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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
FQPF6N40C	0.5900	RFQ	7	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
EGP10B	0.1200	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	EGP10		标准			DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,542		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v	950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	-
FGPF45N45TTU	1.0700	RFQ	5	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		51.6 w		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				-																		沟	450 v		180 a	1.5V @ 15V，20A	-	100 NC	-
FJX4009RTF	0.0500	RFQ	44	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	FJX400			200兆		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																							40 V	100 ma						100NA（ICBO）					pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
KSC839YBU	0.0200	RFQ	1935年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				250兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	9,957																							30 V	100 ma						100NA（ICBO）					NPN	400mv @ 1mA，10mA	120 @ 2mA，12v	200MHz
NDS8434A	-	RFQ	1167	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		20 v	7.8A（ta）	2.5V，4.5V	24mohm @ 7.9a，4.5V	1V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±8V	1730 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
FDC658P	-	RFQ	8750	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道		30 V	4A（ta）	10V	50MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±20V	750 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
S2A	-	RFQ	3731	Fairchild半导体	联盟塑料，s	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			标准			SMB（do-214AA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													50 V	1.15 V @ 2 A	1.5 µs	5 µA @ 50 V	-50°C〜150°C	2a	-
FQA15N70	5.1700	RFQ	379	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		700 v	15A（TC）	10V	560MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3630 PF @ 25 V	-	300W（TC）
FDP5500	2.2600	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP55		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			n通道		55 v	80A（TC）	10V	7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	269 NC @ 20 V	±20V	3565 pf @ 25 V	-	375W（TC）
HGT1S14N41G3VLS	2.0000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑		136 w		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-																		-	445 v	25 a		-	-	26 NC	-
FDPF44N25TRDTU	1.1800	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F（LG形成）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		250 v	44A（TC）	10V	69mohm @ 22a，10v	5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±30V	2870 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FQPF28N15	0.8300	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		150 v	16.7A（TC）	10V	90MOHM @ 8.35a，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	1600 pf @ 25 V	-	60W（TC）
MMBT4403K	0.0700	RFQ	7955	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,285																							40 V	600 MA						-					PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
RS1BFA	0.0900	RFQ	8226	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123W			标准			SOD-123FA	下载					Ear99	8541.10.0080	2,470		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v	1.3 V @ 800 mA	150 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V，1MHz
HUF75545P3_R4932	-	RFQ	2302	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-						0000.00.0000	1
BZX85C3V6	0.0300	RFQ	88	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C3			1.3 w		do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		20 µA @ 1 V														3.6 v	20欧姆
KSE13003-AS	0.1400	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				20 w		TO-126-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,219																							400 v	1.5 a						-					NPN	3V @ 500mA，1.5a	8 @ 500mA，2V	4MHz
FQI3N80TU	1.0000	RFQ	6011	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道		800 v	3A（TC）	10V	5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	690 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），107W（TC）
SS32	0.2700	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC			肖特基			SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v	500 mv @ 3 a		500 µA @ 20 V	-55°C〜150°C	3a	-
FDMC86520L	-	RFQ	9527	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	13.5A（TA），22a （TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 13.5A，10V	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	4550 pf @ 30 V	-	2.3W（ta），40W（TC）
HUF75631SK8T	-	RFQ	6747	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FDP7030L	2.1300	RFQ	29	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道		30 V	80a（ta）	4.5V，10V	7mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±20V	2440 pf @ 15 V	-	68W（TC）
SFR9120TM	0.2500	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		100 v	4.9A（TC）	10V	600mohm @ 2.5a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
FMM7G20US60N	28.1700	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	模块				89 w	三相桥梁整流器	-	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-FMM7G20US60N	Ear99	8541.29.0095	1	三期逆变器																					-	600 v	20 a		2.7V @ 15V，20A				250 µA	是的			1.277 NF @ 30 V
FDS6675A	1.0000	RFQ	1503	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±25V	2330 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
HGTD3N60C3S9A	0.4000	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		33 W		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500				480V，3A，82OHM，15V																		-	600 v	6 a	24 a	2V @ 15V，3A	（85µJ）（在），245µJ（245µJ）	10.8 NC	-
S3K	-	RFQ	3073	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC			标准			SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													800 v	1.15 V @ 3 A	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-50°C〜150°C	3a	-
FGA40S65SH	-	RFQ	9300	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		268 w		to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，40a，6ohm，15V																		沟渠场停止	650 v	80 a	120 a	1.81V @ 15V，40a	（194µJ）（在388μj上）	73 NC	19.2NS/68.8NS
2SA1962RTU	2.9500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				130 w		to-3p	下载					Ear99	8541.29.0075	1																							250 v	17 a						5µA（ICBO）					PNP	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²