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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDMC2674	-	RFQ	3709	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					220 v	1A（1A），7A （TC）	10V	366MOHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1180 pf @ 100 V	-	2.1W（ta），42W（tc）
KSB601YTU	0.5200	RFQ	26	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					1.5 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																										100 v	5 a						10µA（ICBO）				pnp-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	5000 @ 3A，2V	-
1N5231B	0.0300	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		-	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																					5 µA @ 2 V														5.1 v	17欧姆
FDPC8014AS	1.2200	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDPC8014		MOSFET （金属 o化物）	2.1W，2.3W		电源夹56	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							25V	20a，40a		3.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	35nc @ 10V		2375pf @ 13V	-
PN5138	0.0700	RFQ	7233	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	4,022																										30 V	500 MA						50NA（iCBO）				PNP	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，10v	-
SFW9Z24TM	0.4300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道					60 V	9.7a（TC）	10V	280MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），49W（tc）
FQD2N90TF	0.5500	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					900 v	1.7A（TC）	10V	7.2OHM @ 850mA，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
KSB1116YTA	0.0500	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					750兆w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																										50 V	1 a						100NA（ICBO）				PNP	300mv @ 50mA，1a	135 @ 100mA，2V	120MHz
FDB035AN06A0	2.9500	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	102			n通道					60 V	22a（22A），80a tc（TC）	6V，10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FSBS10CH60T	-	RFQ	2019	Fairchild半导体	Motion-SPM®	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSB10						-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	3期				10 a	600 v	2500vrms
FQA90N08	-	RFQ	8478	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）			to-3pn	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FQA90N08	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					80 V	90A（TC）	10V	16mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	214W（TC）
SS34	1.0000	RFQ	4445	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		SS34		肖特基			SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																40 V	500 mv @ 3 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	-
BZX79C51	0.0200	RFQ	139	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX79C51			500兆		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																			1.5 V @ 100 ma		500 NA @ 35.7 V														51 v	180欧姆
FDPF12N60NZ	-	RFQ	9919	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载						0000.00.0000	1			n通道					600 v	12A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	1676 PF @ 25 V	-	39W（TC）
FDPF12N50UT	-	RFQ	5793	Fairchild半导体	FRFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					500 v	10A（TC）	10V	800MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1395 pf @ 25 V	-	42W（TC）
FDP75N08	1.0400	RFQ	365	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道					75 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 37.5a，10v	4V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	4468 PF @ 25 V	-	131W（TC）
IRF654BFP001	0.9200	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					250 v	21a（TC）	10V	140mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	156W（TC）
FDP030N06B	1.6200	RFQ	800	Fairchild半导体	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	201
KSE210STU	1.0000	RFQ	2254	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					15 W		TO-126-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																										25 v	5 a						100NA（ICBO）				PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
FCP850N80Z	-	RFQ	8496	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					800 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 600µA	29 NC @ 10 V	±20V	1315 PF @ 100 V	-	136W（TC）
2N5830	0.0400	RFQ	47	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																										100 v	200 ma						50NA（iCBO）				NPN	250mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	-
FMG1G400US60L	104.0200	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					1136 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																								-	600 v	400 a		2.7V @ 15V，400A				250 µA	不
FGD3N60LSDTM-T-FS	1.0000	RFQ	8947	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准		40 W		TO-252，（-d-pak）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	2,500				480V，3A，470OHM，10V																234 ns					-	600 v	6 a	25 a	1.5V @ 10V，3A	250µJ（在）上，1MJ（1MJ）	12.5 NC	40NS/600NS
FQB3N30TM	0.4100	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道					300 v	3.2A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.6A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），55W（tc）
BC548BBU	0.0200	RFQ	4079	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																										30 V	100 ma						15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
FDD5612	-	RFQ	1502	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					60 V	5.4A（ta）	6V，10V	55MOHM @ 5.4A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 30 V	-	3.8W（ta），42W（tc）
ISL9N304AS3ST	1.4600	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					30 V	75A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	4075 PF @ 15 V	-	145W（TA）
BZX85C51	0.0200	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																			1.2 V @ 200 ma		500 na @ 36 V														51 v	115欧姆
FDU8770	1.5600	RFQ	7	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75			n通道					25 v	35A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	3720 PF @ 13 V	-	115W（TC）
FDD6612A	0.5000	RFQ	262	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	598			n通道					30 V	9.5A（ta），30a tc）	4.5V，10V	20mohm @ 9.5a，10V	3V @ 250µA	9.4 NC @ 5 V	±20V	660 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），36W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²