Ear99	8542.39.0001	126																									250 v	17 a										5µA（ICBO）				NPN	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
BSS138L	-	RFQ	1985	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载				Ear99	8541.21.0095	1			n通道		50 V	200ma（ta）	2.75V，5V	3.5OHM @ 200mA，5V	1.5V @ 1mA	2.4 NC @ 10 V	±20V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
BZX85C12	0.0300	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0050	10,230																		1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 8.4 V																	12 v	9欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²