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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MMBFJ176	-	RFQ	5115	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					225兆	SOT-23-3	下载				Ear99	8541.21.0095	1			P通道												-																					30 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 10 na				250欧姆
SI3457DV	-	RFQ	9186	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载				Ear99	8541.29.0095	1			P通道					30 V	4A（ta）	4.5V，10V	50MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	8.1 NC @ 5 V	±25V	470 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
FPDB20PH60	12.7800	RFQ	4	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT						下载	rohs3符合条件			Ear99	8542.39.0001	10	2期				12 a	600 v	2500vrms
HGT1S10N120亿	-	RFQ	2471	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		HGT1S10	标准		298 w	TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1				960V，10a，10ohm，15V																						npt	1200 v	35 a	80 a	2.7V @ 15V，10a	（320µJ）（在800µJ上）	100 NC	23ns/165ns
FDD6N50TM	-	RFQ	3527	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					500 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	9400 PF @ 25 V	-	89W（TC）
HUF764373	1.1600	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					60 V	71A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 71a，10v	3V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±16V	2230 PF @ 25 V	-	155W（TC）
FDB24AN06LA0	1.0000	RFQ	4278	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800			n通道					60 V	7.8A（ta），40a tc（TC）	5V，10V	19mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 5 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FQP10N20C	0.6500	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	461			n通道					200 v	9.5A（TC）	10V	360MOHM @ 4.75a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	72W（TC）
FGD3N60LSDTM-T-FS	1.0000	RFQ	8947	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准		40 W	TO-252，（-d-pak）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	2,500				480V，3A，470OHM，10V																		234 ns				-	600 v	6 a	25 a	1.5V @ 10V，3A	250µJ（在）上，1MJ（1MJ）	12.5 NC	40NS/600NS
FCP850N80Z	-	RFQ	8496	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					800 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 600µA	29 NC @ 10 V	±20V	1315 PF @ 100 V	-	136W（TC）
BZX85C51	0.0200	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																					1.2 V @ 200 ma		500 na @ 36 V																	51 v	115欧姆
FDU8770	1.5600	RFQ	7	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	75			n通道					25 v	35A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	3720 PF @ 13 V	-	115W（TC）
ISL9N304AS3ST	1.4600	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道					30 V	75A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	4075 PF @ 15 V	-	145W（TA）
HUF76629D3S	0.7000	RFQ	38	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道					100 v	20A（TC）		52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	110W（TC）
HUFA755453	0.8700	RFQ	345	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	345			n通道					80 V	75A（TC）	10V	10mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	235 NC @ 20 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	270W（TC）
FDP16N50	1.2000	RFQ	14	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50			n通道					500 v	16A（TC）	10V	380MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1945 pf @ 25 V	-	200W（TC）
TIP32A	-	RFQ	8033	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示32			2 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																											60 V	3 a											200µA				PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	-
HUF76445S3ST	1.4000	RFQ	385	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800			n通道					60 V	75A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±16V	4965 PF @ 25 V	-	310W（TC）
1N4731A	0.0300	RFQ	56	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-	通过洞	轴向		1N4731			1 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																					1 V @ 100 ma		10 µA @ 1 V																	4.3 v	9欧姆
FDPF770N15A	-	RFQ	3901	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					150 v	10A（TC）	10V	77MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	11.2 NC @ 10 V	±20V	765 PF @ 75 V	-	21W（TC）
1N6001B	1.8400	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	163																					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 8.4 V																	11 V	18欧姆
ISL9N304AP3	0.6000	RFQ	10	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	75A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	4075 PF @ 15 V	-	145W（TA）
HUF75321S3S	0.4000	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	50			n通道					55 v	35A（TC）		34mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）
FDB6690S	0.7000	RFQ	1	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800			n通道					30 V	42a（ta）	4.5V，10V	15.5MOHM @ 21a，10V	3V @ 1mA	15 NC @ 5 V	±20V	1238 pf @ 15 V	-	48W（TC）
FQI8N60CTU	1.1800	RFQ	6	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		FQI8N60		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					600 v	7.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.75A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1255 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），147W（tc）
FDMC8588	-	RFQ	1850年	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMC85		MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载				Ear99	8541.29.0095	1			n通道					25 v	16.5A（TA），40a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 17a，10v	1.8V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±12V	1228 pf @ 13 V	-	2.4W（26W），26W tc）
提示100	0.4400	RFQ	759	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					2 w	TO-220F	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50																											60 V	5 a											50µA				npn-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
BAT54SWT1G	1.0000	RFQ	1661年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		BAT54		肖特基		SC-70-3（SOT323）	下载				Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																1对系列连接	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜125°C
GBPC1508W	2.7100	RFQ	350	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W				标准		GBPC-W	下载				Ear99	8541.10.0080	1																					1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 800 V		15 a									单相	800 v
HUFA75321D3	0.3000	RFQ	6	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	75			n通道					55 v	20A（TC）	10V	36mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²