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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BC80740MTF	-	RFQ	8447	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				310 MW		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																							45 v	800 MA								100NA				PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FPF2G120BF07AS	103.1400	RFQ	980	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	模块				156 w	标准	F2	下载					Ear99	8542.39.0001	3	3独立																					现场停止	650 v	40 a		2.2V @ 15V，40a						250 µA	是的
SB340	0.2000	RFQ	2266	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向			肖特基			DO-201-201	下载					Ear99	8541.10.0080	801		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														40 V	490 mv @ 3 a	500 µA @ 40 V	-50°C〜150°C	3a	-
FQD1N60TF	0.2900	RFQ	42	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			600 v	1A（TC）	10V	11.5ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
ksc2333ytu-fs	1.0000	RFQ	9839	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				15 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																							400 v	2 a								1ma				NPN	1V @ 100mA，500mA	20 @ 100mA，5V	-
1N756ATR	0.0500	RFQ	170	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.5 V @ 200 ma	100 na @ 1 V																8.2 v	8欧姆
FDU8580	0.6000	RFQ	7	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75			n通道			20 v	35A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1445 pf @ 10 V	-	49.5W（TC）
HUFA76609D3S	-	RFQ	2128	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	36			n通道			100 v	10A（TC）	4.5V，10V	160MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±16V	425 pf @ 25 V	-	49W（TC）
FDP86363_F085	-	RFQ	3136	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道			80 V	110A（TC）	10V	2.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 40 V	-	300W（TJ）
HUFA75852G3	-	RFQ	1363	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	150			n通道			150 v	75A（TC）	10V	16mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	480 NC @ 20 V	±20V	7690 pf @ 25 V	-	500W（TC）
BC549B	0.0400	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																							30 V	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
MMBZ5230B	0.0200	RFQ	84	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52			350兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma	5 µA @ 2 V																4.7 v	19欧姆
FDS6690AS	1.0000	RFQ	5344	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6690		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道			30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	3V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
BZX85C8V2.TA	-	RFQ	3841	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.1％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w		do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 5 V																8.2 v	5欧姆
提示31	0.3300	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1200																							40 V	3 a								300µA				NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
BC237BTA	1.0000	RFQ	3236	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																							45 v	100 ma								15NA				NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
KSP05TA	0.0300	RFQ	2353	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP05			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																							60 V	500 MA								100NA				NPN	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	100MHz
SFS9630YDTU	0.2700	RFQ	5	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					SFS9630		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1														-
HUF76429S3ST_Q	-	RFQ	8101	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-						0000.00.0000	150
BZX85C10	0.0300	RFQ	98	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	9,072																	1.2 V @ 200 ma	500 na @ 7 V																10 v	7欧姆
FJAF6810DTU	1.5300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				60 W		to-3pf	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	30																							750 v	10 a								1ma				NPN	3V @ 1.5a，6a	5 @ 6a，5v	-
FJP5554TU	0.3100	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP555			70 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																							400 v	4 a								250µA				NPN	1.5V @ 1A，3.5A	20 @ 800mA，3v	-
KSD471ACYBU	1.0000	RFQ	6110	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				800兆		TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																							30 V	1 a								100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	130MHz
2KBP06M	0.2900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm			标准			kbpm	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30																	1.1 V @ 3.14 A	5 µA @ 600 V		2 a										单相	600 v
FDB8880	0.6300	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB888		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	476			n通道			30 V	11a（11a），54a（tc）	4.5V，10V	11.6mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 15 V	-	55W（TC）
HGTG20N60B3	-	RFQ	9298	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		165 w		TO-247	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HGTG20N60B3-600039			1				-																		-	600 v	40 a	160 a	2V @ 15V，20A	-	135 NC	-
HUF75321D3	0.2700	RFQ	7657	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,050			n通道			55 v	20A（TC）	10V	36mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）
NDS9430	0.6400	RFQ	112	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	528 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
2N3663	1.0000	RFQ	3328	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				350MW		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000					1.5dB																		12V	50mA												NPN		20 @ 8mA，10v	2.1GHz	6.5db @ 60MHz
SMC6280p	0.1800	RFQ	9	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					SMC6280		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000														-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²