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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
KSE13003-AS	0.1400	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				20 w		TO-126-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,219																									400 v	1.5 a						-			NPN	3V @ 500mA，1.5a	8 @ 500mA，2V	4MHz
FQI3N80TU	1.0000	RFQ	6011	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道		800 v	3A（TC）	10V	5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	690 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），107W（TC）
SS32	0.2700	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		表面安装	DO-214AB，SMC			肖特基			SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														20 v		500 mv @ 3 a		500 µA @ 20 V	-55°C〜150°C	3a	-
FDMC86520L	-	RFQ	9527	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	13.5A（TA），22a （TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 13.5A，10V	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	4550 pf @ 30 V	-	2.3W（ta），40W（TC）
HUF75631SK8T	-	RFQ	6747	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FDP7030L	2.1300	RFQ	29	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道		30 V	80a（ta）	4.5V，10V	7mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±20V	2440 pf @ 15 V	-	68W（TC）
SFR9120TM	0.2500	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		100 v	4.9A（TC）	10V	600mohm @ 2.5a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
FMM7G20US60N	28.1700	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	模块				89 w	三相桥梁整流器	-	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-FMM7G20US60N	Ear99	8541.29.0095	1	三期逆变器																							-	600 v	20 a		2.7V @ 15V，20A				250 µA	是的	1.277 NF @ 30 V
FDS6675A	1.0000	RFQ	1503	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±25V	2330 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
HGTD3N60C3S9A	0.4000	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		33 W		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500				480V，3A，82OHM，15V																				-	600 v	6 a	24 a	2V @ 15V，3A	（85µJ）（在），245µJ（245µJ）	10.8 NC	-
S3K	-	RFQ	3073	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		表面安装	DO-214AB，SMC			标准			SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														800 v		1.15 V @ 3 A	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-50°C〜150°C	3a	-
FGA40S65SH	-	RFQ	9300	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		268 w		to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，40a，6ohm，15V																				沟渠场停止	650 v	80 a	120 a	1.81V @ 15V，40a	（194µJ）（在388μj上）	73 NC	19.2NS/68.8NS
2SA1962RTU	2.9500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				130 w		to-3p	下载					Ear99	8541.29.0075	1																									250 v	17 a						5µA（ICBO）			PNP	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
FCH041N65F	8.3400	RFQ	788	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				FCH041		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1													-
FQAF14N30	1.0400	RFQ	310	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	310			n通道		300 v	11.4A（TC）	10V	290MOHM @ 5.7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1360 pf @ 25 V	-	90W（TC）
2N5830	0.0400	RFQ	47	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																									100 v	200 ma						50NA（iCBO）			NPN	250mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	-
FDD6612A	0.5000	RFQ	262	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	598			n通道		30 V	9.5A（ta），30a tc）	4.5V，10V	20mohm @ 9.5a，10V	3V @ 250µA	9.4 NC @ 5 V	±20V	660 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），36W（tc）
FQB3N30TM	0.4100	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道		300 v	3.2A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.6A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），55W（tc）
FMG1G400US60L	104.0200	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				1136 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																							-	600 v	400 a		2.7V @ 15V，400A				250 µA	不
BC548BBU	0.0200	RFQ	4079	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																									30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
FDMS8672S	0.7300	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	17a（17a），35A（tc）	4.5V，10V	5mohm @ 17a，10v	3V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	2515 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
FDC6322C	0.5000	RFQ	363	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6322		MOSFET （金属 o化物）	700MW		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道				25V	220mA，460mA		4ohm @ 400mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		9.5pf @ 10V	逻辑级别门
KSE210STU	1.0000	RFQ	2254	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				15 W		TO-126-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																									25 v	5 a						100NA（ICBO）			PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
fypf2004dntu	0.7200	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-3完整包			肖特基			TO-220F-3	下载					Ear99	8541.10.0080	419		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	40 V	20a	670 mv @ 20 a		1 mA @ 40 V	-40°C〜150°C
UF4004	-	RFQ	3909	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向	UF400		标准			do-41	下载						0000.00.0000	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v		1.25 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 400 V	-50°C〜175°C	1a	-
MBR3050PT	2.1100	RFQ	651	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3	MBR3050		肖特基			TO-247AD（TO-3P）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	50 V	20a	750 mv @ 20 a		5 ma @ 50 V	-65°C〜150°C
FQP8P10	1.0000	RFQ	5357	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道		100 v	8A（TC）	10V	530MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	470 pf @ 25 V	-	65W（TC）
FDD5612	-	RFQ	1502	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		60 V	5.4A（ta）	6V，10V	55MOHM @ 5.4A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 30 V	-	3.8W（ta），42W（tc）
FDPF7N50	0.7100	RFQ	265	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道		500 v	7A（TC）	10V	900MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	39W（TC）
FES16JT	0.8700	RFQ	7947	Fairchild半导体	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2			标准			TO-220-2	下载	rohs3符合条件			2156-FES16JT-FS	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	16a	145pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²