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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FCH170N60	3.1900	RFQ	2	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载				Ear99	8542.39.0001	102		n通道					600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）
HUF76009D3ST	0.2500	RFQ	12	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					20 v	20A（TC）	5V，10V	27mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 20 V	-	41W（TC）
HUF764373	1.1600	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					60 V	71A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 71a，10v	3V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±16V	2230 PF @ 25 V	-	155W（TC）
SI3457DV	-	RFQ	9186	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载				Ear99	8541.29.0095	1		P通道					30 V	4A（ta）	4.5V，10V	50MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	8.1 NC @ 5 V	±25V	470 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
FDD6N50TM	-	RFQ	3527	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道					500 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	9400 PF @ 25 V	-	89W（TC）
HUF76445S3ST	1.4000	RFQ	385	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800		n通道					60 V	75A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±16V	4965 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FPDB20PH60	12.7800	RFQ	4	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT						下载	rohs3符合条件			Ear99	8542.39.0001	10	2期			12 a	600 v	2500vrms
HGT1S10N120亿	-	RFQ	2471	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		HGT1S10	标准		298 w	TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1			960V，10a，10ohm，15V																		npt	1200 v	35 a	80 a	2.7V @ 15V，10a	（320µJ）（在800µJ上）	100 NC	23ns/165ns
1N4731A	0.0300	RFQ	56	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-	通过洞	轴向		1N4731			1 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																	1 V @ 100 ma		10 µA @ 1 V													4.3 v	9欧姆
TIP32A	-	RFQ	8033	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示32			2 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																						60 V	3 a								200µA			PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	-
FDP16N50	1.2000	RFQ	14	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	16A（TC）	10V	380MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1945 pf @ 25 V	-	200W（TC）
1N6001B	1.8400	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	163																	1.2 V @ 200 ma		100 na @ 8.4 V													11 V	18欧姆
ISL9N304AP3	0.6000	RFQ	10	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	75A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	4075 PF @ 15 V	-	145W（TA）
FDB24AN06LA0	1.0000	RFQ	4278	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800		n通道					60 V	7.8A（ta），40a tc（TC）	5V，10V	19mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 5 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BC237BTA	1.0000	RFQ	3236	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																						45 v	100 ma								15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
HUF76429S3ST_Q	-	RFQ	8101	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-					0000.00.0000	150
提示31	0.3300	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1200																						40 V	3 a								300µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
FDS6690AS	1.0000	RFQ	5344	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS6690		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道					30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	3V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
BZX85C10	0.0300	RFQ	98	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0050	9,072																	1.2 V @ 200 ma		500 na @ 7 V													10 v	7欧姆
KSD471ACYBU	1.0000	RFQ	6110	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					800兆	TO-92-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1																						30 V	1 a								100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	130MHz
2KBP06M	0.2900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm				标准		kbpm	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	30																	1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 600 V	2 a									单相	600 v
FGH40N60SMDF-F085	-	RFQ	3861	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		349 w	TO-247	下载				Ear99	8542.39.0001	1			400V，40a，6ohm，15V															90 ns			现场停止	600 v	80 a	120 a	2.5V @ 15V，40a	1.3mj（在）上，260µJ off）	122 NC	18NS/110NS
HUFA75852G3	-	RFQ	1363	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	150		n通道					150 v	75A（TC）	10V	16mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	480 NC @ 20 V	±20V	7690 pf @ 25 V	-	500W（TC）
BC549B	0.0400	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																						30 V	100 ma								15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
KSP05TA	0.0300	RFQ	2353	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSP05			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																						60 V	500 MA								100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	100MHz
MMBZ5230B	0.0200	RFQ	84	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52			350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		5 µA @ 2 V													4.7 v	19欧姆
BZX85C8V2.TA	-	RFQ	3841	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.1％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	do-41	下载				Ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V													8.2 v	5欧姆
SFS9630YDTU	0.2700	RFQ	5	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						SFS9630		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1															-
BC80740MTF	-	RFQ	8447	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																						45 v	800 MA								100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FDP86363_F085	-	RFQ	3136	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道					80 V	110A（TC）	10V	2.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 40 V	-	300W（TJ）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²