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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
FDS2572	-	RFQ	4207	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						150 v	4.9A（TC）	10V	47MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	2870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
MPSH10	0.0900	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞						350MW			下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,000					-																								25V											NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz	-
IRFW720BTMNL	0.1700	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						400 v	3.3A（TC）	10V	1.75OHM @ 1.65a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），49W（tc）
FQB25N33TM	1.3800	RFQ	17	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	800			n通道						330 v	25A（TC）	10V	230MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 15 V	±30V	2010 PF @ 25 V	-	3.1W（TA），250W（tc）
FPAB30BH60	18.2000	RFQ	17	Fairchild半导体	PFCSPM®3	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT							下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	1期					25 a	600 v	2500vrms
fypf2010dntu	-	RFQ	7730	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3完整包		FYPF20		肖特基			TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	100 v	20a	770 mv @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
FGB5N60UNDF	-	RFQ	9142	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FGB5N60	标准		73.5 w		TO-263AB（D²Pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，5A，10OHM，15V																			35 ns					npt	600 v	10 a	15 a	2.4V @ 15V，5A	80µJ（在）上，70µJ（70µJ）	12.1 NC	5.4NS/25.4NS
MBR1045	0.4400	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2		MBR104		肖特基			TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		45 v		840 mv @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	10a	-
FMG1G200US60H	55.6300	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					695 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																											-	600 v	200 a		2.7V @ 15V，200a				250 µA	不
tip41c	-	RFQ	7599	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3					65 w		TO-220	下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-TIP41C-600039			1																													100 v	6 a						400µA				NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	-
FQPF2NA90	-	RFQ	4799	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	364			n通道						900 v	1.7A（TC）	10V	5.8ohm @ 850mA，10v	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	680 pf @ 25 V	-	39W（TC）
BCP69	0.1500	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BCP69			1 w		SOT-223-4	下载					Ear99	8541.29.0075	1																													20 v	1.5 a						100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	-
MMBZ5246B-NL	0.7100	RFQ	39	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆		SOT-23-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V														16 V	17欧姆
S3DB	-	RFQ	5629	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB				标准			DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,017		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		200 v		1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
1N5822	-	RFQ	3355	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向				肖特基			轴向	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,250		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		40 V		525 mv @ 3 a		2 ma @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
HUFA758423	0.9200	RFQ	6	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道						150 v	43A（TC）	10V	42MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	175 NC @ 20 V	±20V	2730 PF @ 25 V	-	230W（TC）
KSC5305DTU	1.0000	RFQ	8536	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSC5305			75 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																													400 v	5 a						10µA（ICBO）				NPN	500mv @ 400mA，2a	8 @ 2a，1V	-
2N3663	1.0000	RFQ	3328	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					350MW		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000					1.5dB																								12V	50mA										NPN		20 @ 8mA，10v	2.1GHz	6.5db @ 60MHz
FQPF5N50CFTU	0.6400	RFQ	3	Fairchild半导体	FRFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	5A（TC）	10V	1.55ohm @ 2.5a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FQD2N60CTF	-	RFQ	1877年	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	510			n通道						600 v	1.9A（TC）	10V	4.7ohm @ 950mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
BD240CTU-FS	0.3000	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BD240			30 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																													100 v	2 a										PNP	700mv @ 200mA，1a	40 @ 200ma，4V	-
KSP42TA	-	RFQ	5921	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载						0000.00.0000	1																													300 v	500 MA						100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
FFAF10U40DNTU	0.8500	RFQ	563	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3				标准			to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	400 v	10a	1.4 V @ 10 A	50 ns	30 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
BC237BTA	1.0000	RFQ	3236	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																													45 v	100 ma						15NA				NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
FDMC2674	-	RFQ	3709	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						220 v	1A（1A），7A （TC）	10V	366MOHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1180 pf @ 100 V	-	2.1W（ta），42W（tc）
KSB601YTU	0.5200	RFQ	26	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					1.5 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																													100 v	5 a						10µA（ICBO）				pnp-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	5000 @ 3A，2V	-
1N5231B	0.0300	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		-	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																								5 µA @ 2 V														5.1 v	17欧姆
FDPC8014AS	1.2200	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDPC8014		MOSFET （金属 o化物）	2.1W，2.3W		电源夹56	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）								25V	20a，40a		3.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	35nc @ 10V		2375pf @ 13V	-
PN5138	0.0700	RFQ	7233	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	4,022																													30 V	500 MA						50NA（iCBO）				PNP	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，10v	-
SFW9Z24TM	0.4300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道						60 V	9.7a（TC）	10V	280MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），49W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²